安森美2N6387和2N6388晶体管：通用放大与开关应用的理想之选

在电子工程师的日常设计工作中，选择合适的晶体管至关重要。今天，我们就来深入了解一下安森美（onsemi）推出的2N6387和2N6388塑料中功率硅晶体管，这两款晶体管专为通用放大器和低速开关应用而设计，具有诸多出色的特性。

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产品特性

高直流电流增益

这两款晶体管拥有高直流电流增益，典型值 (h{FE}=2500)（在 (I{C}=4.0A_{dc}) 时）。高电流增益意味着在相同的输入电流下，可以获得更大的输出电流，这对于放大器应用来说非常重要，能够有效地放大信号。

高集电极 - 发射极维持电压

不同型号的集电极 - 发射极维持电压有所不同，2N6387的 (V{CEO(sus)} = 60V{dc})（最小值），2N6388的 (V{CEO(sus)} = 80V{dc})（最小值）。较高的维持电压使得晶体管能够在更高的电压环境下稳定工作，增加了其适用范围。

低集电极 - 发射极饱和电压

在 (I{C}=5.0A{dc}) 时，2N6387和2N6388的 (V{CE(sat)} = 2.0V{dc})（最大值）。低饱和电压意味着在晶体管导通时，其集电极和发射极之间的电压降较小，从而减少了功率损耗，提高了效率。

其他特性

• 采用单片结构，内置基极 - 发射极分流电阻，增强了晶体管的稳定性和可靠性。
• 采用TO - 220AB紧凑型封装，便于安装和散热。
• 产品无铅且符合RoHS标准，符合环保要求。

最大额定值

额定参数	2N6387	2N6388	符号	单位
集电极 - 发射极电压	60	80	(V_{CEO})	(V_{dc})
集电极 - 基极电压	60	80	(V_{CB})	(V_{dc})
发射极 - 基极电压	-	-	(V_{EB})	(5.0V_{dc})
集电极电流（连续 - 峰值）	10 - 15	10 - 15	(I_{C})	(A_{dc})
基极电流	-	-	(I_{B})	(250mA_{dc})
总功率耗散（(T_{C}=25^{circ}C)，高于25°C降额）	65，0.52	65，0.52	(P_{D})	(W)，(W/^{circ}C)
总功率耗散（(T_{A}=25^{circ}C)，高于25°C降额）	2.0，0.016	2.0，0.016	(P_{D})	(W)，(W/^{circ}C)
工作和存储结温范围	-65 至 +150	-65 至 +150	(T{J})，(T{stg})	(^{circ}C)

需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

热特性

特性	符号	最大值	单位
结到外壳的热阻	(R_{θJC})	1.92	(^{circ}C/W)
结到环境的热阻	(R_{θJA})	62.5	(^{circ}C/W)

热特性对于晶体管的性能和寿命至关重要。较低的热阻意味着晶体管能够更有效地散热，从而保证其在高温环境下的稳定性。

电气特性

截止特性

• 集电极 - 发射极维持电压：2N6387为60 (V{dc})，2N6388为80 (V{dc})（(I{C}=200mA{dc})，(I_{B}=0)）。
• 集电极截止电流：在不同条件下有不同的值，例如在 (V{CE}=60V{dc})，(I{B}=0) 时，2N6387和2N6388的 (I{CEO}) 最大值为1.0 (mA_{dc})。

导通特性

• 直流电流增益：在 (I{C}=5.0A{dc})，(V{CE}=3.0V{dc}) 时，2N6387和2N6388的 (h_{FE}) 最小值为1000，最大值为20000。
• 集电极 - 发射极饱和电压：在 (I{C}=5.0A{dc})，(I{B}=0.01A{dc}) 时，2N6387和2N6388的 (V{CE(sat)}) 最大值为2.0 (V{dc})。
• 基极 - 发射极导通电压：在 (I{C}=5.0A{dc})，(V{CE}=3.0V{dc}) 时，2N6387和2N6388的 (V{BE(on)}) 最大值为2.8 (V{dc})。

动态特性

• 小信号电流增益：在 (I{C}=1.0A{dc})，(V{CE}=5.0V{dc})，(f{test}=1.0MHz) 时，(h{fe}) 最小值为20。
• 输出电容：在 (V{CB}=10V{dc})，(I{E}=0)，(f = 1.0MHz) 时，(C{ob}) 最大值为200pF。

安全工作区

晶体管的功率处理能力受到平均结温和二次击穿的限制。安全工作区曲线表明了晶体管的 (I{C}-V{CE}) 限制，为了保证可靠运行，晶体管的功耗不能超过曲线所示的值。图5的数据基于 (T{J(pk)}=150^{circ}C)，(T{C}) 会根据具体条件而变化。二次击穿脉冲限制在占空比为10%且 (T{J(pk)}<150^{circ}C) 时有效，(T{J(pk)}) 可以根据图4的数据计算得出。在高外壳温度下，热限制会使晶体管能够处理的功率低于二次击穿所施加的限制。

封装与订购信息

这两款晶体管采用TO - 220封装，并且提供无铅版本（2N6387G和2N6388G），每轨包装50个单元。对于卷带规格的详细信息，可以参考安森美的卷带包装规格手册。

总结

安森美2N6387和2N6388晶体管凭借其高电流增益、高维持电压、低饱和电压等特性，在通用放大器和低速开关应用中具有很大的优势。在设计过程中，工程师需要根据具体的应用需求，合理选择晶体管，并注意其最大额定值、热特性和安全工作区等参数，以确保设计的可靠性和稳定性。你在使用类似晶体管时遇到过哪些问题呢？欢迎在评论区分享你的经验。