电子说
在电子工程领域,功率晶体管是电路设计中不可或缺的关键元件。今天要给大家介绍的是安森美(onsemi)的达林顿互补硅功率晶体管BDX33B、BDX33C(NPN)和BDX34B、BDX34C(PNP),它们专为通用和低速开关应用而设计。
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该系列晶体管具有高直流电流增益,典型值 (h_{FE}=2500) 。这意味着在相同的输入电流下,能够输出更大的电流,对于需要大电流驱动的应用场景非常有利,例如电机驱动等。
集电极 - 发射极饱和电压 (V{CE(sat)}) 在 (I{C}=3.0Adc) 时,最大值为2.5Vdc(BDX33B、33C / 34B、34C)。低饱和电压可以降低晶体管在导通状态下的功耗,提高电路的效率。
| 额定值 | 符号 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 集电极 - 发射极电压(BDX33B、BDX34B;BDX33C、BDX34C) | (V_{CEO}) | 80 / 100 | Vdc |
| 集电极 - 基极电压(BDX33B、BDX34B;BDX33C、BDX34C) | (V_{CB}) | 80 / 100 | Vdc |
| 发射极 - 基极电压 | (V_{EB}) | 5.0 | Vdc |
| 集电极电流(连续 / 峰值) | (I_{C}) | 10 / 15 | Adc |
| 基极电流 | (I_{B}) | 0.25 | Adc |
| 总器件功耗((T_{C}=25^{circ}C) ;高于 (25^{circ}C) 时降额) | (P_{D}) | 70 / 0.56 | W / W/°C |
| 工作和存储结温范围 | (T{J}) ,(T{stg}) | -65 至 +150 | °C |
在设计电路时,必须严格遵守这些最大额定值,否则可能会损坏器件,影响其功能和可靠性。
热阻 (R_{JC}) (结到外壳)为1.78°C/W。这一参数对于散热设计非常重要,在实际应用中,需要根据热阻和功耗来合理设计散热措施,确保晶体管的结温在安全范围内。
需要注意的是,产品的参数性能是在规定的测试条件下给出的,如果在不同条件下工作,性能可能会有所不同。
晶体管的功率处理能力受到平均结温和二次击穿两个因素的限制。安全工作区曲线表示了晶体管的 (I{C}-V{CE}) 限制,为了保证可靠运行,晶体管的功耗不能超过曲线所示的值。在高外壳温度下,热限制会使晶体管能够处理的功率低于二次击穿所施加的限制。
| 器件 | 封装 | 包装 |
|---|---|---|
| BDX33BG | TO - 220(无铅) | 50个/导轨 |
| BDX33CG | TO - 220(无铅) | 50个/导轨 |
| BDX34BG | TO - 220(无铅) | 50个/导轨(已停产) |
| BDX34CG | TO - 220(无铅) | 50个/导轨(已停产) |
对于已停产的器件,不建议用于新设计,可联系安森美代表获取相关信息。
该系列晶体管采用TO - 220 - 3封装,详细的封装尺寸在文档中有明确给出,设计时需要根据这些尺寸来进行布局和安装。
安森美BDX33/34系列达林顿互补硅功率晶体管具有高电流增益、高耐压、低饱和电压等优点,适用于多种通用和低速开关应用。但在实际设计中,工程师需要根据具体的应用需求,综合考虑其电气特性、热特性和安全工作区等因素,以确保电路的可靠性和性能。大家在使用过程中遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享交流。
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