Onsemi高电流互补硅功率晶体管:MJ11028、MJ11030、MJ11032(NPN)与MJ11029、MJ11033(PNP)

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Onsemi高电流互补硅功率晶体管:MJ11028、MJ11030、MJ11032(NPN)与MJ11029、MJ11033(PNP)

在电子电路设计中,功率晶体管是至关重要的元件,特别是在互补通用放大器应用中,高电流互补硅功率晶体管更是发挥着关键作用。今天我们就来详细了解一下Onsemi公司的MJ11028、MJ11030、MJ11032(NPN)和MJ11029、MJ11033(PNP)这几款高电流互补硅功率晶体管。

文件下载:MJ11028-D (1).PDF

一、产品概述

这些晶体管主要用于互补通用放大器应用中的输出设备。它们具有高直流电流增益、曲线可到100A(脉冲)、二极管保护至额定 $I_{C}$ 、单片结构内置基极 - 发射极分流电阻、结温可达 +200°C 等特点,并且还有无铅封装可供选择。

二、产品特性

(一)高直流电流增益

在不同的集电极电流下,晶体管具有不同的最小直流电流增益。当 $I{C}=25A{dc}$ 时,$h{FE}=1000$(最小值);当 $I{C}=50A{dc}$ 时,$h{FE}=400$(最小值)。这种高电流增益特性使得晶体管在高电流应用中能够提供稳定的放大性能。

(二)脉冲特性

曲线可到100A(脉冲),这表明晶体管在脉冲信号下能够承受较高的电流,适用于需要处理脉冲信号的电路设计。

(三)保护特性

具有二极管保护至额定 $I_{C}$ ,能够有效防止晶体管因过流而损坏,提高了晶体管的可靠性和稳定性。

(四)结构特点

采用单片结构并内置基极 - 发射极分流电阻,这种设计简化了电路设计,同时也提高了晶体管的性能。

(五)温度特性

结温可达 +200°C,能够在较高的温度环境下正常工作,扩大了晶体管的使用范围。

(六)环保特性

提供无铅封装,符合环保要求。

三、最大额定值

参数 型号 符号 数值 单位
集电极 - 发射极电压 MJ11030 MJ11032/33、MJ11028/29 $V_{CEO}$ 60、90、120 $V_{dc}$
集电极 - 基极电压 MJ11030 MJ11032/33、MJ11028/29 $V_{CBO}$ 60、90、120 $V_{dc}$
发射极 - 基极电压 - - - $V_{dc}$
集电极电流 - $I_{C}$ 100 $A_{dc}$
基极电流 - $I_{B}$ - $A_{dc}$
$25^{circ}C$ 以上降额($T_{C}=100^{circ}C$) - $P_{D}$ 300、1.71 $W/^{circ}C$
温度范围 - - -55 至 +200 $^{circ}C$

使用时需要注意,超过最大额定值可能会损坏设备,影响设备的功能和可靠性。

四、热特性

(一)最大引线温度

用于焊接目的,10 秒内的最大引线温度为 275°C。

(二)热阻

结到外壳的热阻 $R_{JC}$ 为 0.58 $^{circ}C/W$ 。

五、电气特性

(一)关断特性

  1. 集电极 - 发射极击穿电压:在不同型号下,当 $I{C}=100mA{dc}$ ,$I{B}=0$ 时,$V{(BR)CEO}$ 分别为 60、90、120 $V_{dc}$ 。
  2. 集电极 - 发射极泄漏电流:在不同的集电极 - 发射极电压和温度条件下,泄漏电流有所不同。
  3. 发射极截止电流:当 $V{BE}=5V{dc}$ ,$I{C}=0$ 时,$I{EBO}$ 最大为 5 $mA_{dc}$ 。

(二)导通特性

  1. 直流电流增益:当 $I{C}=25A{dc}$ ,$V{CE}=5V{dc}$ 时,$h{FE}$ 最小为 400;当 $I{C}=50A{dc}$ ,$V{CE}=5V{dc}$ 时,$h{FE}$ 最小也为 400。
  2. 集电极 - 发射极饱和电压:当 $I{C}=25A{dc}$ ,$I{B}=250mA{dc}$ 时,$V{CE(sat)}$ 最大为 2.5 $V{dc}$ ;当 $I{C}=50A{dc}$ ,$I{B}=300mA{dc}$ 时,$V{BE(sat)}$ 最大为 3.0 - 4.5 $V{dc}$ 。

六、订购信息

(一)现有产品

设备型号 封装 包装方式
MJ11028G TO - 204(无铅) 100 个/托盘
MJ11032G TO - 204(无铅) 100 个/托盘
MJ11033G TO - 204(无铅) 100 个/托盘

(二)已停产产品

设备型号 封装 包装方式
MJ11028 TO - 204 100 个/托盘
MJ11029 TO - 204 100 个/托盘
MJ11029G TO - 204(无铅) 100 个/托盘
MJ11030 TO - 204 100 个/托盘
MJ11030G TO - 204(无铅) 100 个/托盘
MJ11032 TO - 204(无铅) 100 个/托盘
MJ11033 TO - 204 100 个/托盘

七、安全工作区

晶体管的功率处理能力受到平均结温和二次击穿两个因素的限制。安全工作区曲线表明了晶体管的 $I{C}-V{CE}$ 限制,为了可靠运行,晶体管的功耗不能超过曲线所示的值。图 2 的数据基于 $T{J(pk)}=200^{circ}C$ ,$T{C}$ 根据条件而变化。在高外壳温度下,热限制会使可处理的功率低于二次击穿所施加的限制。

八、机械尺寸

TO - 204(TO - 3)封装的机械尺寸详细信息如下: 尺寸 英寸(最小值 - 最大值) 毫米(最小值 - 最大值)
A 1.530 REF 38.86 REF
B 0.990 - 1.050 25.15 - 26.67
C 0.250 - 0.335 6.35 - 8.51
D 0.057 - 0.063 1.45 - 1.60
E 0.060 - 0.070 1.53 - 1.77
G 0.430 BSC 10.92 BSC
H 0.215 BSC 5.46 BSC
K 0.440 - 0.480 11.18 - 12.19
L 0.665 BSC 16.89 BSC
N 0.760 - 0.830 19.31 - 21.08
Q 0.151 - 0.165 3.84 - 4.19
U 1.187 BSC 30.15 BSC
V 0.131 - 0.188 3.33 - 4.77

在进行电路设计时,我们需要综合考虑这些参数和特性,以确保晶体管能够在合适的条件下正常工作。同时,也要注意产品的订购信息和停产情况,避免使用已停产的产品。大家在实际应用中有没有遇到过类似晶体管的使用问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。

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