电子说
在电子设计领域,晶体管是不可或缺的基础元件。今天,我们来详细探讨 onsemi 公司的 NPN 达林顿晶体管 PZTA29,了解它的特性、参数以及应用场景。
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PZTA29 是一款专为在集电极电流高达 500 mA 时需要极高电流增益的应用而设计的 NPN 达林顿晶体管。它采用了 03 工艺制造,并且是无铅器件,符合环保要求。
PZTA29 采用 SOT - 223 封装(CASE 318H),其标识包含了装配位置、日期代码和特定器件代码等信息。这种封装形式便于安装和焊接,适合大规模生产。
| Symbol | Parameter | Value | Unit |
|---|---|---|---|
| VCES | Collector−Emitter Voltage | 100 | V |
| VCBO | Collector−Base Voltage | 100 | V |
| VEBO | Emitter−Base Voltage | 12 | V |
| IC | Collector Current − Continuous | 800 | mA |
| TJ, TSTG | Operating and Storage Junction Temperature Range | −55 to + 150 | °C |
这些额定值是基于最大结温 150°C 得出的,并且是稳态限制。如果涉及脉冲或低占空比操作,需要咨询 onsemi 公司。超过这些额定值可能会损坏器件,影响其功能和可靠性。
| Symbol | Parameter | Max | Unit |
|---|---|---|---|
| PD | Total Device Dissipation | 1000 | mW |
| Derate Above 25°C | 8.0 | mW/°C | |
| RUA | Thermal Resistance, Junction to Ambient | 125 | °C/W |
需要注意的是,这些热特性是在器件安装在 36 mm x 18 mm x 1.5 mm 的 FR - 4 PCB 上,集电极引脚的安装焊盘最小为 6 cm² 的条件下测得的。
| Symbol | Parameter | Test Conditions | Min | Max | Unit |
|---|---|---|---|---|---|
| V(BR)CES | Collector−Emitter Breakdown Voltage | IC = 100 μA, VBE = 0 | 100 | V | |
| V(BR)CBO | Collector−Base Breakdown Voltage | IC = 100 μA, IE = 0 | 100 | V | |
| V(BR)EBO | Emitter−Base Breakdown Voltage | IE = 10 μA, IC = 0 | 12 | V | |
| ICBO | Collector Cut−Off Current | VCB = 80 V, IE = 0 | 100 | nA | |
| ICES | Collector Cut−Off Current | VCE = 80 V, VBE = 0 | 500 | nA | |
| IEBO | Emitter Cut−Off Current | VEB = 10 V, IC = 0 | 100 | nA |
| Symbol | Parameter | Test Conditions | Min | Max | Unit |
|---|---|---|---|---|---|
| hFE | DC Current Gain | IC = 10 mA, VCE = 5.0 V | 10,000 | ||
| IC = 100 mA, VCE = 5.0 V | 10,000 | ||||
| VCE(sat) | Collector−Emitter Saturation Voltage | IC = 10 mA, IB = 0.01 mA | 1.2 | V | |
| IC = 100 mA, IB = 0.1 mA | 1.5 | V | |||
| VBE(on) | Base−Emitter On Voltage | IC = 100 mA, VCE = 5.0 V | 2.0 | V |
| Symbol | Parameter | Test Conditions | Min | Max | Unit |
|---|---|---|---|---|---|
| fT | Current Gain Bandwidth Product | IC = 15 mA, VCE = 5.0 V, f = 100 MHz | 125 | MHz | |
| Cobo | Output Capacitance | VCB = 1.0 V, IE = 0, f = 1.0 MHz | 8.0 | pF |
需要注意的是,产品的参数性能是在列出的测试条件下给出的,如果在不同条件下运行,性能可能会有所不同。这里的脉冲测试条件为脉冲宽度 ≤ 300 μs,占空比 ≤ 2.0%。
SOT - 223 封装的 PZTA29 有详细的机械尺寸规定,包括各个引脚的尺寸、封装的长度、宽度和高度等。这些尺寸信息对于 PCB 设计和布局非常重要,确保器件能够正确安装和焊接。
文档中提供了推荐的安装焊盘尺寸和布局,以确保器件能够良好散热和电气连接。电子工程师在设计 PCB 时,应严格按照这些推荐尺寸进行设计,以保证产品的性能和可靠性。
PZTA29 采用 SOT - 223 封装,每盘装 4000 个,采用带盘包装。如果需要了解带盘规格,包括零件方向和带盘尺寸等信息,可以参考 Brochure, BRD8011/D。
PZTA29 作为一款高性能的 NPN 达林顿晶体管,具有高电流增益、宽工作温度范围等优点,适用于需要高电流驱动的应用场景。电子工程师在设计电路时,应充分考虑其电气特性、热特性和机械尺寸等因素,以确保产品的性能和可靠性。同时,在使用过程中,要严格遵守其绝对最大额定值,避免因超出限制而损坏器件。大家在实际应用中,有没有遇到过类似晶体管的使用问题呢?欢迎在评论区分享交流。
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