电子说
在电子设备的设计中,静电放电(ESD)保护是一个至关重要的环节,它能够有效保护电压敏感组件免受ESD和瞬态电压事件的损害。安森美(onsemi)推出的ESD7410超低电容微型封装ESD保护二极管,凭借其出色的性能和特性,成为众多应用领域的理想选择。
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ESD7410专为保护需要超低电容的电压敏感组件而设计,能有效抵御ESD和瞬态电压事件。它在电压范围内具有行业领先的电容线性度,这一特性使其非常适合射频(RF)应用。再加上极小的封装尺寸和低插入损耗,该器件特别适用于无线手机和终端的天线线路应用。
ESD7410的最大电容小于1.0 pF,这种超低电容特性对于高频应用至关重要,能够有效减少信号的衰减和失真,确保信号的高质量传输。
在电压变化过程中,ESD7410展现出行业领先的电容线性度。这意味着在不同的电压条件下,其电容值的变化非常稳定,能够为RF应用提供更加稳定的性能。
在1 GHz时插入损耗仅为0.1 dB,在3 GHz时为0.3 dB。低插入损耗能够保证信号在传输过程中的能量损失最小化,从而提高系统的整体性能。
最大泄漏电流小于1 μA,低泄漏电流有助于降低功耗,提高系统的能效。
符合IEC61000 - 4 - 2(ESD)4级标准,接触放电可达±30 kV;ISO 10605(ESD)330 pF/2 k条件下接触放电也能达到±30 kV,为设备提供可靠的ESD保护。
SZESD7410MXWT5G采用可焊侧翼封装,有利于自动光学检测(AOI),提高生产效率和产品质量。
带有SZ前缀的产品适用于汽车和其他有独特场地和控制变更要求的应用,并且通过了AEC - Q101认证,具备生产件批准程序(PPAP)能力。
这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准,符合环保要求。
在RF信号传输过程中,ESD7410能够有效保护敏感的RF组件,确保信号的稳定传输。
有源天线容易受到ESD的影响,ESD7410可以为其提供可靠的保护,延长天线的使用寿命。
在NFC应用中,ESD7410能够保障通信的稳定性和可靠性,防止ESD对通信造成干扰。
在环境温度 (T_{A}=25^{circ} C) 条件下,总功率耗散为300 mW,结到环境的热阻为400 °C/W;峰值功率耗散在8/20双指数波形下为136 W;结和存储温度范围为 - 55°C到 + 150°C;引脚焊接温度最大为260°C(持续10秒);最大峰值脉冲电流(8/20)为6.4 A;在多种ESD测试条件下,接触放电均能达到±30 kV,人体模型(HBM)为±8 kV。
| 符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VRWM | 反向工作电压 | - | - | - | 9.5 | V |
| VBR | 击穿电压 | (I_{T}=1 ~mA) (注3) | 10 | - | - | V |
| IR | 反向泄漏电流 | VRWM = 9.5 V | - | - | 1.0 | uA |
| Vc | 钳位电压 | IEC 61000 - 4 - 2,(pm 8 kV) 接触 | - | 见图表7和8 | - | V |
| Vc | 钳位电压,TLP(注4) | IPP = 8 A,PP = 16A,Ipp = - 8A,PP = - 16A | - | 18,20, - 18, - 20 | - | V |
| PP | 反向峰值脉冲电流 | IEC 61000 - 4 - 2(8/20 μs) | 5.0 | - | - | A |
| Vc | 钳位电压(8/20 us) | PP = 5.0A | - | 18.4 | 19.4 | V |
| RDYN | 动态电阻 | TLP脉冲 | - | 1.0 | - | Ω |
| CJ | 结电容 | VR = 0 V,f = 1 MHz;VR = 0V,f = 1 GHz | - | 0.40,0.35 | 1.0,0.7 | pF |
| - | 插入损耗 | f = 1 GHz;f = 3 GHz | - | 0.1,0.3 | - | dB |
注3:击穿电压是从引脚1到2和引脚2到1进行测试。注4:采用传输线脉冲(TLP)模型进行静电放电敏感度测试,TLP条件为 (Z{0}=50 Omega) , (t{p}=100 ~ns) , (t{r}=4 ~ns) ,平均窗口为 (t{1}=30) ns到 (t_{2}=60 ~ns) 。
文档中提供了多种典型特性曲线,包括典型IV特性、典型CV特性、IR与温度特性、稳态功率降额、8 X 20 s脉冲波形、钳位电压与峰值脉冲电流(8/20 s)关系等曲线。这些曲线能够帮助工程师更好地了解ESD7410在不同条件下的性能表现,从而进行更合理的设计。
对于敏感电路元件,在ESD事件期间将IC所承受的电压限制在尽可能低的水平非常重要。ESD钳位电压是指在ESD事件期间,ESD保护二极管两端的电压降。安森美通过示波器截图的形式,在所有ESD保护二极管的数据手册中展示ESD脉冲时域内ESD保护二极管两端的整个电压波形。如需了解更多关于如何创建这些截图以及如何解读它们的信息,请参考AND8307/D。
TLP提供电流与电压(I - V)曲线,每个数据点是从充电传输线的100 ns长矩形脉冲获得的。ESD保护器件的TLP I - V曲线能够准确展示产品的ESD能力,因为其数十安培的电流水平和低于100 ns的时间尺度与ESD事件相匹配。通过TLP I - V曲线可以了解器件的开启电压以及在不同电流水平下的电压钳位能力。
ESD7410有X2DFN2和X2DFNW2两种封装形式,均为无铅封装,每盘8000个。具体的机械尺寸和推荐的安装脚印等信息可参考相关文档。
安森美ESD7410超低电容ESD保护二极管凭借其超低电容、卓越的电容线性度、低插入损耗、强大的ESD保护能力等特性,在RF信号保护、有源天线保护、近场通信等领域具有广泛的应用前景。电子工程师在设计过程中,可以根据实际需求选择合适的封装和型号,以确保设备的稳定性和可靠性。你在实际应用中是否遇到过ESD保护方面的问题呢?又是如何解决的呢?欢迎在评论区分享你的经验。
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