安森美ESD7551和SZESD7551:超高性能ESD保护二极管的技术剖析

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安森美ESD7551和SZESD7551:超高性能ESD保护二极管的技术剖析

在电子设备的设计中,静电放电(ESD)保护是一个至关重要的环节。安森美(onsemi)推出的ESD7551和SZESD7551系列ESD保护二极管,为需要超低电容的电压敏感组件提供了出色的ESD和瞬态电压保护。今天,我们就来深入剖析这两款产品的特性、参数和应用。

文件下载:ESD7551-D.PDF

产品概述

ESD7551专为保护需要超低电容的电压敏感组件而设计,能有效应对ESD和瞬态电压事件。其具备出色的钳位能力、低电容、低泄漏和快速响应时间等特性,非常适合在电路板空间有限的设计中使用。此外,由于其低电容特性,该产品也适用于高频设计,如USB 2.0高速和天线线路应用。

产品特性

超低电容

ESD7551的电容最大值仅为0.35 pF,这一特性使其在高频应用中表现出色,能够有效减少信号干扰,确保信号的稳定传输。

低钳位电压

其关断电压为3.3 V,能够在ESD事件发生时迅速将电压钳位在较低水平,保护敏感组件不受高电压的损害。

低泄漏

低泄漏电流意味着产品在正常工作状态下消耗的功率较低,有助于提高系统的能效。

快速响应时间

响应时间小于1 ns,能够在瞬间对ESD事件做出反应,及时保护组件。

低动态电阻

动态电阻小于1 Ω,能够在ESD事件发生时提供低阻抗路径,有效降低电压峰值。

标准保护

该产品符合IEC 61000 - 4 - 2(Level 4)和ISO 10605标准,能够为设备提供可靠的ESD保护。

封装优势

SZESD7551MXWT5G采用可焊侧翼封装,便于自动化光学检测(AOI)。此外,带有SZ前缀的产品适用于汽车和其他有特殊场地和控制变更要求的应用,并且符合AEC - Q101标准,具备生产件批准程序(PPAP)能力。

环保特性

这些设备无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准,符合环保要求。

典型应用

RF信号ESD保护

在射频信号传输过程中,ESD事件可能会对信号质量产生严重影响。ESD7551和SZESD7551能够有效保护RF信号免受ESD的干扰,确保信号的稳定传输。

RF开关、功率放大器(PA)和天线ESD保护

在RF开关、PA和天线等关键组件中,ESD保护至关重要。这两款产品能够为这些组件提供可靠的ESD保护,提高设备的可靠性和稳定性。

近场通信(NFC)

在NFC应用中,ESD事件可能会导致通信中断或数据丢失。ESD7551和SZESD7551能够有效保护NFC设备免受ESD的影响,确保通信的正常进行。

最大额定值

额定值 符号 单位
FR - 5板上的总功耗(注1)@ $T_{A}=25^{circ} C$ $P_{D}$ 250 mW
热阻,结到环境 $R_{UA}$ 400 °C/W
结和存储温度范围 $T{J}$,$T{stg}$ -55 至 +150 °C
引脚焊接温度 - 最大(10秒持续时间) $T_{L}$ 260 °C
ESD ±25 kV
IEC 61000 - 4 - 2接触、IEC 61000 - 4 - 2空气、ISO 10605 150 pF/2 kΩ、ISO 10605 330 pF/2 kΩ、ISO 10605 330 pF/330Ω +25、±30、±30、±20 kV

需要注意的是,超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏设备。如果超过这些限制,设备的功能可能无法保证,可能会发生损坏并影响可靠性。

电气特性

参数 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位
反向工作电压 $V_{RWM}$ 3.3 V
击穿电压(注2) $V_{BR}$ $I_{T} = 1 mA$ 5.0 6.0 7.5 V
反向泄漏电流 $I_{R}$ $V_{RWM} = 3.3 V$ <1.0 50 nA
钳位电压(注3) $V_{c}$ $I_{PP} = 1 A$ 10 V
钳位电压(注3) $V_{c}$ $I_{PP} = 3 A$ 13 V
ESD钳位电压 $V_{C}$ 符合IEC61000 - 4 - 2
结电容 $C_{J}$ $V{R} = 0 V$,$f = 1 MHz$;$V{R} = 0 V$,$f = 1 GHz$ 0.25、0.22 0.35、0.35 pF
动态电阻 $R_{DYN}$ TLP脉冲 0.55 2

注2:击穿电压从引脚1到2和引脚2到1进行测试。注3:在$T_{A}=25^{circ} C$时,非重复电流脉冲,符合IEC61000 - 4 - 5波形。

ESD电压钳位

对于敏感电路元件,在ESD事件期间将IC暴露的电压限制在尽可能低的水平非常重要。ESD钳位电压是ESD保护二极管在ESD事件期间根据IEC61000 - 4 - 2波形的电压降。安森美开发了一种方法,通过示波器截图的形式在ESD脉冲的时域内检查ESD保护二极管上的整个电压波形,相关信息可在所有ESD保护二极管的数据表中找到。如需了解安森美如何创建这些截图以及如何解释它们,请参考AND8307/D。

机械封装和推荐安装

产品提供X2DFNW - 2和X2DFN2两种封装,尺寸分别为1.00x0.60x0.37,引脚间距为0.65P。详细的封装尺寸和公差信息可参考文档。同时,文档还提供了推荐的安装脚印,如需了解更多关于无铅策略和焊接细节的信息,请下载安森美焊接和安装技术参考手册(SOLDERRM/D)。

总结

安森美ESD7551和SZESD7551系列ESD保护二极管以其出色的性能和丰富的特性,为电子设备的ESD保护提供了可靠的解决方案。无论是在高频应用还是对电路板空间有严格要求的设计中,这两款产品都能发挥重要作用。电子工程师在设计过程中,可以根据具体需求选择合适的产品,确保设备的可靠性和稳定性。

你在实际设计中是否遇到过ESD保护方面的挑战?欢迎在评论区分享你的经验和见解。

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