电子说
在电子设备的设计中,瞬态过压保护是一个至关重要的环节。今天,我们来深入了解一款专为瞬态过压保护设计的 6 引脚双向四通道 TVS 阵列——NUP4102XV6。
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NUP4102XV6 是一款 6 引脚双向瞬态抑制器阵列,适用于需要瞬态过压保护能力的应用场景。它可用于电脑、打印机、手机、医疗设备等对瞬态电压和静电放电(ESD)敏感的设备。其集成设计使用单个 SOT - 563 封装,为四条独立线路提供双向保护,非常适合对电路板空间要求较高的情况。
| 额定值 | 符号 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 峰值功率耗散(8x20 μsec 双指数波形) | (P_{PK}) | 75 | W |
| 工作结温范围 | (T_{J}) | -40 至 125 | °C |
| 储存温度范围 | (T_{STG}) | -55 至 150 | °C |
| 引脚焊接温度(最大,10 秒) | (T_{L}) | 260 | °C |
| ESD(人体模型、机器模型、IEC 61000 - 4 - 2 空气、IEC 61000 - 4 - 2 接触) | ESD | 16、0.4、30、30 | kV |
需要注意的是,最大额定值是指超过该值可能导致设备损坏的数值,这些值是单个应力极限值,并非正常工作条件,且不能同时适用。如果超过这些极限,设备可能无法正常工作,甚至会造成损坏并影响可靠性。
| 参数 | 条件 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 反向工作电压 | (V_{RWM}) | 12 | V | |||
| 击穿电压 | (I_{T} = 1 mA) | (V_{BR}) | 13.6 | 17.8 | V | |
| 反向漏电流 | (V_{RWM} = 12V) | (I_{R}) | 10 | 100 | nA | |
| 钳位电压 | (I_{PP} = 3 A)(8x20 μsec 波形) | (V_{C}) | 25 | V | ||
| 最大峰值脉冲电流 | 8x20 μsec 波形 | (I_{PP}) | 3.0 | A | ||
| 电容(线路到地) | (C_{j}) | 13 | 15 | pF |
在选择 TVS 器件时,通常根据工作峰值反向电压((V{RWM}))来选择,该值应等于或大于直流或连续峰值工作电压水平。击穿电压 (V{BR}) 是在脉冲测试电流 (I_{T}) 下测量的,脉冲宽度为 1 ms。
该产品提供了多种典型性能曲线,包括脉冲波形、功率降额曲线、钳位电压与峰值脉冲电流关系曲线(10 秒方波脉冲)以及结电容与反向电压关系曲线等。这些曲线有助于工程师更好地了解产品在不同条件下的性能表现,从而进行更合理的设计。
| 产品采用 SOT - 563 - 6 封装,尺寸为 1.60x1.20x0.55,引脚间距为 0.50P。详细的尺寸信息如下: | 尺寸 | 最小值(mm) | 标称值(mm) | 最大值(mm) |
|---|---|---|---|---|
| A | 0.50 | 0.55 | 0.60 | |
| k | 0.17 | 0.22 | 0.27 | |
| D | 1.50 | 1.60 | 1.70 | |
| E | 1.10 | 1.20 | 1.30 | |
| e | 0.50 BSC | |||
| H | 1.50 | 1.60 | 1.70 | |
| L | 0.10 | 0.20 | 0.30 |
| 器件型号 | 封装 | 包装方式 |
|---|---|---|
| NUP4102XV6T1G | SOT - 563(无铅) | 4000/卷带封装 |
如需了解卷带封装的规格,包括零件方向和卷带尺寸等信息,请参考相关的卷带封装规格手册 BRD8011/D。
总的来说,NUP4102XV6 是一款性能出色的 TVS 阵列,在电路板空间有限的情况下,能为多条线路提供可靠的瞬态过压和 ESD 保护。电子工程师在设计相关设备时,可以根据实际需求考虑选用这款产品。大家在实际应用中是否遇到过类似 TVS 阵列的使用问题呢?欢迎在评论区分享交流。
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