电子说
在当今高速数据传输的时代,静电放电(ESD)对电子设备的威胁日益凸显。为了保护高速数据线免受ESD的侵害,安森美推出了ESD8551和SZESD8551这两款ESD保护二极管。下面就带大家深入了解这两款产品。
文件下载:ESD8551-D.PDF
ESD8551和SZESD8551专为保护高速数据线免受ESD影响而设计。其超低电容和低ESD钳位电压的特性,使其成为保护对电压敏感的高速数据线的理想解决方案。
这两款产品有两种封装形式,分别是X2DFN2(CASE 714AB)和X2DFNW2(CASE 711BG)。标识方面,特定设备代码和日期代码清晰标注,方便识别和追溯。如X2DFN2封装中,A代表特定设备代码,M代表日期代码;X2DFNW2封装中,K代表特定设备代码,M代表日期代码。
该产品适用于多种高速数据接口,如USB 3.0、MHL 2.0、eSATA等。这些接口在现代电子设备中广泛应用,对ESD保护的需求十分迫切。
| 额定值 | 符号 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 工作结温范围 | $T_J$ | -55 至 +125 | °C |
| 储存温度范围 | $T_{stg}$ | -55 至 +150 | °C |
| 引脚焊接温度 - 最大(10秒) | $T_L$ | 260 | °C |
| IEC 61000 - 4 - 2 接触放电 | ESD | +20 | kV |
| IEC 61000 - 4 - 2 空气放电等 | +20 ±30 ±30 ±15 |
需注意,超过最大额定值可能会损坏设备,影响其功能和可靠性。
| 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 反向工作电压 | $V_{RWM}$ | I/O引脚到地 | 3.3 | V | |||
| 击穿电压 | $V_{BR}$ | $I_T$ = 1 mA,I/O引脚到地 | 5.5 | 7.9 | 8.3 | V | |
| 反向泄漏电流 | $I_R$ | $V_{RWM}$ = 3.3 V,I/O引脚到地 | 5 | 500 | nA | ||
| 反向保持电压 | $V_{HOLD}$ | I/O引脚到地 | 2.05 | V | |||
| 保持反向电流 | $I_{HOLD}$ | I/O引脚到地 | 17 | mA | |||
| 钳位电压 | $V_c$ | IEC61000 - 4 - 2,±8 KV接触 | V | ||||
| 钳位电压TLP | $V_c$ | $I_{pp}$ = 8A | IEC 61000 - 4 - 2 2级等效 | 9.0 | V | ||
| $I_{pp}$ = 16A | IEC 61000 - 4 - 2 4级等效(±8 kV接触,±8 kV空气) | 16.0 | |||||
| 动态电阻 | $R_{DYN}$ | 引脚1到引脚2 引脚2到引脚1 |
0.84 0.84 |
Ω | |||
| 结电容 | $C_J$ | $V_R$ = 0 V,f = 1 MHz | 0.20 | 0.30 | pF | ||
| 结电容 | $C_J$ | $V_R$ = 0 V,f = 2.5 GHz | 0.19 | 0.25 | pF |
产品的电气特性是在特定测试条件下给出的,实际应用中如果条件不同,性能可能会有所差异。
| 安森美的8000系列ESD保护器件采用了回滞、SCR型结构。在设计时,通过对常见高速串行接口进行负载线分析,考虑了闩锁情况。不同应用对SCR的要求不同,如下表所示: | 应用 | $V_{BR}$ (min) (V) | $I_H$ (min) (mA) | $V_H$ (min) (V) | 安森美ESD8000系列推荐型号 |
|---|---|---|---|---|---|
| HDMI 1.4/1.3a TMDS | 3.465 | 54.78 | 1.0 | ESD8104, ESD8040 | |
| USB 2.0 LS/FS | 3.301 | 1.76 | 1.0 | ESD8004, ESD8551 | |
| USB 2.0 HS | 0.482 | N/A | 1.0 | ESD8004, ESD8551 | |
| USB 3.0 SS | 2.800 | N/A | 1.0 | ESD8004, ESD8006, ESD8551 | |
| DisplayPort | 3.600 | 25.00 | 1.0 | ESD8004, ESD8006, ESD8551 |
需要注意的是,ESD8551不适合用于HDMI应用,而ESD8104或ESD8040更适合该应用且不会出现闩锁问题。
| 等级 | 测试电压 (kV) | 第一峰值电流 (A) | 30 ns时的电流 (A) | 60 ns时的电流 (A) |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 2 | 7.5 | 4 | 2 |
| 2 | 4 | 15 | 8 | 4 |
| 3 | 6 | 22.5 | 12 | 6 |
| 4 | 8 | 30 | 16 | 8 |
这些数据展示了产品在不同ESD等级下的电流响应情况,有助于工程师评估产品在实际应用中的ESD保护能力。
TLP能提供电流 - 电压(I - V)曲线,每个数据点来自于充电传输线的100 ns长矩形脉冲。TLP I - V曲线能准确展示ESD保护器件的ESD能力,因为其数十安培的电流水平和小于100 ns的时间尺度与ESD事件相匹配。通过将8 kV IEC 61000 - 4 - 2电流波形与8 A和16 A的TLP电流脉冲进行比较,可以直观地看到产品的ESD保护效果。
产品提供了X2DFNW - 2和X2DFN2两种封装的详细尺寸信息,包括顶视图、侧视图等,尺寸标注符合ASME Y14.5 - 2018标准,所有尺寸单位为毫米。同时还给出了推荐的安装脚印信息,工程师可根据实际需求进行参考。
综上所述,安森美的ESD8551和SZESD8551在高速数据线ESD保护方面表现出色,具有多种优势和特性。但在实际应用中,工程师需要根据具体的应用场景和需求,综合考虑各项参数和注意事项,以确保产品的可靠性和稳定性。大家在使用过程中有没有遇到过ESD保护相关的问题呢?欢迎在评论区分享交流。
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