安森美MBR30170MFS肖特基势垒整流器：高性能之选

在电子设计领域，整流器是不可或缺的基础元件，其性能直接影响到整个电路的效率和稳定性。今天，我们就来深入了解一下安森美（onsemi）推出的MBR30170MFS肖特基势垒整流器。

文件下载：MBR30170MFS-D.PDF

产品概述

MBR30170MFS是一款采用SO - 8 FL封装的高性能肖特基整流器。它具有较低的正向电压、较小的漏电流和小的结电容，非常适合高开关频率、高密度的DC - DC转换应用。同时，它还具备较高的雪崩能量能力，可用于Oring或反向保护应用。SO - 8 FL封装不仅提供了出色的热性能，还减少了电路板的占用面积，并且具有低轮廓的特点。

产品特性

电气性能优越

• 低正向电压降：较低的正向电压降意味着在导通时消耗的能量更少，从而提高了电路的效率。例如，在IF = 15 A、T = 25°C的条件下，典型正向电压为0.76 V；在IF = 30 A、T = 25°C时，典型正向电压为0.81 V。
• 高温下漏电流小：在高温环境下，漏电流仍然能够保持在较低水平。在VR = 额定直流电压、T = 25°C时，漏电流典型值为0.5 μA；在T = 125°C时，漏电流典型值为1.0 mA。
• 小的结电容：结电容小使得整流器能够适应高开关频率的应用场景，减少开关损耗。在VR = 1 V、T = 25°C、f = 1 MHz的条件下，结电容典型值为821 pF。

其他特性

• 高雪崩能量能力：具备280 mJ的非重复雪崩能量（T = 25°C），能够承受一定的浪涌冲击，提高了电路的可靠性。
• 宽工作温度范围：工作结温范围为 - 55°C至 + 175°C，适用于各种恶劣的工作环境。
• 环保设计：该器件为无铅、无卤素/BFR自由，并且符合RoHS标准，满足环保要求。
• 小尺寸封装：占地面积仅为31.2 mm²，最大高度为1.1 mm，节省了电路板空间，适合高密度的设计需求。

产品参数

最大额定值

额定值	符号	值	单位
峰值重复反向电压、工作峰值反向电压、直流阻断电压	VRRM、VRWM、VR	170	V
连续正向电流（Tc = 162°C，DC）	IF(DC)	30	A
峰值重复正向电流（Tc = 159°C，方波，占空比 = 0.5）	IFRM	60	A
非重复峰值浪涌电流（正弦半波，8.3 ms）	IFSM	540	A
非重复峰值浪涌电流（方波，1 ms）		700	A
非重复峰值浪涌电流（方波，100 μs）		1200	A
非重复雪崩能量（T = 25°C）	EAS	280	mJ
储存温度范围	Tstg	- 65至 + 175	°C
工作结温范围	TJ	- 55至 + 175	°C
ESD等级（人体模型）		3B
ESD等级（机器模型）		M4

热特性

假设在FR4板上有600 mm²、1 oz的铜焊盘，结到环境的热阻最大为55°C/W。

电气特性

特性	符号	典型值	最大值	单位
瞬时正向电压（IF = 15 A，T = 25°C）	VF	0.76		V
瞬时正向电压（IF = 15 A，T = 125°C）		0.62		V
瞬时正向电压（IF = 30 A，T = 25°C）		0.81	0.89	V
瞬时正向电压（IF = 30 A，T = 125°C）		0.68	0.74	V
瞬时反向电流（VR = 额定直流电压，T = 25°C）	IR	0.5	50	μA
瞬时反向电流（VR = 额定直流电压，T = 125°C）		1.0	10	mA
结电容（VR = 1 V，T = 25°C，f = 1 MHz）	CJ	821		pF

应用领域

• 高开关频率DC/DC转换器：其低正向电压降和小的结电容特性，能够有效提高DC/DC转换器的效率和性能。
• 二次整流：作为二次整流元件，可减少能量损耗，提高电路的稳定性。
• 续流二极管：与感性负载配合使用，能够起到续流的作用，保护电路元件。
• Oring/反向保护：凭借其高雪崩能量能力，可用于Oring或反向保护应用，防止电路受到反向电压的损害。

订购信息

器件	封装	包装
MBR30170MFST1G	SO - 8 FL（无铅）	1500 / 卷带包装
MBR30170MFST3G	SO - 8 FL（无铅）	5000 / 卷带包装

在实际的电子设计中，我们需要根据具体的应用需求来选择合适的整流器。MBR30170MFS凭借其优越的性能和特性，无疑是高开关频率、高密度DC - DC转换等应用的理想选择。你在设计中是否使用过类似的整流器呢？在选择整流器时，你更看重哪些性能指标呢？欢迎在评论区分享你的经验和看法。