onsemi PNP达林顿晶体管BD系列：设计应用与技术解析

作为电子工程师，在设计互补通用放大器等电路时，选择合适的晶体管至关重要。今天就来聊聊 onsemi 的一系列塑料、中功率硅 PNP 达林顿晶体管，包括 BD676G、BD676AG、BD678G、BD678AG、BD680G、BD680AG、BD682G 和 BD682TG。

文件下载：BD676-D.PDF

产品特点与应用

这些 PNP 达林顿晶体管可作为互补通用放大器应用中的输出设备。它们具有以下显著特点：

1. 高直流电流增益：能有效放大电流信号，在很多对电流放大要求较高的电路中发挥重要作用。
2. 单片结构：这种结构使得晶体管的性能更加稳定可靠。
3. 互补性：BD676、676A、678、678A、680、680A、682 与 BD675、675A、677、677A、679、679A、681 互补，为电路设计提供了更多的选择和灵活性。
4. 等效性：BD678、678A、680、680A 等效于 MJE 700、701、702、703，方便工程师在不同产品之间进行替代设计。
5. 环保特性：这些器件无铅且符合 RoHS 标准，符合现代电子产品环保的要求。

最大额定值

在使用晶体管时，了解其最大额定值是非常重要的，这关系到晶体管的安全和性能。以下是这些晶体管的主要最大额定值：	参数	符号	不同型号对应值	单位
集电极 - 发射极电压（VCEO）	VCEO	BD676G、BD676AG：45V；BD678G、BD678AG：60V；BD680G、BD680AG：80V；BD682G、BD682TG：100V	Vdc
集电极 - 基极电压（VCB）	VCB	BD676G、BD676AG：45V；BD678G、BD678AG：60V；BD680G、BD680AG：80V；BD682G、BD682TG：100V	Vdc
发射极 - 基极电压（VEB）	VEB	5.0	Vdc
集电极电流（IC）	IC	4.0	Adc
基极电流（IB）	IB	0.1	Adc
总器件功耗（@ TC = 25 C）	PD	0.32	W
25 C 以上降额	-	40	W/C
工作和存储结温范围	TJ, Tstg	−55 至 +150	C

需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

热特性

热特性对于晶体管的性能和寿命有着重要影响。这些晶体管的结 - 壳热阻（RJC）最大为 3.13 C/W。在设计散热系统时，我们需要根据这个参数来确保晶体管在工作过程中能够有效地散热，避免因过热而损坏。

电气特性

集电极 - 发射极击穿电压

在 (I{C}=50 mAdc)，(I{B}=0) 的条件下，不同型号的集电极 - 发射极击穿电压有所不同，BD676G、BD676AG 为 45V，BD678G、BD678AG 为 60V，BD680G、BD680AG 为 80V，BD682G、BD682TG 为 100V。

集电极截止电流（ICEO）

最大为 0.2 uAdc。

发射极截止电流

文档中未明确给出具体数值。

直流电流增益（hfe）

在 (I{C}=2.0 Adc)，(V{CE}=3.0 Vdc) 的条件下，BD676G、BD678G、BD680G、BD682G 的直流电流增益为 750。

基极 - 发射极导通电压（VBE(on)）

在 (I{C}=2.0 Adc)，(V{CE}=3.0 Vdc) 的条件下，BD676AG、BD678AG、BD680AG 的基极 - 发射极导通电压为 2.5Vdc。

产品的电气特性是在特定测试条件下给出的，如果实际工作条件不同，产品性能可能会有所差异。在进行脉冲测试时，脉冲宽度 ≤300 μs，占空比 ≤2.0 %。

安全工作区

晶体管的功率处理能力受到平均结温和二次击穿的限制。安全工作区曲线表明了 (I{C}-V{CE}) 的限制，为了保证可靠运行，晶体管的功耗不能超过曲线所示的值。在高壳温下，热限制会使晶体管能够处理的功率低于二次击穿所施加的限制。

订购信息

部分器件已经停产，如 BD676G、BD676AG、BD678G、BD678AG、BD680G、BD680AG 等。对于仍在供应的 BD682G，采用 TO - 225（无铅）封装，每盒 500 个；BD682TG 采用 TO - 225（无铅）封装，每轨 50 个。在进行新设计时，不建议使用已停产的器件，可联系 onsemi 代表获取相关信息。

机械封装尺寸

这些晶体管采用 TO - 225 封装，文档给出了详细的封装尺寸，包括各部分的最小和最大尺寸。如 A 尺寸范围为 2.40 - 3.00 毫米，A1 为 1.00 - 1.50 毫米等。在进行 PCB 设计时，我们需要根据这些尺寸来合理布局晶体管，确保其安装和连接的正确性。

总之，onsemi 的这些 PNP 达林顿晶体管在互补通用放大器应用中具有很多优势，但在使用过程中，我们需要充分了解其各项特性和参数，合理设计电路，以确保晶体管能够稳定、可靠地工作。大家在实际设计中有没有遇到过类似晶体管的使用问题呢？欢迎在评论区分享交流。