电子说
在电子设备设计中,静电放电(ESD)和瞬态电压事件是影响设备稳定性和可靠性的重要因素。尤其是对于高速线路,如USB接口等,需要一种具备低电容特性的ESD保护方案。安森美(onsemi)的ESD9P5.0ST5G就是这样一款出色的ESD保护二极管,下面我们来详细了解一下。
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ESD9P系列专为保护需要低电容的电压敏感组件免受ESD和瞬态电压事件的影响而设计。ESD9P5.0ST5G具有出色的钳位能力、低电容、低泄漏和快速响应时间等特点,非常适合用于高速线路的ESD保护,如USB接口。
| 额定值 | 符号 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| IEC 61000 - 4 - 2 (ESD) 接触/空气 | ±10 / ±15 | kV | |
| FR - 5板上总功耗(TA = 25°C) | PD | 150 | mW |
| 结温和存储温度范围 | TJ, Tstg | - 55 to +150 | °C |
| 引脚焊接温度 - 最大(10秒持续时间) | TL | 260 | °C |
需要注意的是,超过最大额定值可能会损坏器件,影响其功能和可靠性。
| 在TA = 25°C的条件下,ESD9P5.0ST5G的主要电气参数如下: | 符号 | 参数 |
|---|---|---|
| IPP | 最大反向峰值脉冲电流 | |
| VC | 在IPP时的钳位电压 | |
| VRWM | 工作峰值反向电压 | |
| IR | 在VRWM时的最大反向泄漏电流 | |
| VBR | 在IT时的击穿电压 | |
| IT | 测试电流 | |
| IF | 正向电流 | |
| VF | 在IF时的正向电压 | |
| Ppk | 峰值功率耗散 | |
| C | 在VR = 0和f = 1.0 MHz时的最大电容 |
| 具体参数如下表所示: | 器件标记 | VRWM (V) | IR (μA) @ VRWM | VBR (V) @ IT | IT (mA) | C (pF) | VC (V) @ IPP = 1 A |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ESD9P5.0ST5G | 5.0 | 1.0 | 5.8 | 1.0 | 1.3 | 9.8 |
对于敏感电路元件,在ESD事件期间将IC所承受的电压限制在尽可能低的水平非常重要。ESD钳位电压是指在ESD事件期间,根据IEC61000 - 4 - 2波形,ESD保护二极管两端的电压降。安森美通过示波器截图的方式,展示了ESD保护二极管在ESD脉冲时域内的整个电压波形,方便工程师进行分析和评估。
| ESD9P5.0ST5G采用SOD - 923封装,具体尺寸如下: | 尺寸 | 最小值 | 标称值 | 最大值 |
|---|---|---|---|---|
| A | 0.34 | 0.37 | 0.40 | |
| k | 0.15 | 0.20 | 0.25 | |
| C | 0.07 | 0.12 | 0.17 | |
| D | 0.75 | 0.80 | 0.85 | |
| E | 0.55 | 0.60 | 0.65 | |
| H | 0.95 | 1.00 | 1.05 | |
| L | 0.19 REF | |||
| L2 | 0.05 | 0.10 | 0.15 |
设计人员在进行PCB布局时,需要根据这些尺寸进行合理的规划,以确保器件的正常安装和使用。
ESD9P5.0ST5G是一款性能优异的ESD保护二极管,其低电容、低钳位电压、快速响应时间等特性使其成为高速线路ESD保护的理想选择。在实际设计中,电子工程师可以根据具体的应用需求,合理选择和使用该器件,以提高设备的抗ESD能力和可靠性。大家在使用过程中有没有遇到过ESD相关的问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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