电子说
在电子设备的设计中,静电放电(ESD)是一个常见且可能对电路造成严重损害的问题。Onsemi的ESD51x1系列ESD保护二极管,为电压敏感组件提供了可靠的ESD保护,尤其适用于对电路板空间要求较高的便携式和可穿戴设备。
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ESD51x1系列旨在保护电压敏感组件免受ESD的影响。它具有出色的钳位能力、低泄漏电流和快速响应时间,能为暴露于ESD环境的设计提供一流的保护。由于其尺寸小巧,非常适合用于智能手机、智能手表等便携式/可穿戴应用。
I/O到地的最大电容仅为5pF,低电容特性有助于减少信号失真,保证信号的完整性,在高频信号传输中表现出色。这对于对信号质量要求较高的设备,如智能手机的高速数据接口,是非常关键的特性。
提供01005(0.435 x 0.23 mm)和0201(0.6 x 0.3 mm)两种尺寸的封装,这种小尺寸封装大大节省了电路板空间,对于空间有限的便携式设备设计来说是一个重要的优势。
能够为IEC 61000 - 4 - 2(Level 4)标准提供保护,具备±15 kV的ESD接触和空气放电能力,确保设备在复杂的电磁环境中稳定运行。
较低的ESD钳位电压可以有效限制ESD事件时的电压峰值,降低对被保护组件的损害风险。
这些设备无铅、无卤素/BFR,符合RoHS标准,满足环保要求。
I/O引脚到地的反向工作电压最大为3.3V。
当测试电流$I_T = 1 mA$时,I/O引脚到地的击穿电压在3.68V到6.5V之间。
在反向工作电压为3.3V时,I/O引脚到地的反向泄漏电流最大为0.1μA,低泄漏电流有助于降低功耗。
在不同的脉冲电流下,ESD5101和ESD5111具有不同的钳位电压。例如,在$I{pp} = 8A$时,等效于IEC 61000 - 4 - 2 Level 2(±4 kV接触,±4 kV空气)的钳位电压典型值为5.5V;在$I{pp} = 16A$时,等效于IEC 61000 - 4 - 2 Level 2(±8 kV接触)的钳位电压为6.5V。
在$V_R = 0 V$,$f = 1 MHz$的条件下,结电容最大为5.5pF。
TLP测量能够提供电流与电压(I - V)曲线,每个数据点来自于一个100 ns长的矩形脉冲。TLP I - V曲线准确地展示了ESD保护器件的ESD能力,因为其数十安培的电流水平和小于100 ns的时间尺度与ESD事件相匹配。通过比较8 kV IEC 61000 - 4 - 2电流波形与8 A和16 A的TLP电流脉冲,可以直观地看到TLP测量的有效性。
ESD51x1系列提供多种封装形式,不同封装有各自的尺寸和标记图。例如DSN2(01005)封装、WLCSP2(0201)封装等,同时还给出了推荐的焊盘尺寸。在进行电路板设计时,需要根据具体的封装形式和尺寸要求进行布局。
ESD5101FCT5G采用DSN2(无铅)封装,每卷10,000个;ESD5111FCT5G采用WLCSP2(无铅)封装,每卷10,000个;ESD5111PFCT5G采用DSN2(无铅)封装,每卷10,000个。在订购时,需要注意这些细节。
在实际的电子设计中,ESD保护是一个不可忽视的环节。Onsemi的ESD51x1系列ESD保护二极管凭借其出色的性能和小巧的尺寸,为工程师们提供了一个优秀的解决方案。你在设计中是否使用过类似的ESD保护二极管呢?它们在实际应用中的表现如何?欢迎在评论区分享你的经验。
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