电子说
在电子设备设计中,静电放电(ESD)保护是至关重要的一环,它能有效防止设备因静电冲击而损坏。安森美(onsemi)的MSQA6V1W5T2G和SZMSQA6V1W5T2G ESD保护二极管阵列,就是为满足这一需求而设计的高性能产品。今天,我们就来深入了解一下这两款产品。
文件下载:MSQA6V1W5T2-D.PDF
MSQA6V1W5T2G和SZMSQA6V1W5T2G是一款四通道单片硅电压抑制器,专为需要瞬态过电压保护能力的应用而设计。它们适用于对电压和ESD敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等。其独特的四结共阳极设计,仅用一个封装就能保护四条独立线路,非常适合对电路板空间要求较高的应用场景。
这是该产品的一大亮点,低钳位电压能有效限制ESD事件期间IC所承受的电压,保护敏感电路元件。在实际应用中,较低的钳位电压可以减少对电路的损害,提高设备的可靠性。
关断电压是ESD保护二极管的重要参数之一,3V的关断电压能在正常工作状态下保证设备的稳定运行。
在3V电压下,泄漏电流小于1μA,低泄漏电流可以降低功耗,延长设备的电池寿命,特别适用于对功耗要求较高的设备。
符合IEC1000 - 4 - 2 4级ESD保护标准,能有效抵御高达16kV的空气放电和9kV的接触放电,为设备提供可靠的ESD保护。
带有SZ前缀的SZMSQA6V1W5T2G适用于汽车和其他有特殊场地和控制变更要求的应用,且通过了AEC - Q101认证,并具备生产件批准程序(PPAP)能力。
提供无铅封装选项,符合环保要求。
| 额定值 | 符号 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 峰值功率耗散(20μs,$T_{A} leq 25^{circ} C$) | Ppk | 150 | W |
| 稳态功率(1个二极管) | PD | 385 | mW |
| 热阻(结到环境,25°C以上降额) | RUA | 325°C/W,3.1mW/°C | |
| 最大结温 | TJmax | 150 | °C |
| 工作结温和存储温度范围 | TJ、Tstg | -55 to +150 | °C |
| ESD放电(MIL STD 883C - 方法3015 - 6) | |||
| - 空气放电 | 16 | kV | |
| - 接触放电 | 9 | kV | |
| 引脚焊接温度(10s持续时间) | TL | 260 | °C |
| 器件 | 击穿电压VBR @ 1 mA (Vo) | 泄漏电流IRM @ VRWM = 3 V ($mu A$) | 电容 @ 0 V偏置 (pF) | 最大$V{F} @ I{F}=200$ mA (V) | Vc Per IEC61000 - 4 - 2 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 典型 | 最大 | |||||
| MSQA6V1W5T2G | 6.1 | 6.6 | 7.2 | 1.0 | 90 | 1.25 | 见图表1和2 |
需要注意的是,击穿电压VBR是在25°C环境温度下,用脉冲测试电流$I_{T}$测量得到的。关于测试程序,可参考图表3和4以及应用笔记AND8307/D。
对于敏感电路元件,在ESD事件期间将IC所承受的电压限制在尽可能低的水平非常重要。安森美开发了一种方法,通过示波器截图来观察ESD保护二极管在ESD脉冲时域内的整个电压波形,这一方法有助于工程师更好地理解和评估ESD保护效果。具体如何创建这些截图以及如何解读,可参考应用笔记AND8307/D。
产品采用SC - 88A(SC - 70 - 5/SOT - 353)封装,尺寸标注和公差遵循ANSI Y14.5M, 1982标准。同时,文档还提供了推荐的安装 footprint和多种引脚样式,工程师在设计时需参考数据表中的具体引脚标注和分配。
| 器件 | 封装 | 包装方式 |
|---|---|---|
| MSQA6V1W5T2G | SC - 88A(无铅) | 3000个/卷带包装 |
| SZMSQA6V1W5T2G | SC - 88A(无铅) | 3000个/卷带包装 |
需要注意的是,部分器件可能已停产,不推荐用于新设计。如需获取最新信息,可联系安森美代表或访问其官方网站www.onsemi.com。
在电子设备设计中,选择合适的ESD保护器件至关重要。MSQA6V1W5T2G和SZMSQA6V1W5T2G凭借其出色的性能和丰富的特性,为工程师提供了可靠的ESD保护解决方案。你在实际应用中是否使用过类似的ESD保护器件?遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享。
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