电子说
在电子设备的设计中,静电放电(ESD)保护是一个不可忽视的重要环节。ESD可能会对电子元件造成永久性损坏,影响设备的性能和可靠性。今天,我们就来深入了解一下ON Semiconductor推出的PACDN004和SZPACDN004这两款2通道ESD保护阵列,看看它们如何为电子设备提供可靠的ESD保护。
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PACDN004是一款专为电子元件或子系统提供双通道ESD保护的二极管阵列。每个通道由一对二极管组成,能够将ESD电流脉冲引导至正电源((V{P}))或负电源((V{N}))。该器件可承受高达±15 kV的人体模型(HBM)ESD脉冲,以及符合国际标准IEC 61000 - 4 - 2的±8 kV接触放电。
SZPACDN004与PACDN004特性相同,只是带有“SZ”前缀,适用于汽车和其他有独特场地和控制变更要求的应用,并且通过了AEC - Q101认证,具备生产件批准程序(PPAP)能力。
每个通道可提供±8 kV接触、±15 kV空气的ESD保护(符合IEC 61000 - 4 - 2标准),以及±15 kV的HBM ESD保护,能有效抵御各种静电放电情况,确保电子设备在复杂环境下稳定运行。
典型负载电容仅为3 pF,这意味着它对信号的影响极小,不会对高速信号传输造成明显干扰,非常适合用于对信号质量要求较高的应用。
低泄漏电流特性使其成为电池供电设备的理想选择,能够有效降低功耗,延长电池续航时间。
采用微型4引脚SOT - 143封装,占用空间小,便于在紧凑的电路板上布局,满足便携式电子设备对空间的严格要求。
这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准,符合环保要求。
由于其出色的性能和小巧的封装,PACDN004和SZPACDN004适用于广泛的电子设备,包括但不限于:
| 参数 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|
| 电源电压((V{P}-V{N})) | 6.0 | V |
| 二极管正向直流电流 | 20 | mA |
| 工作温度范围 | -40 至 +85 | °C |
| 存储温度范围 | -65 至 +150 | °C |
| 任何通道输入的直流电压 | ((V{N}-0.5)) 至 ((V{P}+0.5)) | V |
| 封装功率额定值 | 225 | mW |
| 参数 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|
| 工作温度范围 | -40 至 +85 | °C |
| 工作电源电压((V{P}-V{N})) | 0 至 5.5 | V |
| 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| (I_{P}) | ((V{P}-V{N})) = 5.5V | 10 | aA | ||
| (V_{F}) | (I_{F}) = 20 mA | 0.65 | V | ||
| 通道泄漏电流 | ±0.1 | ±1.0 | aA | ||
| 通道输入电容 | @ 1 MHz,(V_{P}) = 5 V | 5 | pF | ||
| 负瞬态电压 | @ 15 kV ESD HBM | (V_{P}) + 13.0 | V |
在PCB布局中,为了实现对ESD脉冲的最大保护,需要注意以下几点:
要尽量减小电源/地轨以及信号输入(通常是连接器)与ESD保护器件之间信号走线段的寄生串联电感。因为ESD电流脉冲上升时间极短,即使很小的串联电感也会导致被保护线路上的电压大幅增加。例如,10 nH的串联电感在ESD电流脉冲作用下可能会使电压增加300 V。
由于实际情况下无法将电感和电阻降至零,因此需要使用旁路电容来吸收高频ESD能量。建议在二极管的(V{P})引脚和接地平面((V{N})引脚)之间连接一个0.22 μF的陶瓷芯片电容,对于IEC - 61000 - 4 - 2 4级接触放电保护(±8 kV)来说,这个电容值是足够的。同时,应避免使用电解电容,因为它们的高频特性较差。
ESD保护阵列应尽可能靠近预期静电放电的入口点。电源旁路电容应尽可能靠近保护阵列的(V_{P})引脚,同时要尽量缩短PCB走线长度,以减小杂散串联电感。
PACDN004和SZPACDN004是两款性能出色的ESD保护阵列,具有强大的ESD保护能力、低负载电容、低泄漏电流等优点,适用于多种电子设备。在设计过程中,合理的PCB布局和旁路电容的使用能够充分发挥其保护作用,确保电子设备的可靠性和稳定性。作为电子工程师,我们在选择ESD保护器件时,不仅要关注器件的性能参数,还要考虑实际应用中的设计要点,这样才能为电子设备提供更有效的ESD保护。
你在实际设计中是否使用过类似的ESD保护器件?遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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