onsemi互补硅高功率晶体管：2N3055AG、MJ15015G、MJ15016G技术解析

在电子工程领域，高功率晶体管是许多电路设计中不可或缺的关键元件。今天要为大家详细介绍onsemi的三款互补硅高功率晶体管：2N3055AG（NPN）、MJ15015G（NPN）和MJ15016G（PNP），它们在高功率音频、步进电机等线性应用以及功率开关电路中都有着广泛的应用。

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一、产品概述

这些PowerBase互补晶体管专为高功率音频、步进电机和其他线性应用而设计。它们也可用于功率开关电路，如继电器或螺线管驱动器、直流 - 直流转换器、逆变器，或者用于需要比2N3055更高安全工作区的感性负载。

二、产品特性

1. 高电流增益 - 带宽：能够在不同的工作条件下保持较好的电流增益和带宽性能，满足多种应用需求。
2. 安全工作区：具备较宽的安全工作区，确保在正常工作时的稳定性和可靠性。
3. 环保特性：这些器件无铅且符合RoHS标准，符合环保要求。

三、最大额定值

额定值	符号	值	单位
集电极 - 发射极电压（2N3055AG、MJ15015G、MJ15016G）	VCEO	60、120	Vdc
集电极 - 基极电压（2N3055AG、MJ15015G、MJ15016G）	VCBO	100、200	Vdc
基极反向偏置时的集电极 - 发射极电压（2N3055AG、MJ15015G、MJ15016G）	VCEV	100、200	Vdc
发射极 - 基极电压	VEBO	7.0	Vdc
集电极连续电流	IC	15	Adc
总器件耗散功率（@ TC = 25 °C）（2N3055AG、MJ15015G、MJ15016G），25 °C以上降额（2N3055AG）	PD	0.65、115、180	W/°C、W
（MJ15015G、MJ15016G）		1.03	W/°C
工作和存储结温范围	TJ, Tstg	-65 至 +200	°C

需要注意的是，超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。如果超过这些限制，不能保证器件的功能，可能会发生损坏并影响可靠性。

四、电气特性

1. 截止特性

• 集电极 - 发射极维持电压：在特定条件下，2N3055AG、MJ15015G和MJ15016G的集电极 - 发射极维持电压分别有不同的值。
• 集电极截止电流：在不同的电压和温度条件下，集电极截止电流也有所不同。

2. 二次击穿特性

在基极正向偏置（t = 0.5 s非重复）且VCE = 60 Vdc的条件下，2N3055AG的二次击穿集电极电流为1.95 Adc，MJ15015G和MJ15016G为3.0 Adc。

3. 导通特性

• 直流电流增益：在不同的集电极电流和集电极 - 发射极电压条件下，直流电流增益有不同的取值范围。
• 集电极 - 发射极饱和电压：随着集电极电流和基极电流的变化，集电极 - 发射极饱和电压也会相应改变。
• 基极 - 发射极导通电压：在特定条件下，基极 - 发射极导通电压在0.7 - 1.8 Vdc之间。

4. 动态特性

• 电流增益 - 带宽乘积：在特定的集电极电流、集电极 - 发射极电压和频率条件下，2N3055AG、MJ15015G和MJ15016G的电流增益 - 带宽乘积有一定的范围。
• 输出电容：在特定的集电极 - 基极电压、发射极电流和频率条件下，输出电容在60 - 600 pF之间。

5. 开关特性（仅2N3055AG）

包含延迟时间等开关特性参数，这些参数对于开关电路的设计至关重要。

五、安全工作区

晶体管的功率处理能力有两个限制：平均结温和二次击穿。安全工作区曲线表明了晶体管的IC - VCE限制，为了可靠运行必须遵守这些限制，即晶体管的耗散功率不得超过曲线所示的值。图12和图13的数据基于TC = 25 °C，TJ(pk)随功率水平而变化。二次击穿脉冲限制适用于占空比达10%的情况，但必须根据图1进行温度降额。

六、订购信息

器件	封装	运输
2N3055AG	TO - 204（无铅）	100个/托盘
MJ15015G	TO - 204（无铅）	100个/托盘
MJ15016G		已停产

需要注意的是，MJ15016G已停产，如需相关信息请联系onsemi代表，最新信息可在www.onsemi.com上查询。

七、机械尺寸

文档中还提供了TO - 204（TO - 3）封装的机械尺寸信息，包括各个尺寸的最小值、最大值等详细数据，对于PCB设计等工作具有重要的参考价值。

在实际的电子设计中，我们需要根据具体的应用需求，综合考虑这些晶体管的各项特性和参数，合理选择和使用这些器件，以确保电路的性能和可靠性。大家在使用过程中有没有遇到过类似晶体管的应用难题呢？欢迎在评论区分享交流。