Onsemi达林顿功率晶体管MJD44E3和NJVMJD44E3T4G的特性与应用

在电子电路设计领域，功率晶体管是不可或缺的关键元件，尤其是在需要处理高功率和高电流的应用中。Onsemi推出的MJD44E3和NJVMJD44E3T4G达林顿功率晶体管，专为通用功率和开关输出或驱动级设计，适用于开关稳压器、转换器和功率放大器等应用。接下来，让我们深入了解这两款晶体管的特性和参数。

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产品特性

电气特性优越

这两款晶体管与流行的D44E3设备在电气性能上相似，具有高直流增益和低饱和电压的特点。其直流增益最低可达1000（在5.0 Adc时），这意味着在相同的输入电流下，能够输出更大的电流，提高了电路的效率。而饱和电压低至1.5 V（在5.0 Adc时），可以减少功率损耗，降低发热，提高系统的稳定性。

兼容性良好

它们与现有的自动拾放设备兼容，这对于大规模生产来说非常重要，可以提高生产效率，降低生产成本。同时，其环氧树脂符合UL 94 V - 0标准（在0.125英寸厚度下），具有良好的阻燃性能，保障了产品的安全性。

ESD防护能力强

在静电放电（ESD）防护方面表现出色，人体模型的ESD评级大于8000 V，机器模型大于400 V，能够有效防止静电对晶体管的损坏，提高产品的可靠性。

汽车级应用支持

NJVMJD44E3T4G带有NJV前缀，适用于汽车和其他对场地和控制变更有特殊要求的应用。它通过了AEC - Q101认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力，满足汽车行业的严格标准。

环保设计

这两款产品采用无铅封装，符合环保要求，响应了全球对电子产品环保的趋势。

最大额定值

额定参数	符号	最大值	单位
集电极 - 发射极电压	VCEO	80	Vdc
发射极 - 基极电压	VEB	7	Vdc
集电极连续电流	IC	10	Adc
总功率耗散（@ TC = 25 °C，25 °C以上降额）	PD	20（0.16 W/°C）	W
总功率耗散（@ TA = 25 °C，25 °C以上降额）	PD	1.75（0.014 W/°C）	W
工作和存储结温范围	TJ, Tstg	-55 至 +150	°C

需要注意的是，超过最大额定值的应力可能会损坏设备，并且在推荐工作条件以上的功能操作并不被保证。长时间暴露在推荐工作条件以上的应力下可能会影响设备的可靠性。

热特性

特性	符号	最大值	单位
结到外壳的热阻	Reuc	6.25	°C/W
结到环境的热阻（注2）	RUA	71.4	°C/W
焊接时的引脚温度	TL	260	°C

注2表明，这些热特性的额定值适用于在推荐的最小焊盘尺寸上进行表面贴装的情况。

电气特性

关断特性

• 集电极截止电流（VCE = 额定VCEO，VBE = 0）ICES最大值为10 μA。
• 发射极截止电流（VEB = 7 Vdc）IEBO最大值为1 μA。

导通特性

• 集电极 - 发射极饱和电压（IC = 5 Adc，IB = 10 mAdc）时为1.5 Vdc；（IC = 10 Adc，IB = 20 mAdc）时为2 Vdc。
• 基极 - 发射极饱和电压（IC = 5 Adc，IB = 10 mAdc）最大值为2.5 Vdc。
• 直流电流增益（VCE = 5 Vdc，IC = 5 Adc）最低为1000。

动态特性

• 集电极电容Ccb（VCB = 10 Vdc，ftest = 1 MHz）为130 pF。
• 开关时间方面，延迟和上升时间（IC = 10 Adc，IB1 = 20 mAdc）为0.6 μs；存储时间（IC = 10 Adc，IB1 = IB2 = 20 mAdc）为2 μs；下降时间（IC = 10 Adc，IB1 = IB2 = 20 mAdc）为0.5 μs。

机械尺寸和封装

该晶体管采用DPAK封装，尺寸为6.10x6.54x2.28（2.29P），详细的尺寸信息如下表所示：	尺寸	最小值	标称值	最大值
		2.28	2.38
	0.00		0.13
	0.63	0.76
b2			1.14
	0.46	0.54	0.61
c2		0.54
D		6.10	6.22
	6.35
e	2.29 BSC
		9.91
L	1.40		1.78
L1
L2	0.51 BSC
L3			1.27
L4			1.01
Z

此外，文档还提供了不同引脚定义的多种样式，如STYLE 1 - STYLE 10，方便工程师根据具体应用进行选择。

订购信息

设备	封装	包装方式
MJD44E3T4G	DPAK（无铅）	2,500 / 带盘
NJVMJD44E3T4G	DPAK（无铅）	2,500 / 带盘

对于带盘规格的详细信息，可参考Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D。关于无铅策略和焊接细节，可下载onsemi Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D获取更多信息。

在实际设计中，工程师需要根据具体的应用场景，综合考虑这些特性和参数，确保所选的晶体管能够满足电路的性能要求。你在使用Onsemi的晶体管时，有没有遇到过什么特别的问题呢？欢迎在评论区分享你的经验。