认识 onsemi 的 BDX53B/C 和 BDX54B/C 晶体管

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认识 onsemi 的 BDX53B/C 和 BDX54B/C 晶体管

在电子设计领域,合适的晶体管对于实现高效的电路性能至关重要。今天,我们来深入了解 onsemi 推出的 BDX53B、BDX53C(NPN)以及 BDX54B、BDX54C(PNP)塑料中功率互补硅晶体管,它们在通用放大器和低速开关应用中表现出色。

文件下载:BDX53B-D.PDF

产品特性

高直流电流增益

这些晶体管具有高直流电流增益,典型值 (h{FE}=2500)(在 (I{C}=4.0 Adc) 时)。高电流增益意味着在相同的输入电流下,能够获得更大的输出电流,这对于放大器电路来说,可以提高放大倍数,增强信号的处理能力。

发射极维持电压

在 (100 mAdc) 时,BDX53B 和 BDX54B 的 (V{CEO(sus)} = 80 Vdc)(最小值),BDX53C 和 BDX54C 的 (V{CEO(sus)} = 100 Vdc)(最小值)。这一特性使得晶体管能够在较高的电压下稳定工作,适应不同的电源电压环境。

低集电极 - 发射极饱和电压

当 (I{C}=3.0 Adc) 时,(V{CE(sat)} = 2.0 Vdc)(最大值);当 (I{C}=5.0 Adc) 时,(V{CE(sat)} = 4.0 Vdc)(最大值)。低饱和电压可以减少晶体管在导通状态下的功率损耗,提高电路的效率。

内置基极 - 发射极分流电阻的单片结构

这种结构有助于提高晶体管的稳定性和可靠性,减少外部元件的使用,简化电路设计。

环保特性

这些器件是无铅的,并且符合 RoHS 标准,满足环保要求,同时也符合现代电子产品对绿色环保的趋势。

最大额定值

参数 符号 BDX53B、BDX54B 值 BDX53C、BDX54C 值 单位
集电极 - 发射极电压 (V_{CEO}) 80 100 Vdc
集电极 - 基极电压 (V_{CB}) 80 100 Vdc
发射极 - 基极电压 (V_{EB}) 5.0 - Vdc
集电极电流(连续/峰值) (I_{C}) 8.0/12 - Adc
基极电流 (I_{B}) 0.2 - Adc
总器件功耗((T_{C} = 25 °C)) (P_{D}) 65 - W
总器件功耗((T_{C}) 高于 25 °C 时的降额系数) - 0.48 - W/°C
工作和存储结温范围 (T{J})、(T{stg}) -65 至 +150 - °C

需要注意的是,超过最大额定值可能会损坏器件,影响其功能和可靠性。

热特性

特性 符号 最大值 单位
结到环境的热阻 (R_{UA}) 70 °C/W
结到外壳的热阻 (R_{UC}) 1.92 °C/W

热特性对于晶体管的性能和寿命至关重要。较低的热阻意味着能够更有效地散热,避免晶体管因过热而损坏。

电气特性

截止特性

  • 集电极 - 发射极维持电压:在 (I{C} = 100 mAdc),(I{B} = 0) 时,BDX53B、BDX54B 的 (V_{CEO(sus)}) 最小值为 80 Vdc,BDX53C、BDX54C 的最小值为 100 Vdc。
  • 集电极截止电流:在不同的 (V{CE}) 和 (V{CB}) 条件下,BDX53B、BDX54B 和 BDX53C、BDX54C 的集电极截止电流都有相应的最大值限制。

导通特性

  • 直流电流增益:在 (I{C} = 3.0 Adc),(V{CE} = 3.0 Vdc) 时,(h_{FE}) 最小值为 750。
  • 集电极 - 发射极饱和电压:在 (I{C} = 3.0 Adc),(I{B} = 12 mAdc) 时,(V_{CE(sat)}) 有相应的最大值。
  • 基极 - 发射极饱和电压:在 (I{C} = 3.0 Adc),(I{C} = 12 mA) 时,(V_{BE(sat)}) 最大值为 2.5 Vdc。

动态特性

  • 小信号电流增益:在 (I{C} = 3.0 Adc),(V{CE} = 4.0 Vdc),(f = 1.0 MHz) 时,(h_{fe}) 最小值为 4.0。
  • 输出电容:BDX53B、53C 和 BDX54B、54C 在不同条件下有不同的输出电容值。

产品的电气特性是在特定测试条件下给出的,如果工作条件不同,实际性能可能会有所差异。

安全工作区

晶体管的功率处理能力受到平均结温和二次击穿的限制。安全工作区曲线表明了晶体管的 (I{C}-V{CE}) 限制,为了可靠运行,必须遵守这些限制。数据基于 (T{J(pk)} = 150^{circ}C),(T{C}) 会根据条件变化。二次击穿脉冲限制在占空比为 10% 且 (T_{J(pk)} < 150^{circ}C) 时有效。在高外壳温度下,热限制会使可处理的功率低于二次击穿所施加的限制。

订购信息

器件 封装 包装数量
BDX53BG TO - 220(无铅) 50 个/导轨
BDX53CG TO - 220(无铅) 50 个/导轨
BDX54BG(已停产) TO - 220(无铅) 50 个/导轨
BDX54CG(已停产) TO - 220(无铅) 50 个/导轨

已停产的器件不建议用于新设计,如需了解相关信息,请联系 onsemi 代表。

总结

onsemi 的 BDX53B、BDX53C、BDX54B 和 BDX54C 晶体管以其高电流增益、低饱和电压等特性,为通用放大器和低速开关应用提供了可靠的解决方案。在设计电路时,工程师需要充分考虑其最大额定值、热特性和电气特性,以确保晶体管在安全工作区内运行,从而实现电路的高效稳定性能。你在使用这些晶体管的过程中遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享你的经验。

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