A4950全桥DMOS PWM电机驱动器:特性、功能与应用详解

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A4950全桥DMOS PWM电机驱动器:特性、功能与应用详解

在电子工程师的日常工作中,电机驱动是一个常见且关键的领域。今天我们要深入探讨的是Allegro MicroSystems推出的A4950全桥DMOS PWM电机驱动器,它在电机控制方面有着出色的表现。

文件下载:APEK4950ELJ-01-T-DK.pdf

一、特性与优势

1. 低导通电阻输出

A4950具有低 (R_{DS (on) }) 输出,这意味着在电机驱动过程中,能够有效降低功率损耗,提高能源效率。

2. 全面的过流保护

它具备多种过流保护功能,包括电机短路保护、电机引线对地短路保护以及电机引线对电池短路保护。这些保护机制能够确保在异常情况下,驱动器和电机不受损坏。

3. 低功耗待机模式

当两个输入引脚(INx)同时低电平持续超过1ms时,驱动器进入低功耗待机模式,此时大部分内部电路,如电荷泵和调节器都会被禁用,从而降低功耗。

4. 可调PWM电流限制

通过选择合适的 (R_{S}) 和VREF引脚的电压,可以设置电流限制的最大值,实现对电机电流的精确控制。

5. 同步整流

在PWM关断周期,负载电流会进行再循环。A4950的同步整流功能会在电流衰减期间开启合适的DMOSFET,用低 (R_{DS (on) }) 驱动器有效短接体二极管,显著降低功率损耗。

6. 内部欠压锁定(UVLO)

当 (V_{BB}) 电压低于UVLO阈值时,输出驱动器会被禁止开启,防止因电压不足而损坏驱动器。

7. 交叉电流保护

在桥路从快速衰减模式切换到慢速衰减模式时,驱动器会强制关闭一段时间(交叉延迟 (t_{COD}) ),防止桥路出现直通现象。

8. 温度等级多样

有商业温度等级(A4950E:–40°C 至 85°C)和汽车温度等级(A4950K:–40°C 至 125°C)可供选择,满足不同应用场景的需求。其中A4950K还通过了AEC - Q100 Grade 1认证。

二、产品概述

A4950专为直流电机的脉冲宽度调制(PWM)控制而设计,能够提供高达 ±3.5 A的峰值输出电流,工作电压可达40 V。它通过外部施加的PWM控制信号来控制直流电机的速度和方向,内部同步整流控制电路可降低PWM运行期间的功耗。同时,内部电路保护涵盖了过流保护、电机引线对地或电源短路保护、带滞后的热关断、 (V_{BB}) 欠压监测以及交叉电流保护等。

三、技术参数

1. 绝对最大额定值

特性 符号 注释 额定值 单位
负载电源电压 (V_{BB}) 40 V
逻辑输入电压范围 (V_{IN}) –0.3 至 6 V
(V_{REF}) 输入电压范围 (V_{REF}) –0.3 至 6 V
感测电压(LSS引脚) (V_{S}) –0.5 至 0.5 V
电机输出电压 (V_{OUT}) –2 至 42 V
输出电流 (I_{OUT}) 占空比 = 100% 3.5 A
瞬态输出电流 (i_{OUT}) (T_{W}) < 500 ns 6 A
工作温度范围 (T_{A}) 温度范围E –40 至 85 °C
温度范围K –40 至 125 °C
最大结温 (T_{J (max)}) 150 °C
存储温度范围 (T_{stg}) –55 至 150 °C

2. 热特性

在不同的PCB条件下,A4950的热阻有所不同。在2层PCB(每侧有0.8 (in^2) 暴露的2盎司铜)上,热阻 (R_{θJA}) 为62 ºC/W;基于JEDEC标准的4层PCB上,热阻为35 ºC/W。

3. 电气特性

在不同温度和电压条件下,A4950的各项电气参数也有所差异。例如,在 (T{J}=25^{circ} C) (温度范围E版本)和 (T{J}=-40^{circ} C) 至 150°C(温度范围K版本), (V{BB}=8) 至 40 V时,负载电源电压范围为8 - 40 V, (R{DS(on)}) 在不同电流和温度条件下也有不同的值。

四、功能描述

1. 设备操作

A4950通过内部固定关断时间的脉冲宽度调制(PWM)控制电路来调节输出全桥中的电流。IN1和IN2输入允许通过两根线对桥路进行控制,输出驱动器均为低 (R_{DS (on) }) 的N沟道DMOS驱动器,具备内部同步整流功能以降低功耗。

2. 待机模式

当两个输入引脚(INx)同时低电平持续超过1ms时,驱动器进入低功耗待机模式。从待机模式恢复时,在向设备发出任何PWM命令之前,应允许电荷泵达到其调节电压(最大延迟30 µs)。

3. 内部PWM电流控制

初始时,一对对角的源极和漏极FET输出被启用,电流通过电机绕组和可选的外部电流感测电阻 (R{S}) 。当 (R{S}) 两端的电压等于比较器的触发值时,电流感测比较器会重置PWM锁存器,从而关闭源极和漏极FET(混合衰减模式)。电流限制的最大值由 (R{S}) 和VREF引脚的电压决定,计算公式为 (I{TripMAX }=frac{V{REF}}{10 × R{S}}) 。

4. 过流保护

电流监测器可保护IC免受输出短路造成的损坏。如果检测到短路,IC会锁定故障并禁用输出。故障锁存只能通过退出低功耗待机模式或对 (V_{BB}) 进行电源循环来清除。

5. 热关断

当芯片温度升高到约160°C时,全桥输出将被禁用,直到内部温度降至滞后温度 (T_{TSDhys }) (15°C)以下。

6. 制动

制动功能通过在慢速衰减模式下驱动设备来实现,即对两个输入施加逻辑高电平。这种配置可以有效地短路电机产生的反电动势(BEMF),但在高速和高惯性负载等最坏情况下,要注意确保不超过设备的最大额定值。

7. 同步整流

在PWM关断周期,负载电流再循环时,A4950的同步整流功能会开启合适的DMOSFET,用低 (R_{DS (on) }) 驱动器短接体二极管,降低功率损耗。当检测到零电流水平时,同步整流会关闭,防止负载电流反向。

8. 混合衰减操作

桥路在混合衰减模式下工作。当达到触发点时,设备在固定关断时间的50%内进入快速衰减模式,之后切换到慢速衰减模式。在从快速衰减到慢速衰减的过渡期间,驱动器会强制关闭一段时间(交叉延迟 (t_{COD}) ),以防止桥路出现直通现象。

五、应用信息

1. 感测引脚(LSS)

为了使用PWM电流控制,需要在LSS引脚和地之间放置一个低值电阻用于电流感测。为了最小化感测输出电流水平时的接地走线IR降,电流感测电阻应具有独立的接地返回至星型接地点,且走线应尽可能短。同时,在选择感测电阻的值时,要确保在最大负载下LSS引脚的电压不超过 ±500 mV。

2. 接地

星型接地点应尽可能靠近A4950。设备暴露的散热垫正下方的铜接地平面是一个很好的星型接地点,散热垫可为此目的连接到地。

3. 布局

PCB应具有厚的接地平面。为了获得最佳的电气和热性能,A4950必须直接焊接到电路板上。其封装底部的暴露散热垫可提供增强的散热路径,必须直接焊接到PCB的暴露表面以实现最佳的热传导。此外,还可以使用热过孔将热量传递到PCB的其他层。负载电源引脚 (V_{BB}) 应使用一个电解电容(通常为100 μF)与一个较低值的陶瓷电容并联进行去耦,且电容应尽可能靠近设备放置。

4. 物料清单

项目 参考 单位 描述
1 (R_{S}) 0.25(对于 (V{REF}= 5 V) , (I{OUT}= 2 A) ) Ω 2512,1 W,1% 或更好,碳膜芯片电阻
2 (C_{1}) 0.22 µF X5R 最小,50 V 或更高
3 (C_{2}) 100 µF 电解电容,50 V 或更高

六、总结

A4950全桥DMOS PWM电机驱动器凭借其丰富的特性和出色的性能,为直流电机控制提供了一个可靠的解决方案。无论是在商业应用还是汽车应用中,它都能满足不同的需求。电子工程师在设计电机驱动电路时,可以根据具体的应用场景和需求,合理选择A4950,并按照其应用信息进行布局和设计,以充分发挥其优势。你在使用类似电机驱动器时遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享。

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