Onsemi NUP4108W5：低电容四路ESD保护阵列解析

在电子设备的设计中，静电放电（ESD）保护是至关重要的一环。今天我们来深入了解Onsemi公司的NUP4108W5，一款专为瞬态过电压保护设计的集成式瞬态电压抑制器（TVS）。

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产品概述

NUP4108W5适用于对ESD敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等。其集成设计仅用一个封装就能为四条独立线路提供高效可靠的保护，非常适合对电路板空间要求苛刻的应用场景。

产品特性与优势

特性

1. ESD保护能力强：符合IEC61000 - 4 - 2的4级标准，以及MIL - STD 883C - Method 3015 - 6的3类标准，能有效抵御高能量的ESD冲击。
2. 四路独立单向配置：可以分别对四条线路进行保护，提供了更灵活的设计方案。
3. 低泄漏电流：泄漏电流小于1μA，有助于降低系统的功耗。
4. 低功耗：功率耗散为380mW，在保证保护性能的同时，减少了能量的损耗。
5. 小尺寸封装：采用SC - 88A SMT封装，节省了电路板空间。
6. 低电容：这一特性使得该器件在高频应用中能更好地保持信号的完整性。
7. 无铅设计：符合环保要求。

优势

1. 符合行业标准：能为设备提供符合IEC 61000和HBM等行业标准的ESD保护。
2. 降低系统功耗：低泄漏电流和低功耗的特性，有助于减少系统的整体能耗。
3. 节省PCB空间：小尺寸封装对于空间有限的设计非常友好。

典型应用

NUP4108W5的应用范围广泛，涵盖了多个领域：

1. 仪器设备：保护仪器内部的敏感电路，确保测量和控制的准确性。
2. 串口和并口：防止ESD对接口电路造成损坏，保证数据传输的稳定性。
3. 基于微处理器的设备：为微处理器及其周边电路提供可靠的保护。
4. 笔记本电脑、台式机和服务器：保护这些设备的主板和接口，提高系统的可靠性。
5. 手机和便携式设备：在有限的空间内提供有效的ESD保护。

技术参数

最大额定值

符号	额定值	值	单位
(P_{PK})	8 x 20 μsec双指数波形的峰值功率耗散（注1）	20	W
(P_{D})	单二极管稳态功率（注2）	380	mW
(R_{BA})	结到环境的热阻	327	mW/°C
(T_{J})	工作结温	-40 到 +125	°C
(T_{stg})	储存温度	-55 到 +150	°C
	引脚焊接温度（最大10秒持续时间）		°C

注：

1. 非重复电流脉冲参考图1。
2. 仅一个二极管通电时的功率。若四个二极管都通电，(P_{D})将为25%，需安装在最小焊盘的FR4板上。

电气特性

符号	特性	最小值	典型值	最大值	单位
(V_{BR})	击穿电压（(I_{T}=1 mA)）（注3）	6.4	6.8	7.1	V
	泄漏电流（(V_{RWM}=5.0 V)）			1.0	μA
(V_{C})	钳位电压1（(I_{pp}=1.6 A)，8 × 20 μsec波形）	-		13	V
(P_{P})	最大峰值脉冲电流（8 x 20 μsec波形）			1.6	A
(C_{J})	- ((V{R}=0V)，(f = 1 MHz)) ((V{R}=3.0 V)，(f = 1 MHz))		12 6.7		pF

注：(V{BR})在脉冲测试电流(I{T})下测量。

封装与安装

机械尺寸

采用SC - 88A（SC - 70 - 5/SOT - 353）封装，详细尺寸见文档中的机械外形图。需要注意的是，尺寸标注和公差遵循ANSI Y14.5M, 1982标准，控制尺寸为毫米。

推荐安装焊盘

提供了多种引脚样式供选择，具体样式需参考数据手册中的引脚说明。

总结

Onsemi的NUP4108W5以其出色的ESD保护能力、低功耗、小尺寸等特性，为电子工程师在设计中提供了一个可靠的ESD保护解决方案。在实际应用中，工程师们可以根据具体的设计需求，合理选择该器件，以提高设备的可靠性和稳定性。你在使用类似ESD保护器件时，遇到过哪些挑战呢？欢迎在评论区分享你的经验。