电子说
在电子设备的设计中,静电放电(ESD)是一个常见且可能对敏感组件造成严重损害的问题。安森美(onsemi)推出的NUP2301MW6T1G和SZNUP2301MW6T1G低电容二极管阵列,为两条数据线路提供了可靠的ESD防护解决方案。下面就为大家详细介绍这款产品。
文件下载:NUP2301MW6T1-D.PDF
NUP2301MW6T1G是一款微型集成设备,旨在保护敏感组件免受可能有害的电气瞬变影响,特别是ESD。它具有低电容、单封装集成设计等特点,能够确保数据线路的速度和完整性,同时减少组件数量和电路板空间。
该二极管阵列的I/O线间最大电容仅为2.0 pF,低电容特性对于高速数据线路至关重要,它能够减少信号的衰减和失真,确保数据传输的速度和完整性。在高速数据传输应用中,低电容可以降低信号的延迟,提高数据传输的准确性。
采用单封装集成设计,将多个保护二极管集成在一个封装内,不仅减少了组件数量,还节省了电路板空间。这对于空间有限的设计,如便携式设备和高密度电路板,具有很大的优势。
该二极管阵列适用于多种应用场景,包括但不限于:
| 在 $T_J = 25^{circ}C$ 条件下,每个二极管的最大额定值如下: | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 反向电压 | $V_R$ | 70 | Vdc | |
| 正向电流 | $I_F$ | 200 | mAdc | |
| 峰值正向浪涌电流 | $I_{FM(surge)}$ | 500 | - | |
| 重复峰值反向电压 | - | 70 | - | |
| 平均整流正向电流(20 ms内平均) | $I_{FRM}$ | 715 | mA | |
| 非重复峰值正向电流($t = 1.0 μs$ 和 $t = 1.0 ms$) | $I_{FSM}$ | 2.0、1.0 | A |
需要注意的是,超过最大额定值可能会损坏设备,影响其功能和可靠性。
| 特性 | 符号 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 引脚焊接温度(最大10秒持续时间) | $T_L$ | 260 | $^{circ}C$ |
| 结温 | - | - | - |
| 储存温度 | - | - | $^{circ}C$ |
| 在 $T_J = 25^{circ}C$ 条件下,每个二极管的电气特性如下: | 特性 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 反向击穿电压 | $V_{(BR)}$ | 70 | - | - | Vdc | |
| 反向电压泄漏电流($V_R = 70 Vdc$,$T_J = 150^{circ}C$) | $I_R$ | - | - | 2.5、30 | - | |
| 电容(I/O引脚间,$V_R = 0 V$,$f = 1.0 MHz$) | $C_D$ | - | 1.0、1.6 | 2.0、3 | pF | |
| 正向电压($I_F = 1.0 mAdc$、$10 mAdc$、$50 mAdc$、$150 mAdc$) | $V_F$ | - | - | 1000、1250 | - | |
| 系统内接触放电 | $V_{ESD}$ | - | - | - | kV |
产品的参数性能在所列测试条件下有效,如果在不同条件下运行,性能可能会有所不同。
产品采用SC - 88封装,为无铅封装,每盘3000个,采用带盘包装。对于带盘规格的详细信息,可参考安森美的Tape and Reel Packaging Specification Brochure(BRD8011/D)。
安森美NUP2301MW6T1G和SZNUP2301MW6T1G低电容二极管阵列以其低电容、高防护性能和单封装集成设计,为电子设备的数据线路提供了可靠的ESD防护解决方案。在实际设计中,电子工程师可以根据具体的应用需求和设计要求,合理选择和使用该产品,以提高设备的可靠性和稳定性。大家在使用这款产品的过程中,有没有遇到过什么问题或者有什么独特的应用经验呢?欢迎在评论区分享交流。
全部0条评论
快来发表一下你的评论吧 !