解析 onsemi 的 ESD7481 和 SZESD7481 静电保护二极管

在电子设备中，静电放电（ESD）是一个常见且具有潜在危害的问题。而 onsemi 推出的 ESD7481 和 SZESD7481 静电保护二极管，为解决这一问题提供了有效的方案。下面我们就来详细了解这两款产品。

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产品概述

ESD7481 专为保护对电压敏感且需要超低电容的组件免受 ESD 和瞬态电压事件的影响而设计。其出色的钳位能力、低电容、低泄漏和快速响应时间，使其成为空间有限设计中 ESD 保护的理想选择。由于其低电容特性，该器件非常适合用于高频设计，如 USB 2.0 高速和天线线路应用。

产品特性

电气特性

1. 超低电容：电容值低至 0.25 pF，在高频应用中能有效减少信号干扰。
2. 低钳位电压：在不同电流下具有较低的钳位电压，如 IPP = 1 A 时，钳位电压 VC 为 10 V；IPP = 3 A 时，VC 为 12 V。
3. 低泄漏电流：在 VRWM = 3.3 V 时，最大反向泄漏电流 IR 小于 1.0 - 50 nA。
4. 快速响应时间：响应时间小于 1 ns，能迅速对 ESD 事件做出反应。
5. 低动态电阻：动态电阻 RDYN 小于 1 Ω，有助于降低功耗。

物理特性

1. 小巧的外形尺寸：主体尺寸为 0.60 mm x 0.30 mm，高度仅 0.3 mm，节省电路板空间。
2. 工作电压：耐受电压为 3.3 V，适用于多种常见电路。
3. 插入损耗低：在 1 MHz 时插入损耗为 0.030 dBm，对信号传输影响小。

防护等级

符合 IEC61000 - 4 - 2 4 级 ESD 保护标准，能有效抵御较高强度的静电放电。

环保特性

这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 标准，环保性能良好。

典型应用

• RF 信号 ESD 保护：可用于 RF 开关、功率放大器（PA）和天线等设备的 ESD 保护。
• 近场通信（NFC）：保障 NFC 设备在使用过程中免受静电干扰。

订购信息

器件型号	封装	包装数量
ESD7481MUT5G	X3DFN2（无铅）	10000 / 卷带
SZESD7481MUT5G	X3DFN2（无铅）	15000 / 卷带

最大额定值

额定值	详细情况	符号	值	单位
IEC 61000 - 4 - 2（ESD）	接触放电/空气放电		±20/+20	kV
总功率耗散（FR - 5 板，$T_{A}=25^{circ} C$）		PD	250	mW
热阻，结到环境		RUA	400	°C/W
结和存储温度范围		TJ, Tstg	-40 至 +125	°C
引脚焊接温度（最大，10 秒持续时间）		TL	260	°C

需要注意的是，超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。如果超出这些限制，不能保证器件的功能，可能会造成损坏并影响可靠性。

ESD 电压钳位

对于敏感电路元件，在 ESD 事件期间将 IC 所承受的电压限制在尽可能低的水平至关重要。ESD 钳位电压是指在 ESD 事件期间，按照 IEC61000 - 4 - 2 波形，ESD 保护二极管两端的电压降。onsemi 开发了一种方法，通过示波器截图来检查 ESD 保护二极管在 ESD 脉冲时域内的整个电压波形，这些截图可在所有 ESD 保护二极管的数据表中找到。若想了解 onsemi 如何创建这些截图以及如何解读它们，请参考 AND8307/D。

机械封装尺寸

X3DFN2 封装的尺寸为 0.62x0.32x0.24，引脚间距 0.35P。详细的尺寸信息如下：	尺寸	最小值（mm）	标称值（mm）	最大值（mm）
A	0.25	0.29	0.33
A1	0.00		0.05
A2	0.14	0.24	0.34
b	0.22	0.25	0.28
b2		0.150 REF
D	0.58	0.62	0.66
E	0.28	0.32	0.36
e	0.355 BSC
L2	0.17	0.20	0.23
L3	0.050 REF

总结

onsemi 的 ESD7481 和 SZESD7481 静电保护二极管凭借其出色的电气特性、小巧的外形和良好的 ESD 保护能力，在高频和空间受限的应用中具有很大的优势。电子工程师在进行电路设计时，可以根据具体需求考虑使用这两款产品，以提高电路的稳定性和可靠性。你在实际设计中是否遇到过 ESD 问题呢？又是如何解决的呢？欢迎在评论区分享你的经验。