Onsemi塑料中功率硅NPN达林顿晶体管BD系列解析

在电子电路设计中，功率晶体管的选择对于整个系统的性能和稳定性至关重要。今天我们来详细探讨一下Onsemi公司的BD675G、BD675AG、BD677G、BD677AG、BD679G、BD679AG、BD681G这一系列塑料中功率硅NPN达林顿晶体管。

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一、产品概述

这一系列晶体管可作为互补通用放大器应用中的输出设备。其具有高直流电流增益、单片结构的特点，并且与BD676、676A、678、678A、680、680A、682互补。其中，BD677、677A、679、679A等效于MJE 800、801、802、803。同时，这些器件是无铅的，符合RoHS标准。

二、主要参数

1. 最大额定值

额定参数	符号	值	单位
集电极 - 发射极电压（不同型号）	VCEO	45、60、80、100	Vdc
集电极 - 基极电压（不同型号）	VCBO	45、60、80、100	Vdc
发射极 - 基极电压	VEBO	5.0	Vdc
集电极电流	IC	4.0	Adc
基极电流	IB	1.0	Adc
总器件功耗（@TC = 25°C，25°C以上降额）	PD	40、0.32	W、W/°C
工作和存储结温范围	TJ, Tstg	–55 至 +150	°C

在设计电路时，我们必须确保各项参数不超过这些最大额定值，否则可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。大家在实际应用中有没有遇到过因为参数超出额定值而导致器件损坏的情况呢？

2. 热特性

热阻ReJC最大值为3.13。热特性对于功率晶体管来说非常重要，它关系到器件在工作过程中的散热情况，进而影响其性能和寿命。在设计散热系统时，我们需要根据这个热阻参数来选择合适的散热片等散热设备。

三、电气特性

1. 关断特性

• 集电极 - 发射极击穿电压（不同型号）：例如BD675G、BD675AG为45Vdc，BD679G、BD679AG为60Vdc，BD681G为80Vdc。
• 集电极截止电流（VCE = 额定VCEO的一半，IB = 0）最大值为500uAdc；在（VCB = 额定BVCEO，IE = 0，TC = 100°C）条件下，最大值为0.2 - 2.0mAdc。
• 发射极截止电流（VBE = 5.0Vdc，IC = 0）最大值为2.0mAdc。

2. 导通特性

• 直流电流增益（不同测试条件）：例如在（IC = 1.5Adc，VCE = 3.0Vdc）条件下，BD675G、BD677G、BD679G、BD681G的hFE最小值为750；在（IC = 2.0Adc，VCE = 3.0Vdc）条件下，BD675AG、BD677AG、BD679AG的hFE最小值为750。
• 集电极 - 发射极饱和电压（不同测试条件）：例如在（IC = 1.5Adc，IB = 30mAdc）条件下，BD677G、BD679G、BD681G；在（IC = 2.0Adc，IB = 40mAdc）条件下，BD675AG、BD677AG、BD679AG，VCE(sat)最大值为2.8Vdc。
• 基极 - 发射极导通电压（不同测试条件）：例如在（IC = 1.5Adc，VCE = 3.0Vdc）条件下，BD677G、BD679G、BD681G；在（IC = 2.0Adc，VCE = 30Vdc）条件下，VBE(on)最大值为2.5Vdc。

3. 动态特性

小信号电流增益（IC = 1.5Adc，VCE = 3.0Vdc，f = 1.0MHz）最小值为1.0。这些电气特性是我们在设计电路时进行参数匹配和性能优化的重要依据。大家在设计过程中，是如何根据这些电气特性来选择合适的工作点的呢？

四、安全工作区

晶体管的功率处理能力受到平均结温和二次击穿的限制。安全工作区曲线表明了晶体管的IC - VCE限制，为了可靠运行，必须遵守这些限制。在高壳温下，热限制会使可处理的功率低于二次击穿所施加的限制。在实际设计中，我们需要根据安全工作区曲线来合理选择晶体管的工作点，避免超出其安全范围。

五、订购信息

器件	包装数量
BD681G	500 Units / Box
BD675G	500 Units / Box
BD675AG	500 Units / Box
BD677G	500 Units / Box
BD677AG	500 Units / Box
BD679G	500 Units / Box
BD679AG	500 Units / Box

需要注意的是，部分器件已经停产，不推荐用于新设计。大家在采购时一定要注意器件的可用性哦。

六、机械尺寸

该系列晶体管采用TO - 225 CASE 77 - 09封装，其各部分尺寸都有明确的规定，例如A尺寸范围为2.40 - 3.00mm，A1尺寸范围为1.00 - 1.50mm等。在进行PCB设计时，我们需要根据这些机械尺寸来合理安排器件的布局，确保其安装和使用的便利性。

Onsemi的这一系列NPN达林顿晶体管在通用放大器应用中具有很多优势，但在实际设计过程中，我们需要综合考虑各项参数和特性，以确保电路的性能和可靠性。希望通过这篇文章，能对大家在选择和使用这些晶体管时有所帮助。大家在使用这些晶体管时还有什么疑问或者经验，欢迎在评论区分享交流。