onsemi互补硅塑料功率达林顿管BDV65B和BDV64B技术剖析

在电子电路设计领域，功率晶体管是不可或缺的关键元件。今天我们要探讨的是安森美（onsemi）推出的互补硅塑料功率达林顿管BDV65B（NPN）和BDV64B（PNP），它们在通用互补放大器应用中作为输出设备表现出色。

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产品特性

高直流电流增益

BDV65B和BDV64B具有高直流电流增益，在5A直流电流下，最小直流电流增益HFE可达1000。这一特性使得它们在需要高电流放大的应用中表现卓越，能够有效提升电路的性能。

单片结构与内置基极 - 发射极分流电阻

采用单片结构，并内置基极 - 发射极分流电阻，这种设计不仅简化了电路设计，还提高了器件的稳定性和可靠性。同时，这些器件是无铅产品，符合环保要求。

最大额定值

参数	符号	最大值	单位
集电极 - 发射极电压	VCEO	100	Vdc
集电极 - 基极电压	VCB	100	Vdc
发射极 - 基极电压	VEB	5.0	Vdc
集电极电流（连续/峰值）	IC	10/20	Adc
基极电流	IB	0.5	Adc
总器件功耗（$T_{C}=25^{circ} C$）	PD	125	W
工作和存储结温范围	TJ, Tstg	-65 to +150	°C

在设计电路时，必须严格遵守这些最大额定值，超过这些限制可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

热特性

器件的热特性对于其性能和可靠性至关重要。BDV65B和BDV64B的热阻RθJC为1.0°C/W。这意味着在散热设计时，我们需要根据这个热阻来合理规划散热措施，确保器件在工作过程中不会因为过热而损坏。

电气特性

关断特性

• 集电极 - 发射极维持电压：在集电极电流IC = 30 mAdc，基极电流IB = 0的条件下，集电极 - 发射极维持电压VCEO(sus)为100 Vdc。
• 集电极截止电流：在不同的电压和温度条件下，集电极截止电流ICEO、ICBO有不同的值。例如，在VCE = 50 Vdc，IB = 0时，ICEO为1.0 mAdc；在VCB = 100 Vdc，IE = 0时，ICBO为0.4 mAdc；在VCB = 50 Vdc，IE = 0，TC = 150°C时，ICBO为2.0 mAdc。
• 发射极截止电流：在VBE = 5.0 Vdc，IC = 0时，发射极截止电流IEBO为5.0 mAdc。

导通特性

• 直流电流增益：在IC = 5.0 Adc，VCE = 4.0 Vdc的条件下，直流电流增益hFE为1000。
• 集电极 - 发射极饱和电压：在IC = 5.0 Adc，IB = 0.02 Adc时，集电极 - 发射极饱和电压VCE(sat)为2.0 Vdc。
• 基极 - 发射极饱和电压：在IC = 5.0 Adc，VCE = 4.0 Vdc时，基极 - 发射极饱和电压VBE(on)为2.5 Vdc。

这些电气特性为我们在设计电路时提供了重要的参考依据，我们可以根据这些参数来选择合适的工作点和电路配置。

安全工作区

晶体管的功率处理能力受到平均结温和二次击穿的限制。安全工作区曲线表示了晶体管的$I{C}-V{CE}$限制，为了确保可靠运行，晶体管的功耗不能超过曲线所示的范围。图6的数据基于$T{J(pk)}=150^{circ} C$，$T{C}$根据条件而变化。二次击穿脉冲限制在占空比为10%且$T{J(pk)} ≤150^{circ} C$时有效，$T{J(pk)}$可以根据图7的数据进行计算。在高壳温下，热限制会使可处理的功率低于二次击穿所施加的限制。

封装与订购信息

从2012年6月起，该器件仅提供TO - 247封装。订购信息如下：	器件订购编号	封装类型	运输方式
BDV64BG	TO - 247（无铅）	30个/导轨
BDV65B	30个/导轨
BDV65BG	30个/导轨
BDV64B	30个/导轨

需要注意的是，部分器件已停产，不建议用于新设计。如果有相关需求，可联系安森美代表获取信息，最新信息可在www.onsemi.com上查询。

机械尺寸

文档中还提供了SOT - 93（TO - 218）和TO - 247两种封装的机械尺寸详细信息，包括各尺寸的最小值、最大值以及对应的英寸尺寸。在进行电路板设计时，我们需要根据这些尺寸来合理布局器件，确保器件能够正确安装和使用。

综上所述，安森美的BDV65B和BDV64B达林顿管具有高电流增益、良好的电气特性和热特性等优点，适用于通用互补放大器应用。但在使用过程中，我们必须严格遵守其最大额定值和安全工作区要求，合理设计散热和电路布局，以确保器件的可靠性和性能。大家在实际设计中，是否遇到过类似器件的使用问题呢？欢迎在评论区分享交流。