Onsemi ESD9B和SZESD9B系列ESD保护二极管技术剖析

在当今的电子设备中，静电放电（ESD）是一个不可忽视的问题，它可能会对电压敏感的电子元件造成损害，影响设备的性能和可靠性。Onsemi的ESD9B和SZESD9B系列ESD保护二极管为解决这一问题提供了有效的方案。下面我们将对该系列产品进行详细的技术剖析。

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产品概述

ESD9B系列旨在保护电压敏感元件免受ESD的侵害。其具有出色的钳位能力、低泄漏电流和快速响应时间，能为暴露于ESD环境的设计提供一流的保护。由于其尺寸小巧，非常适合用于手机、MP3播放器、数码相机等对电路板空间要求较高的便携式应用。

规格特性

电气特性

• 低电容：电容仅为15 pF，这有助于减少信号失真，保证信号的完整性，特别适用于高速信号线路的保护。
• 低钳位电压：能够将ESD事件中的电压限制在较低水平，有效保护敏感元件。
• 低泄漏电流：可降低功耗，提高设备的能效。
• 快速响应时间：响应时间小于1 ns，能在瞬间对ESD事件做出反应，保护元件免受损害。

机械特性

• 封装形式：采用无空隙、传递模塑的热固性塑料封装，符合UL 94 V - 0标准，具有良好的绝缘性能和机械强度。
• 引脚镀层：引脚采用100%哑光锡（Tin）镀层，可提高焊接性能和抗腐蚀能力。
• 安装位置：支持任意安装位置，方便设计人员进行布局。
• 回流焊温度：最高回流焊温度可达260°C，满足常见的焊接工艺要求。
• 湿度敏感度：符合MSL 1要求，在正常环境下无需特殊存储条件。

最大额定值

额定参数	符号	值	单位
IEC 61000 - 4 - 2（ESD）接触/空气放电		±18	kV
IEC 61000 - 4 - 4（EFT）		40	A
FR - 5板上总功耗（$T_A = 25^{circ}C$）	$P_D$	300	mW
结到环境热阻	$R_{BA}$	400	°C/W
结和存储温度范围	$TJ$，$T{stg}$	- 55 至 +150	°C
引脚焊接温度（最大，10秒持续时间）	$T_L$	260	°C

需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

订购信息

器件型号	封装	包装数量
ESD9B3.3ST5G	SOD - 923（无铅）	8000 / 卷带
ESD9B5.0ST5G	SOD - 923（无铅）	8000 / 卷带
SZESD9B3.3ST5G	SOD - 923（无铅）	8000 / 卷带
SZESD9B5.0ST5G	SOD - 923（无铅）	8000 / 卷带

电气特性

在$T_A = 25^{circ}C$的条件下，主要电气参数如下：	器件型号	器件标记	$V_{RWM}$（V）最大	$IR$（nA）@$V{RWM}$最大	$V_{BR}$（V）@$I_T$	$I_T$（mA）	$C$（pF）典型	$V_c$ Per IEC61000 - 4 - 2	$V_C$（V）最大 Per 8 x 20 μs
ESD9B3.3ST5G，SZESD9B3.3ST5G	2*	3.3	100	5.0 - 7.0	1.0	15	见图1和图2	10.5 - 11.5
ESD9B5.0ST5G，SZESD9B5.0ST5G	E	5.0	100	5.8 - 7.8	1.0	15	见图1和图2	12.5 - 15.0

产品的电气特性是在特定测试条件下给出的，实际使用中如果条件不同，性能可能会有所差异。

ESD电压钳位

对于敏感电路元件，在ESD事件期间将IC所承受的电压限制在尽可能低的水平非常重要。ESD钳位电压是指在ESD事件期间，根据IEC61000 - 4 - 2波形，ESD保护二极管两端的电压降。Onsemi通过示波器截图的形式，在所有ESD保护二极管的数据手册中展示了ESD脉冲时域内ESD保护二极管两端的整个电压波形。若想了解Onsemi如何生成这些截图以及如何解读它们，请参考AND8307/D应用笔记。

总结

Onsemi的ESD9B和SZESD9B系列ESD保护二极管以其出色的性能和小巧的尺寸，为电子设备的ESD保护提供了可靠的解决方案。电子工程师在设计过程中，可以根据实际需求选择合适的型号，确保设备在复杂的电磁环境中稳定运行。同时，在使用过程中要注意其最大额定值和电气特性的适用条件，以充分发挥该系列产品的优势。大家在实际应用中有没有遇到过ESD保护相关的问题呢？欢迎在评论区分享交流。