电子说
在电子设计领域,合适的晶体管对于实现高效的电路性能至关重要。今天,我们来深入了解 onsemi 推出的 BDX53B、BDX53C(NPN)以及 BDX54B、BDX54C(PNP)塑料中功率互补硅晶体管,它们在通用放大器和低速开关应用中表现出色。
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这些晶体管具有高直流电流增益,典型值 (h{FE}=2500)(在 (I{C}=4.0 Adc) 时)。高电流增益意味着在相同的输入电流下,能够获得更大的输出电流,这对于放大器电路来说,可以提高放大倍数,增强信号的处理能力。
在 (100 mAdc) 时,BDX53B 和 BDX54B 的 (V{CEO(sus)} = 80 Vdc)(最小值),BDX53C 和 BDX54C 的 (V{CEO(sus)} = 100 Vdc)(最小值)。这一特性使得晶体管能够在较高的电压下稳定工作,适应不同的电源电压环境。
当 (I{C}=3.0 Adc) 时,(V{CE(sat)} = 2.0 Vdc)(最大值);当 (I{C}=5.0 Adc) 时,(V{CE(sat)} = 4.0 Vdc)(最大值)。低饱和电压可以减少晶体管在导通状态下的功率损耗,提高电路的效率。
这种结构有助于提高晶体管的稳定性和可靠性,减少外部元件的使用,简化电路设计。
这些器件是无铅的,并且符合 RoHS 标准,满足环保要求,同时也符合现代电子产品对绿色环保的趋势。
| 参数 | 符号 | BDX53B、BDX54B 值 | BDX53C、BDX54C 值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 集电极 - 发射极电压 | (V_{CEO}) | 80 | 100 | Vdc |
| 集电极 - 基极电压 | (V_{CB}) | 80 | 100 | Vdc |
| 发射极 - 基极电压 | (V_{EB}) | 5.0 | - | Vdc |
| 集电极电流(连续/峰值) | (I_{C}) | 8.0/12 | - | Adc |
| 基极电流 | (I_{B}) | 0.2 | - | Adc |
| 总器件功耗((T_{C} = 25 °C)) | (P_{D}) | 65 | - | W |
| 总器件功耗((T_{C}) 高于 25 °C 时的降额系数) | - | 0.48 | - | W/°C |
| 工作和存储结温范围 | (T{J})、(T{stg}) | -65 至 +150 | - | °C |
需要注意的是,超过最大额定值可能会损坏器件,影响其功能和可靠性。
| 特性 | 符号 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到环境的热阻 | (R_{UA}) | 70 | °C/W |
| 结到外壳的热阻 | (R_{UC}) | 1.92 | °C/W |
热特性对于晶体管的性能和寿命至关重要。较低的热阻意味着能够更有效地散热,避免晶体管因过热而损坏。
产品的电气特性是在特定测试条件下给出的,如果工作条件不同,实际性能可能会有所差异。
晶体管的功率处理能力受到平均结温和二次击穿的限制。安全工作区曲线表明了晶体管的 (I{C}-V{CE}) 限制,为了可靠运行,必须遵守这些限制。数据基于 (T{J(pk)} = 150^{circ}C),(T{C}) 会根据条件变化。二次击穿脉冲限制在占空比为 10% 且 (T_{J(pk)} < 150^{circ}C) 时有效。在高外壳温度下,热限制会使可处理的功率低于二次击穿所施加的限制。
| 器件 | 封装 | 包装数量 |
|---|---|---|
| BDX53BG | TO - 220(无铅) | 50 个/导轨 |
| BDX53CG | TO - 220(无铅) | 50 个/导轨 |
| BDX54BG(已停产) | TO - 220(无铅) | 50 个/导轨 |
| BDX54CG(已停产) | TO - 220(无铅) | 50 个/导轨 |
已停产的器件不建议用于新设计,如需了解相关信息,请联系 onsemi 代表。
onsemi 的 BDX53B、BDX53C、BDX54B 和 BDX54C 晶体管以其高电流增益、低饱和电压等特性,为通用放大器和低速开关应用提供了可靠的解决方案。在设计电路时,工程师需要充分考虑其最大额定值、热特性和电气特性,以确保晶体管在安全工作区内运行,从而实现电路的高效稳定性能。你在使用这些晶体管的过程中遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享你的经验。
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