电子说
Fairchild Semiconductor已被整合进ON Semiconductor。由于ON Semiconductor产品管理系统无法处理带有下划线(_)的部件命名,Fairchild部件编号中的下划线将改为破折号(-)。大家可以通过ON Semiconductor官网(www.onsemi.com)来核实更新后的设备编号,获取最新的订购信息。若对系统集成有疑问,可发邮件至Fairchild_questions@onsemi.com。
文件下载:KSD560-D.pdf
KSD560是一款低频功率放大器,适用于低速开关工业用途,可作为KSB601的补充。它是NPN外延硅达林顿晶体管,引脚分别为基极(Base)、集电极(Collector)和发射极(Emitter)。
| 在环境温度 (T_{C}=25^{circ} C) (特殊说明除外)的条件下,KSD560有一系列的绝对最大额定值参数: | Symbol | Parameter | Value | Units |
|---|---|---|---|---|
| V CBO | Collector-Base Voltage | 150 | V | |
| V CEO | Collector-Emitter Voltage | 100 | V | |
| V EBO | Emitter-Base Voltage | 7 | V | |
| I C | Collector Current (DC) | 5 | A | |
| I CP | *Collector Current (Pulse) | 8 | A | |
| I B | Base Current | 0.5 | A | |
| P C | Collector Dissipation (T a =25 ° C) | 1.5 | W | |
| P C | Collector Dissipation (T C =25 ° C) | 30 | W | |
| T J | Junction Temperature | 150 | ° C | |
| T STG | Storage Temperature | - 55 ~ 150 | ° C |
这里的脉冲电流 (I_{CP}) 要求脉冲宽度 (PW≤10ms),占空比 (Duty Cycle≤50%)。大家在设计电路时,一定要确保这些参数不被超过,否则可能会影响器件的性能甚至导致损坏,你在实际应用中有没有遇到过因为参数超过额定值而出现问题的情况呢?
| 同样在 (T_{C}=25^{circ} C) (特殊说明除外)的条件下,KSD560的电气特性参数如下: | Symbol | Parameter | Test Condition | Min. | Typ. | Max. | Units |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| I CBO | Collector Cut-off Current | V CB = 100V, I E = 0 | 1 | µ A | |||
| h FE1 h FE2 | *DC Current Gain | V CE = 2V, I C = 3A V CE = 2V, I C = 5A | 2K 500 | 6K | 15K | ||
| V CE (sat) | *Collector-Emitter Saturation Voltage | I C = 3A, I B = 3mA | 0.9 | 1.5 | V | ||
| V BE (sat) | *Base-Emitter SaturationVoltage | I C = 3A, I B = 3mA | 1.6 | 2 | V | ||
| t ON | Turn ON Time | V CC ⋅ = ⋅ 50V, I C = 3A | 1 | µ s | |||
| t STG | Storage Time | I B1 = - I B2 = 3mA | 3.5 | µ s | |||
| f T | Fall Time | R L = 16.7 Ω | 1.2 | µ s |
其中脉冲测试要求脉冲宽度 (PW≤350µs),占空比 (Duty Cycle≤2%)。这些参数对于我们评估KSD560在具体电路中的性能至关重要,比如直流电流增益 (h_{FE}) 会影响放大器的放大能力,你在设计时会重点关注哪些电气参数呢?
KSD560的 (h_{FE1}) 分类为Y,其范围是5000 ~ 15000。这有助于我们根据不同的应用需求选择合适的器件。
文档中给出了KSD560的多个典型特性图,包括静态特性、直流电流增益、基极 - 发射极饱和电压和集电极 - 发射极饱和电压、安全工作区以及功率降额等。这些特性图能帮助我们直观地了解KSD560在不同工作条件下的性能表现。
KSD560采用TO - 220封装,具体尺寸以文档为准。合适的封装尺寸对于电路板的布局和散热设计都有重要影响,你在设计时是如何考虑封装尺寸的呢?
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| Datasheet Identification | Product Status | Definition |
|---|---|---|
| Advance Information | Formative or In Design | This datasheet contains the design specifications for product development. Specifications may change in any manner without notice. |
| Preliminary | First Production | This datasheet contains preliminary data, and supplementary data will be published at a later date. Fairchild Semiconductor reserves the right to make changes at any time without notice in order to improve design. |
| No Identification Needed | Full Production | This datasheet contains final specifications. Fairchild Semiconductor reserves the right to make changes at any time without notice in order to improve design. |
| Obsolete | Not In Production | This datasheet contains specifications on a product that has been discontinued by Fairchild semiconductor. The datasheet is printed for reference information only. |
了解产品状态对于我们选择合适的器件非常重要,你在选择器件时会优先考虑哪种产品状态呢?
若需要订购相关文献,可通过ON Semiconductor的文献配送中心进行。其地址为19521 E. 32nd Pkwy, Aurora, Colorado 80011 USA,联系电话为303−675−2175或800−344−3860(美国/加拿大免费),传真为303−675−2176或800−344−3867(美国/加拿大免费),邮箱为orderlit@onsemi.com。同时,不同地区也有相应的技术支持渠道,如北美技术支持电话为800−282−9855(美国/加拿大免费)等。大家在订购或技术支持方面有没有遇到过什么问题呢?
综上所述,KSD560低频功率放大器在工业应用中有其独特的优势,但在使用时需要我们充分了解其各项参数和特性,以确保设计的电路稳定可靠。
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