台积电2026年启动COUPE光互连量产 200Gbps微环调制器已投产

在2026年5月14日举行的技术论坛上，台积电首次对外公布了面向AI算力基础设施的“三层堆叠”演进路线，涉及SoIC、CoWoS以及COUPE光互连三大技术的协同发展。

其中，COUPE被视为核心突破点。该技术采用3D异质集成方案，通过SoIC工艺将电子芯片与光子芯片进行垂直堆叠，从而有效缩短互连距离、减少电耦合损耗，并明显提高带宽密度与功耗效率。

台积电方面透露，全球首款应用COUPE技术的200Gbps微环调制器（Micro Ring Modulator, MRM）已在2026年内启动大规模生产，其比特误码率成功控制在低于一亿分之一的水准。

早在今年4月，台积电就曾表示，其COUPE硅光整合平台计划于2026年进入量产阶段，这将成为推动共封装光学（CPO）技术落地的重要节点。

台积电先进技术业务开发处处长袁立本进一步说明，到2030年之前，台积电将借助400Gbps光调变器、多波长技术以及多光纤阵列技术，使带宽密度提升8倍，达到4TBps。他指出，与传统铜线方案相比，COUPE能使系统能效提高4倍，延迟降低10倍；如果与封装平台实现更深度的整合，能效甚至可以进一步提升至10倍，延迟降低20倍。这些特性使COUPE成为未来AI数据中心不可或缺的基础性技术。