圣邦微电子推出90A高性能功率级DrMOS产品SGM25890

关键词：Smart Power Stage；DrMOS；PWM信号；多相控制器；故障检测；IMON；TMON

圣邦微电子推出内部集成电流检测的90A Smart Power Stage（DrMOS）产品——SGM25890，该器件主要面向AI服务器及传统计算市场。

随着数字时代的深入发展，通信与计算系统能力持续增强，AI技术也从云端、局端逐步向边缘计算与本地化应用拓展。多种策略和架构的CPU、GPU、GPGPU等不断迭代，AI应用逐渐从大型企业客户团队延伸至中小企业及个人用户。这一趋势对电源供应提出了更高要求。AI的快速发展，特别是大模型与高性能计算的兴起，正在推动电源领域实现根本性变革。电源设计不再仅追求“稳定供电”，而是驱动着一场从芯片级到数据中心架构级的全面能源效率革命。

DrMOS（集成驱动级金属氧化物半导体场效应管）技术伴随AI算力需求的爆发，正迎来快速演进的发展和革新。它已从提升个人电脑能效的解决方案，成长为支撑数据中心、人工智能等高算力场景的关键组件。

为应对日益多元化和普及化的市场需求，圣邦微电子聚焦核心处理器供电领域，推出了最大电流能力达90A的功率级DrMOS——SGM25890。搭配8相数字控制器，可实现连续320A电流输出；配合新款16相控制器，更可支持连续720A负载与峰值1000A电流。

SGM25890通过多Die合封（Co-Packaged）技术，将Buck电路的上管、下管与驱动控制电路集成于一体，通过外部PWM信号的三态控制实现对芯片的控制。上、下管与驱动电路之间采用短路径连接，保证高功率密度的同时，还能优化时序控制并有效减小开关振铃。SGM25890主要面向CPU、GPU和DDR等低压大电流应用场景，合理的上、下管面积分配使其在该类应用中有更好的表现。除优秀的效率特性外，SGM25890还集成了高精度的瞬时电流检测上报（IMON）与温度上报功能（TMON），满足配套的多相控制器对关键信息的获取需求。此外，芯片支持OCP、OTP、HSS等多种故障检测与保护机制，并具备特殊的故障上报方式，以应对使用过程中的极端情况。芯片采用符合环保理念的TQFN-5×6-39L绿色封装，工作温度范围在-40℃至+125℃。

图1 SGM25890典型应用电路

SGM25890核心优势

SG Micro Corp

亮点一

优秀的效率表现

SGM25890采用圣邦微电子自研的SGT-MOS，通过优化的多Die合封（Co-Packaged）技术、合理的面积分配、极致的死区时间与驱动速度优化，在12V母线低压大电流场景下实现了的优秀效率表现。

图2 SGM25890的效率表现

亮点二

内置电流检测（IMON）

SGM25890采用先进的电流镜方案，将内部的电流信息以5μA/A的比例关系通过IMON输出至多相控制器。IMON可支持的电压范围为：0.8V至2.35V，因此推荐的IREF（IMON的参考电压）使用范围为1.1V至1.9V。SGM25890配合多相控制器的Load-Line系统应用表现如图3所示。

图3 SGM25890配合2063016 Load-Line应用表现

亮点三

故障检测与故障上报

SGM25890具备逐周期过电流保护（OCP）、过温保护（OTP）、上管短路（HSS）检测以及VDRV欠压锁定（UVLO）等保护功能，并能通过TMON PIN与IMON PIN的不同电平组合，配合多相控制器进行故障上报。故障上报类型与TMON PIN和IMON PIN的对应关系如表1所示。

表1 SGM25890故障上报

SGM25890典型特性

SG Micro Corp

内部集成驱动器以及Buck电路的上、下管；

5μA/A比例转换的MOSFET电流上报（IMON）；

输入电压范围：4.25V至16V；

VCC和VDRV电压范围：4.5V至5.5V；

输出电压范围：0.225V至5.5V（VIN = 12V）；

最大输出电流能力：90A；

具备故障的识别与上报；

温度上报（TMON）：8mV/℃；

过温保护（OTP）；

逐周期过电流保护（OCP）；

上管短路（HSS）检测；

VDRV欠压锁定（UVLO）；

3.3V三态PWM输入；

深度睡眠模式（EN为低）；

采用符合环保理念的TQFN-5×6-39L绿色封装。

关于圣邦微电子

圣邦微电子（北京）股份有限公司（股票代码300661）作为高性能、高品质综合模拟集成电路供应商，产品覆盖信号链、电源管理、传感器及存储器等领域。公司拥有38大类近7,000款可销售型号，为工业与能源、汽车、网络与计算和消费电子等领域提供各类模拟及混合信号创新解决方案。