电子说
在电子设备的设计中,静电放电(ESD)和瞬态事件对电压敏感组件的威胁始终是工程师们需要重点关注的问题。ON Semiconductor推出的SD12CT1 ESD保护二极管,为解决这一问题提供了出色的解决方案。
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SD12CT1专为保护电压敏感组件免受ESD和瞬态事件的影响而设计。它具有出色的钳位能力、低泄漏电流和快速响应时间,这些特性使其成为那些对电路板空间要求苛刻的设计中ESD保护的理想选择。由于其体积小巧,该二极管适用于手机、便携式设备、数码相机、电源等众多便携式应用场景。
如果需要订购13英寸/10,000单位卷盘的产品,只需将设备编号中的“T1”替换为“T3”即可。SD12CT1G采用SOD - 323封装,每盘3000个,以带盘形式发货。关于带盘规格的详细信息,可参考Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D。
| 额定值 | 符号 | 值 |
|---|---|---|
| 20μs脉冲下,环境温度 ≤ 25°C时的峰值功率耗散 | Ppk | 350W |
| IEC 61000 - 4 - 2(ESD)接触放电 | 40kV | |
| 总器件耗散(FR - 5电路板) | PD | 200mW/°C |
| 热阻 | RBA | 635°C/W |
| 结温和存储温度范围 | TJ, Tstg | - 65°C 至 + 150°C |
需要注意的是,超过最大额定值列表中的应力可能会损坏器件。如果超过这些限制,不能保证器件的功能正常,可能会发生损坏并影响可靠性。
| 参数 | 条件 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 工作峰值反向电压 | VRWM | 12 | V | |||
| 击穿电压 | IT = 1mA | VBR | 13.3 | V | ||
| 反向泄漏电流 | VRWM = 12V | IR | 1.0 | μA | ||
| 钳位电压(IPP = 5A,8×20μs波形) | VC | 19 | V | |||
| 最大峰值脉冲电流 | IPP | 15 | A | |||
| 电容(VR = 0V,f = 1MHz) | Cj | 64 | pF |
TVS器件通常根据工作峰值反向电压(VRWM)进行选择,该电压应等于或大于直流或连续峰值工作电压水平。击穿电压VBR是在脉冲测试电流IT下测量的。
| SD12CT1采用SOD - 323封装,具体尺寸如下: | 尺寸 | 最小值(mm) | 标称值(mm) | 最大值(mm) |
|---|---|---|---|---|
| A | 0.80 | 0.90 | 1.00 | |
| A1 | 0.00 | 0.05 | 0.10 | |
| A2 | 0.75 | 0.85 | 0.95 | |
| A3 | 0.15(参考) | |||
| b | 0.25 | 0.32 | 0.4 | |
| C | 0.09 | 0.12 | 0.18 | |
| D | 1.60 | 1.70 | 1.80 | |
| E | 1.15 | 1.25 | 1.35 | |
| H | 2.30 | 2.50 | 2.70 | |
| L | 0.08 | |||
| L1 | 0.40(参考) |
对于安装细节,可参考ON Semiconductor的Soldering and Mounting Techniques Reference manual, SOLDERRM/D。同时,不同的产品标记可能会有所不同,实际的器件标记请参考设备数据手册。
SD12CT1 ESD保护二极管以其出色的电气性能、小巧的封装和良好的兼容性,为电子设备的ESD保护提供了可靠的解决方案。在实际设计中,工程师们可以根据具体的应用需求,合理选择和使用该二极管,以确保设备的稳定性和可靠性。你在使用ESD保护二极管的过程中遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享你的经验。
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