电子说
在电子设备的设计中,静电放电(ESD)和瞬态电压事件可能会对电压敏感组件造成严重损害。安森美(onsemi)的ESD9L、SESD9L系列ESD保护二极管,凭借其卓越的性能,为电子设备提供了可靠的保护。下面我们就来详细了解一下这款产品。
文件下载:ESD9L-D.PDF
ESD9L系列专为保护需要超低电容的电压敏感组件而设计,可有效抵御ESD和瞬态电压事件。它具有出色的钳位能力、低电容、低泄漏和快速响应时间等特点,非常适合在电路板空间有限的设计中用于ESD保护。同时,由于其低电容特性,也适用于USB 2.0高速和天线线路等高频设计应用。
| 额定值 | 符号 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| IEC 61000 - 4 - 2 (ESD) 接触/空气 | ±10 / ±15 | kV | |
| 总功率耗散(FR - 5板,TA = 25°C) | PD | 150 | mW |
| 存储温度范围 | Tstg | - 55 to +150 | °C |
| 结温范围 | TJ | - 55 to +150 | °C |
| 引脚焊接温度(最大,10秒持续时间) | TL | 260 | °C |
需要注意的是,超过最大额定值可能会损坏设备,影响其功能和可靠性。具体的生存能力规格可参考应用笔记AND8308/D。
| 符号 | 参数 | 说明 |
|---|---|---|
| IPP | 最大反向峰值脉冲电流 | - |
| VC | 钳位电压(@ IPP) | 在特定脉冲电流下的钳位电压 |
| VRWM | 工作峰值反向电压 | 正常工作时的反向峰值电压 |
| IR | 最大反向泄漏电流(@ VRWM) | 在工作峰值反向电压下的最大泄漏电流 |
| VBR | 击穿电压(@ IT) | 在测试电流IT下的击穿电压 |
| IT | 测试电流 | 用于测试击穿电压的电流 |
| IF | 正向电流 | - |
| VF | 正向电压(@ IF) | 在正向电流IF下的正向电压 |
| Ppk | 峰值功率耗散 | - |
| C | 最大电容(@ VR = 0,f = 1.0 MHz) | 在特定条件下的最大电容值 |
| 不同型号的具体参数如下: | 设备标记 | VRWM (V) | VBR (V) @ IT | IT (mA) | C (pF) | IR (A) @ VRWM |
|---|---|---|---|---|---|---|
| ESD9L3.3ST5G | 3.3 | 4.8 | 1.0 | 0.5 | 0.9 | |
| ESD9L5.0ST5G | 5.0 | 5.4 | 1.0 | 0.5 | 0.9 |
产品的参数性能是在特定测试条件下给出的,实际使用中如果条件不同,性能可能会有所差异。
对于敏感电路元件,在ESD事件期间将IC所承受的电压限制在尽可能低的水平非常重要。ESD钳位电压是指在ESD事件期间,ESD保护二极管两端的电压降。由于IEC61000 - 4 - 2标准主要是针对手机或笔记本电脑等大型系统的通过/失败规格,在器件层面如何指定钳位电压并没有明确的定义。安森美开发了一种方法,通过示波器截图的形式,在ESD脉冲的时域内检查ESD保护二极管两端的整个电压波形,这些截图可以在所有ESD保护二极管的数据手册中找到。关于如何创建这些截图以及如何解读它们的更多信息,请参考AND8307/D。
| 设备 | 封装 | 包装 |
|---|---|---|
| ESD9LxxxST5G | SOD - 923(无铅) | 8000/卷带包装 |
| SESD9LxxxST5G | SOD - 923(无铅) | 8000/卷带包装 |
| SZESD9LxxxST5G | SOD - 923(无铅) | 8000/卷带包装 |
如果需要了解卷带规格的详细信息,包括零件方向和卷带尺寸,请参考安森美的卷带包装规格手册BRD8011/D。
安森美ESD9L、SESD9L系列ESD保护二极管以其超低电容、出色的钳位能力、快速响应时间等优势,为电子设备的ESD保护提供了可靠的解决方案。在高频设计和电路板空间有限的应用中,它能够有效保护电压敏感组件,提高系统的稳定性和可靠性。电子工程师在设计过程中,可以根据具体需求选择合适的型号,为产品的性能和质量提供保障。
大家在实际应用中是否遇到过ESD保护方面的问题呢?欢迎在评论区分享交流。
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