电子说
在音频放大器的高频驱动设计中,合适的功率晶体管至关重要。Onsemi的MJE15028、MJE15030(NPN)以及MJE15029、MJE15031(PNP)互补硅塑功率晶体管凭借其出色的性能,成为了众多工程师的选择。下面我们就来详细了解一下这些器件。
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高电流增益 - 带宽积意味着这些晶体管在高频信号处理方面表现出色,能够满足音频放大器高频驱动的需求,确保信号的准确传输和放大,减少失真。
TO - 220封装具有良好的散热性能和机械稳定性,同时尺寸紧凑,便于在电路板上布局,节省空间。这对于追求小型化和高性能的音频放大器设计来说非常重要。
这些器件是无铅的,并且符合RoHS标准,这不仅符合环保要求,也满足了市场对于绿色电子产品的需求。
| 额定值 | 符号 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| MJE15030G, MJE15031G | VCEO | 120 | Vdc |
| MJE15028G, MJE15029G MJE15030G, MJE15031G | VCB | 120 | Vdc |
| VEB | 5.0 | Vdc | |
| 集电极连续电流 | IC | 8.0 | Adc |
| 集电极峰值电流 | 16 | Adc | |
| 基极电流 | IB | 2.0 | Adc |
| 总器件功耗($T_{C}=25^{circ} C$) | PD | 50 | W |
| 总器件功耗($T_{A}=25^{circ} C$,25°C以上降额) | PD | 2.0 | W |
| 温度范围 | TJ, Tstg | - | °C |
需要注意的是,超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。如果超过这些限制,不能保证器件的功能,可能会发生损坏并影响可靠性。
| 特性 | 符号 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到壳的热阻 | Ruc | 2.5 | °C/W |
| 结到环境的热阻 | RUA | 62.5 | °C/W |
热特性对于功率晶体管的性能和可靠性至关重要。较低的热阻有助于将热量从器件内部散发出去,保证器件在正常温度范围内工作,从而提高其稳定性和寿命。
在特定条件下($I{C}= 10 mAdc$,$I{B}=0$),MJE15028、MJE15029、MJE15030、MJE15031的集电极 - 发射极维持电压($V_{CEO(sus)}$)为120 - 150 Vdc。
不同条件下的集电极截止电流($I{CEO}$、$I{CBO}$)和发射极截止电流($I{EBO}$)都有明确的规定,例如在$V{CE}=120 Vdc$,$I{B}=0$时,MJE15028、MJE15029的$I{CBO}$最大为0.1 uAdc。
在不同的集电极电流和集电极 - 发射极电压条件下,直流电流增益($h{FE}$)有不同的值。例如,当$I{C}=0.1 Adc$,$V{CE}=2.0Vdc$时,$h{FE}$最小为40。
当$I{C}=1.0 Adc$,$I{B}=0.1 Adc$时,集电极 - 发射极饱和电压($V{CE(sat)}$)最大为0.5 Vdc;当$I{C}=1.0 Adc$,$V{CE}=2.0 Vdc$时,基极 - 发射极导通电压($V{BE(on)}$)最大为1.0 Vdc。
电流增益 - 带宽积($f{T}$)在$I{C}=500 mAdc$,$V{CE}=10 Vdc$,$f{test }=10 MHz$的条件下,最小值为30 MHz。
产品的参数性能在列出的测试条件下通过电气特性来表示,但如果在不同条件下运行,产品性能可能与电气特性有所不同。
晶体管的功率处理能力有两个限制:平均结温和二次击穿。安全工作区曲线表明了晶体管的$I{C}-V{CE}$限制,为了可靠运行,必须遵守这些限制,即晶体管的功耗不能超过曲线所示的值。
| 器件 | 封装 | 包装 |
|---|---|---|
| MJE15028G | TO - 220(无铅) | 50个/导轨 |
| MJE15029G | TO - 220(无铅) | 50个/导轨 |
| MJE15030G | TO - 220(无铅) | 50个/导轨 |
| MJE15031G | TO - 220(无铅) | 50个/导轨 |
对于电子工程师来说,在设计音频放大器的高频驱动电路时,Onsemi的MJE15028、MJE15029、MJE15030、MJE15031互补硅塑功率晶体管提供了一个可靠的选择。但在实际应用中,还需要根据具体的设计需求和工作条件,仔细考虑这些器件的各项参数,以确保电路的性能和可靠性。大家在使用这些器件时,有没有遇到过什么特别的问题呢?欢迎在评论区分享。
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