EPC9087开发板快速上手:开启EPC2037 eGaN FET评估之旅

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EPC9087开发板快速上手:开启EPC2037 eGaN FET评估之旅

在电子工程领域,高效的功率转换一直是追求的目标。EPC(Efficient Power Conversion)公司的EPC9087开发板为评估EPC2037 eGaN场效应晶体管(FET)提供了便捷的解决方案。今天,我们就来深入了解一下这款开发板。

文件下载:EPC9087.pdf

开发板概述

EPC9087开发板采用半桥配置,板载栅极驱动器,核心器件是EPC2037 eGaN FET。其尺寸为2英寸×1.5英寸,包含两个以半桥配置排列的EPC2037 eGaN FET,搭配德州仪器的LM5113栅极驱动器、电源和旁路电容。该开发板集成了所有关键组件和优化的布局,以实现最佳的开关性能,同时还设有多个探测点,方便进行波形测量和效率计算。

快速启动步骤

连接电源和信号

在电源关闭的状态下,依次进行以下连接:

  1. 将输入电源总线连接到+VIN(J5、J6),接地端连接到–VIN(J7、J8)。
  2. 根据需要,将半桥的开关节点(SW)OUT(J3、J4)连接到您的电路(半桥配置)。
  3. 将栅极驱动输入电源连接到+VDD(J1),接地端连接到–VDD(J1)。
  4. 将输入PWM控制信号连接到PWM(J2),接地端连接到J2。

开启电源和信号源

  1. 开启栅极驱动电源,确保电源电压在7.5V至12V的范围内。
  2. 开启控制器/PWM输入源。
  3. 从0V开始开启总线电压,并缓慢增加到所需值(不要超过绝对最大电压),探测开关节点以观察开关操作。

运行和调整

一旦开发板开始运行,您可以在工作范围内调整PWM控制、总线电压和负载,观察输出开关行为、效率和其他参数。关闭开发板时,请按照上述步骤的相反顺序进行操作。

性能参数

符号 参数 条件 最小值 最大值 单位
VDD 栅极驱动输入电源范围 7 12 V
VIN 总线输入电压范围 80 V
IOUT 开关节点输出电流* 1* A
VPWM PWM逻辑输入电压阈值
(输入‘高’、输入‘低’)
3.5、0 6、1.5 V
最小‘高’状态输入脉冲宽度 VPWM上升和下降时间 < 10 ns 25 ns

*注:最大电流取决于管芯温度,实际最大电流受开关频率、总线电压和散热条件的影响。

热考虑因素

EPC9087开发板主要用于在低环境温度和对流冷却条件下进行台架评估。添加散热片和强制风冷可以显著提高这些器件的电流额定值,但要注意不要超过管芯的绝对最大温度150°C。需要注意的是,EPC9087开发板没有板载电流或热保护。

物料清单(BOM)

开发板的物料清单详细列出了各个组件的信息,包括电容、电阻、二极管、FET、集成电路等。例如,电容有不同的容值、精度和耐压值;电阻的阻值和功率也各有不同。具体的物料清单如下: 项目 数量 参考 部件描述 制造商 部件编号
1 1 C21 电容,1 µF,±10%,100 V,X7S TDK CGA4J3X7S2A105K125AE
2 3 C4, C10, C11 电容,1 µF,±10%,25V,X5R Murata GRM188R61E105KA12D
3 2 C9, C19 电容,100 nF,±10%,25V,X5R TDK C1005X5R1E104K050BC
4 2 C16, C17 电容,100 pF,±5%,50V,NP0 Murata GRM1555C1H101JA01D
5 1 R1 电阻,10.0 kΩ,±1%,1/8 W Stackpole RMCF0603FT10K0
6 1 R5 电阻,47 Ω,±1%,1/8 W Stackpole RMCF0603FT47R0
7 1 R4 电阻,33.0 Ω,±1%,1/8 W Stackpole RMCF0603FT33R0
8 2 R2, R15 电阻,0 Ω,1/8 W,跳线 Panasonic ERJ-3GEY0R00V
9 4 R19, R20, R23, R24 电阻,1 Ω,1/16 W,跳线 Stackpole RMCF0402FT1R00
10 2 Q1, Q2 eGaN® FET,100V,1.7A,550 mΩ EPC EPC2037
11 2 D1, D2 肖特基二极管,30 V,370 mV @ 1 mA,30 ma Diodes Inc SDM03U40-7
12 1 U3 5 V LDO,250 ma,最高16 V输入,Vdropout = 0.33V @ 250 mA Microchip MCP1703T-5002E/MC
13 1 U2 栅极驱动器,5.2 VDC,1.2 A Texas Instruments LM5113TME/NOPB
14 1 U1 集成电路,逻辑2与非门,1.65 V至5.5 V Fairchild NC7SZ00L6X
15 1 U4 2输入与非门,微型逻辑 Fairchild NC7SZ08L6X
16 2 TP1, TP2 测试点,超小型 Keystone 5015
17 0.19 TP3, J1, J2, J9 连接器,垂直公头,36针,0.230"接触高度,0.1"中心间距 FCI 68001-236HLF
18 1 J3, J4, J5, J6, J7, J8 连接器,24针公头,0.1"间距 FCI 68602-224HLF

注意事项

在测量高频开关节点时,要特别注意提供准确的高速测量。开关节点测量点位于EPC9087开发板的顶部和底部。如果可能的话,建议将测量点安装在开发板的背面,以防止污染顶部组件。关于测量技术的更多信息,请查看应用笔记AN023:Accurately Measuring High Speed GaN Transistors。

此外,EPC9087开发板仅用于产品评估目的,不适合商业使用。更换评估板上的组件时,只能使用快速启动指南中零件清单(或物料清单)中显示的零件。该板应由经过认证的专业人员在实验室环境中按照适当的安全程序使用,使用时需自行承担风险。同时,该开发板可能不符合欧盟电磁兼容性指令或其他相关指令和法规,也不能保证100%符合RoHS标准。

总的来说,EPC9087开发板为电子工程师提供了一个便捷的平台,用于评估EPC2037 eGaN FET的性能。通过遵循快速启动步骤和注意事项,您可以顺利开展评估工作,为后续的设计和开发提供有力的支持。大家在使用过程中有没有遇到什么问题呢?欢迎在评论区分享交流。

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