霍尔芯片的灵敏度

霍尔芯片灵敏度，简单说就是磁场变多强，输出电压变多少，主要分线性霍尔（mV/mT 或 mV/G）和开关霍尔（触发磁场 BOP）

 两类。

一、线性霍尔：灵敏度 S（mV/mT 或 mV/G）

定义：单位磁场引起的输出电压变化。

公式：(V_{text{out}}=Scdot B+V_0)(V_0)：零磁场输出（常为 Vcc/2）；B：磁场强度。

单位换算：

(1 text{T}=10^4 text{G})

(1 text{mT}=10 text{G})

典型范围（25℃）

普通：1–10 mV/G（=10–100 mV/mT）

高灵敏：10–20 mV/G（弱磁、精密）

可编程：0.1–100 mV/G

二、开关型霍尔：灵敏度看阈值 BOP

BOP（工作点）：输出从高→低（或相反）的最小磁场，单位 mT/Gs。

BRP（释放点）：输出恢复的磁场；回差 BHys=BOP−BRP。

灵敏度越高 → BOP 越小（越弱磁场就能触发）。

典型范围

高灵敏：±3–10 mT（近距离、弱磁）

普通：±10–30 mT（电机、轮速）

三、影响灵敏度的关键因素

芯片类型：线性看 mV/mT，开关看 BOP。

温度漂移：

灵敏度温漂：−0.06 ~ −0.08 %/℃（温度升高，灵敏度略降）。

供电与增益：高供电 / 高增益 → 灵敏度更高，但噪声更大。

封装与气隙：离磁铁越远、气隙越大 → 有效灵敏度越低。

东莞霍尔森科技

审核编辑 黄宇