电子说
在电子系统设计中,静电放电(ESD)和其他有害瞬态电压事件可能会对设备造成严重损害,影响系统的可靠性和稳定性。安森美(onsemi)的NUP1105LT1G和SZNUP1105LT1G ESD保护二极管,为LIN和单线CAN收发器提供了有效的保护,是提升系统可靠性的理想选择。
文件下载:NUP1105L-D.PDF
NUP1105L系列旨在保护LIN和单线CAN收发器免受ESD和其他有害瞬态电压事件的影响。该器件采用单个SOT - 23封装,为数据线提供双向保护,为系统设计师提供了一种低成本的解决方案,有助于提高系统可靠性并满足严格的EMI要求。
| 符号 | 额定值 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| PPK | 8 x 20 μs双指数波形的峰值功率耗散 | 350 | W |
| TJ | 工作结温范围 | - 55至150 | °C |
| TJ | 储存温度范围 | - 55至150 | °C |
| TL | 引脚焊接温度(10 s) | 260 | °C |
| ESD(HBM) | 人体模型 | 16 | kV |
| ESD(MM) | 机器模型 | 400 | V |
| ESD(IEC 61000 - 4 - 2 Contact) | IEC 61000 - 4 - 2规范(接触) | 30 | kV |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VRWM | 反向工作电压 | 24 | V | |||
| VBR | 击穿电压 | IT = 1 mA | 25.7 | 28.4 | V | |
| R | 反向漏电流 | VRWM = 24 V | 15 | 100 | nA | |
| VC(Ipp = 5 A) | 钳位电压 | 8 x 20 μs波形 | 40 | V | ||
| VC(Ipp = 8 A) | 钳位电压 | 8 x 20 μs波形 | 44 | V | ||
| PP | 最大峰值脉冲电流 | 8 x 20 μs波形 | 8.0 | A | ||
| CJ(Anode to GND) | 电容 | VR = 0 V, f = 1 MHz | 60 | pF | ||
| CJ(Anode to Anode) | 电容 | VR = 0 V, f = 1 MHz | 30 | pF |
提供了脉冲波形、钳位电压与峰值脉冲电流、典型漏电流与温度、典型Vz @ 1.0 mA与温度以及电容与偏置电压等典型性能曲线,方便工程师在设计过程中进行参考和评估。
该器件采用SOT - 23(TO - 236)封装,详细的封装尺寸信息为设计电路板提供了准确的参考。同时,还提供了通用标记图和推荐的安装脚印信息。
安森美NUP1105LT1G和SZNUP1105LT1G ESD保护二极管以其出色的性能、广泛的应用领域和良好的兼容性,为LIN和单线CAN总线提供了可靠的保护方案。电子工程师在设计相关系统时,不妨考虑使用该器件,以提高系统的可靠性和稳定性。大家在实际应用中是否遇到过类似ESD保护的问题呢?又是如何解决的呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
全部0条评论
快来发表一下你的评论吧 !