Everspin非易失性并行接口MRAM存储芯片

在工业控制、汽车电子和智能计量等场景中，存储芯片既要保证数据掉电不丢失，又需具备快速读写与高可靠性。MRAM存储芯片作为一种新型非易失性存储器，正逐步替代传统闪存、SRAM和EEPROM。其中，Everspin推出的MR0A08BYS35并行接口MRAM存储芯片，凭借其35ns读写速度和无限次擦写寿命，成为关键业务数据持久存储的理想选择。

MRAM存储芯片采用3.3V工作电压，44-TSOP2封装，符合RoHS环保标准。相比传统电池供电的SRAM方案，MRAM无需备用电池即可在断电后保留数据长达20年，大幅降低系统维护成本并提升整体可靠性。同时，MRAM存储芯片无限耐久性意味着在频繁读写的工业自动化或物联网设备中，不会出现闪存常见的擦写磨损问题。

MRAM存储芯片MR0A08BYS35提供商用（0至+70℃）和工业（-40至+85℃）两种温度等级，可适应严苛环境下的稳定运行。芯片内部集成了防静电高压保护电路，并对外部磁场干扰具备一定抵御能力。不过，MRAM存储芯片在实际应用中仍需注意避免超过额定最大磁场强度，以及防止输入电压超出高阻接口的耐受范围，从而确保长期使用寿命。英尚微电子作为Everspin授权代理，长期提供Everspin及全系列MRAM存储芯片产品现货与技术支持。

审核编辑 黄宇