深入了解BD675A/677A/679A/681：适用于中功率应用的NPN外延硅晶体管

一、引言

在电子设计领域，选择合适的晶体管对于实现高效、稳定的电路至关重要。BD675A/677A/679A/681作为中功率达林顿晶体管，在中功率线性和开关应用中具有广泛的应用前景。本文将详细介绍这些晶体管的相关特性、参数以及使用注意事项，希望能为电子工程师在设计过程中提供有价值的参考。

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二、品牌与系统整合

Fairchild Semiconductor已成为ON Semiconductor的一部分。由于系统要求，部分Fairchild可订购的零件编号需要更改。具体来说，由于ON Semiconductor产品管理系统无法处理带有下划线（）的零件命名法，Fairchild零件编号中的下划线（）将改为破折号（-）。大家可以通过ON Semiconductor的网站（www.onsemi.com）来验证更新后的设备编号。如果对系统集成有任何疑问，可发送电子邮件至[e-mail]。

三、产品概述

BD675A/677A/679A/681是NPN外延硅晶体管，适用于中功率线性和开关应用，它们分别与BD676A、BD678A、BD680A和BD682互补。其引脚定义为：1. 发射极；2. 集电极；3. 基极。

四、绝对最大额定值

在设计电路时，了解晶体管的绝对最大额定值是非常重要的，以下是在(T_{C} = 25^{circ}C)（除非另有说明）条件下的参数：	Symbol	Parameter	Value	Units
(V_{CBO})	集电极 - 基极电压：BD675A	45	V
	：BD677A	60	V
	：BD679A	80	V
	：BD681	100	V
(V_{CEO})	集电极 - 发射极电压：BD675A	45	V
	：BD677A	60	V
	：BD679A	80	V
	：BD681	100	V
(V_{EBO})	发射极 - 基极电压	5	V
(I_{C})	集电极电流（直流）	4	A
(I_{CP})	*集电极电流（脉冲）	6	A
(I_{B})	基极电流	100	mA
(P_{C})	集电极耗散功率（(T_{C} = 25^{circ}C)）	40	W
(T_{J})	结温	150	(^{circ}C)
(T_{STG})	存储温度	- 65 ~ 150	(^{circ}C)

大家在实际应用中，一定要确保晶体管的工作条件不超过这些额定值，否则可能会导致晶体管损坏。

五、电气特性

在(T_{C}=25^{circ}C)（除非另有说明）条件下，这些晶体管的电气特性如下：

1. 集电极 - 发射极维持电压(V_{CEO(sus)})

不同型号的晶体管在特定测试条件下具有不同的集电极 - 发射极维持电压。例如，BD675A在(I{C} = 50mA)，(I{B} = 0)时，(V_{CEO(sus)})为45V；BD677A为60V；BD679A为80V；BD681为100V。

2. 集电极 - 基极电流(I_{CBO})

在不同的集电极 - 基极电压下，不同型号的晶体管集电极 - 基极电流有所不同。如BD675A在(V{CB} = 45V)，(I{E} = 0)时，(I{CBO})最大为200µA；BD677A在(V{CB} = 60V)，(I{E} = 0)时，(I{CBO})最大为200µA；BD679A在(V{CB} = 80V)，(I{E} = 0)时，(I_{CBO})最大为200µA。

3. 集电极截止电流(I_{CEO})

不同型号的晶体管在不同的集电极 - 发射极电压和基极 - 发射极电压下，集电极截止电流也不同。例如，BD675A在(V{CE} = 45V)，(V{BE} = 0)时，(I{CEO})最大为500µA；BD681在(V{CE} = 100V)，(V{BE} = 0)时，(I{CEO})最大为500µA。

4. 发射极截止电流(I_{EBO})

在(V{EB} = 5V)，(I{C} = 0)的条件下，发射极截止电流最大为2mA。

5. 直流电流增益(h_{FE})

BD675A/677A/679A在(V{CE} = 3V)，(I{C} = 2A)时，(h{FE})为750；BD681在(V{CE} = 3V)，(I{C} = 1.5A)时，(h{FE})为750。

6. 集电极 - 发射极饱和电压(V_{CE(sat)})

BD675A/677A/679A在(I{C} = 2A)，(I{B} = 40mA)时，(V{CE(sat)})最大为2.8V；BD681在(I{C} = 1.5A)，(I{B} = 30mA)时，(V{CE(sat)})最大为2.5V。

7. 基极 - 发射极导通电压(V_{BE(on)})

BD675A/677A/679A在(V{CE} = 3V)，(I{C} = 2A)时，(V{BE(on)})最大为2.5V；BD681在(V{CE} = 3V)，(I{C} = 1.5A)时，(V{BE(on)})最大为2.5V。

这些电气特性是我们设计电路时选择合适晶体管的重要依据，大家可以根据具体的电路要求来选择。

六、典型特性

文档中还给出了一些典型特性的图表，包括直流电流增益、集电极 - 发射极饱和电压、基极 - 发射极导通电压、安全工作区和功率降额等。这些图表可以帮助我们更直观地了解晶体管在不同条件下的性能表现。大家在实际设计中，可以结合这些图表来优化电路设计，确保晶体管在安全、高效的状态下工作。

七、封装尺寸

BD675A/677A/679A/681采用TO - 126封装，文档中给出了详细的封装尺寸（单位为毫米）。在进行电路板设计时，我们需要根据这些尺寸来合理布局晶体管，确保其与其他元件之间的间距和连接符合要求。

八、商标与免责声明

文档中列出了Fairchild Semiconductor拥有或被授权使用的一系列商标。同时，需要注意的是，无论是Fairchild Semiconductor还是ON Semiconductor都保留对产品进行更改的权利，并且不承担因产品应用或使用而产生的任何责任。产品不被设计、意图或授权用于生命支持系统、FDA Class 3医疗设备或类似分类的医疗设备以及人体植入设备。如果买方将产品用于非预期或未经授权的应用，买方需要承担相应的责任。

九、产品状态定义

文档还对产品状态进行了定义，不同的产品状态对应着不同的规格情况。例如，“Advance Information”表示产品处于设计阶段，规格可能会随时更改；“Preliminary”表示处于首次生产阶段，后续可能会有补充数据；“No Identification Needed”表示处于全面生产阶段，但仍可能会进行设计改进；“Obsolete”表示产品已停产，文档仅作参考。大家在选择产品时，要明确产品的状态，以便做出合适的决策。

十、获取信息途径

如果大家需要获取更多关于ON Semiconductor产品的信息，可以通过以下途径：

• 网站：www.onsemi.com
• 订购文献：http://www.onsemi.com/orderlit
• 联系当地销售代表

同时，还提供了不同地区的技术支持联系方式，方便大家在遇到问题时能够及时获得帮助。

总之，BD675A/677A/679A/681这些晶体管在中功率应用中具有一定的优势，但在使用过程中，我们需要充分了解其各项特性和参数，结合实际的电路需求进行合理设计，以确保电路的稳定性和可靠性。大家在实际应用中遇到任何问题，欢迎在评论区留言交流。