电子说
在电子设备设计中,静电放电(ESD)保护是至关重要的一环。今天我们来深入了解安森美(onsemi)推出的ESD7181和SZESD7181 ESD保护二极管,看看它们在保护电压敏感组件方面的卓越表现。
文件下载:ESD7181MU-D.PDF
ESD7181专为保护需要超低电容的电压敏感组件免受ESD和瞬态电压事件的影响而设计。它具有出色的钳位能力、低电容、低泄漏和快速响应时间,非常适合在电路板空间有限的设计中用于ESD保护。同时,它在电压范围内具有行业领先的电容线性度,使其成为射频(RF)应用的理想选择。
| 设备型号 | 封装 | 包装规格 |
|---|---|---|
| ESD7181MUT5G | X3DFN2 (Pb - Free) | 10000 / Tape & Reel |
| SZESD7181MUT5G | X3DFN2 (Pb - Free) | 15000 / Tape & Reel |
其中,SZ前缀适用于汽车和其他需要独特站点和控制变更要求的应用,并且该产品通过了AEC - Q101认证,具备生产件批准程序(PPAP)能力。
在RF信号传输中,低电容和低插入损耗特性使得ESD7181和SZESD7181能够有效保护RF信号免受ESD干扰,确保信号的稳定传输。
无线充电器在工作过程中容易受到ESD影响,这些二极管可以为其提供可靠的ESD保护,提高充电器的稳定性和可靠性。
在这些关键的RF组件中,ESD保护至关重要。ESD7181和SZESD7181可以在ESD事件发生时快速响应,保护组件免受损坏。
NFC设备对ESD非常敏感,该二极管可以为NFC设备提供有效的ESD保护,确保通信的正常进行。
对于敏感电路元件,将IC在ESD事件期间暴露的电压限制在尽可能低的水平非常重要。安森美开发了一种方法,通过示波器截图的形式在ESD脉冲的时域内检查ESD保护二极管两端的整个电压波形,具体信息可参考应用笔记AND8307/D。
TLP测量可以提供电流与电压(I - V)曲线,准确展示产品的ESD能力。因为其10s的安培电流水平和低于100 ns的时间尺度与ESD事件相匹配。通过TLP I - V曲线,可以了解设备的开启电压以及在不同电流水平下的电压钳位能力。
ESD7181和SZESD7181 ESD保护二极管凭借其卓越的电气特性、小尺寸封装和广泛的应用场景,为电子工程师在设计中提供了可靠的ESD保护解决方案。在实际设计中,工程师们可以根据具体需求选择合适的型号,并结合相关的测试和评估方法,确保产品的稳定性和可靠性。大家在使用这些二极管进行设计时,有没有遇到过什么特别的挑战呢?欢迎在评论区分享你的经验。
全部0条评论
快来发表一下你的评论吧 !