安森美NSPM8151与NSPM8181：高压ESD与浪涌保护的理想之选

在电子设备的设计中，静电放电（ESD）和浪涌保护是至关重要的环节，它直接关系到设备的稳定性和可靠性。安森美（onsemi）推出的NSPM8151和NSPM8181单向ESD和浪涌保护器件，为电子工程师提供了出色的解决方案。

文件下载：NSPM8151-D.PDF

产品特性

高电压ESD与浪涌保护

NSPM8151和NSPM8181属于单向高压ESD和浪涌保护器件，能为设备提供强大的保护。它们符合IEC61000 - 4 - 2标准的4级ESD保护，可承受±30 kV的接触放电。同时，在IEC 61000 - 4 - 5（雷击）测试中也表现出色。

高压齐纳二极管保护

其内置的高压齐纳二极管能够保护电源轨，可承受高达100 A（8/20 μs）的浪涌电流，确保设备在恶劣的电气环境下也能稳定运行。

环保设计

这两款器件均为无铅产品，符合RoHS标准，满足环保要求。

产品应用与封装

应用与框图

文档中提供了应用图、框图和标记图，为工程师在实际应用中提供了清晰的参考。通过这些图表，工程师可以更好地理解器件的工作原理和应用方式。

封装与订购信息

NSPM8151和NSPM8181采用UDFN6封装，这种封装形式具有体积小、便于安装等优点。订购信息显示，两款器件均以3000个/卷带盘的形式供应。

引脚说明

该器件采用4通道、6引脚的UDFN - 8封装，各引脚功能如下：	Pin	Name	Type	Description
1	V CC	HV V DD	HV ESD Channel
2	N/C		No Connect
3	N/C		No Connect
4	N/C		No Connect
5	GND		Ground
6	GND		Ground

电气特性与规格

绝对最大额定值

Parameter		Rating	Units
Operating Temperature Range		-55 to +125	°C
Storage Temperature Range		-65 to +150	°C
Peak Current ($t_{p}= 8/20 mu s$)	NSPM8151	100	A
Peak Current $left(t_{p}=8 / 20 mu sright)$	NSPM8181	119	A

需要注意的是，超过这些最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

电气参数

Device Name	Device Marking	VRWM (V) (Note 1) Max	1R @VRWM ( $mu A)$ Max	Breakdown Voltage				VC@IPP (8 x 20 μs) (Note 3)
VBRV (Note 2)			@ I T (mA)	Vc(V) Max	Ipp (A)
Min	Nom	Max
NSPM8151	A5	15	1	16	17.5	18.5	1	27	100
NSPM8181	A8	18	1	20	22.5	23.5	1	28	70
					30	100

这些参数是在特定测试条件下得出的，实际应用中如果工作条件不同，产品性能可能会有所差异。一般来说，选择浪涌保护器时，工作峰值反向电压（$V_{RWM}$）应等于或大于直流或连续峰值工作电压水平。

机械尺寸与安装

文档提供了UDFN6封装的机械尺寸图和推荐的安装脚印。详细的尺寸信息有助于工程师在PCB设计中准确布局，确保器件的正常安装和使用。同时，为了获取更多关于无铅策略和焊接细节的信息，工程师可以下载安森美的《Soldering and Mounting Techniques Reference Manual》（SOLDERRM/D）。

总结

安森美NSPM8151和NSPM8181在ESD和浪涌保护方面表现出色，具有高电压保护能力、环保设计等优点。电子工程师在设计需要高压ESD和浪涌保护的电路时，可以考虑这两款器件。但在实际应用中，还需要根据具体的工作条件和需求，对器件的性能进行进一步的验证和优化。你在实际设计中有没有遇到过ESD和浪涌保护方面的难题呢？欢迎在评论区分享你的经验。