Onsemi互补硅塑料功率晶体管TIP29和TIP30系列介绍

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Onsemi互补硅塑料功率晶体管TIP29和TIP30系列介绍

作为电子工程师,在设计通用放大器和开关应用电路时,选择合适的功率晶体管至关重要。今天给大家介绍Onsemi公司的TIP29(NPN)和TIP30(PNP)系列互补硅塑料功率晶体管,它们采用紧凑的TO - 220封装,适用于多种通用应用场景。

文件下载:TIP29B-D.PDF

产品特点

TIP29和TIP30系列晶体管具有以下显著特点:

  • 环保合规:这些器件是无铅的,并且符合RoHS标准,满足环保要求。
  • 高功率处理能力:能够承受高达80瓦的功率,适用于需要高功率输出的应用。
  • 多种电压等级可选:提供40V、60V、80V和100V等不同的电压额定值,可根据具体应用需求进行选择。

主要参数

最大额定值

符号 额定值描述 单位
(V_{CEO}) 集电极 - 发射极电压(不同型号) 40、60、80、100 Vdc
(V_{CB}) 集电极 - 基极电压(不同型号) 40、60、80、100 Vdc
(V_{EB}) 发射极 - 基极电压 5.0 Vdc
(I_{C}) 集电极连续电流 1.0 Adc
(I_{CM}) 集电极峰值电流 3.0 Adc
(I_{B}) 基极电流 0.4 Adc
(P_{D}) 总功率耗散((T_{C}=25^{circ}C))及以上降额 30、0.24 W、W/°C
(P_{D}) 总功率耗散((T_{A}=25^{circ}C))及以上降额 2.0、0.016 W、W/°C
(E) 无钳位电感负载能量 32 mJ
(T{J}, T{stg}) 工作和存储结温范围 –65 至 +150 °C

热特性

符号 特性 最大值 单位
(R_{UA}) 结到环境的热阻 62.5 °C/W
(R_{BC}) 结到外壳的热阻 4.167 °C/W

电气特性

截止特性

在不同的集电极 - 发射极电压下,集电极截止电流 (I{CES}) 最大为200μAdc;发射极截止电流 (I{BO}) 在 (V{BE}=5.0Vdc),(I{C}=0) 时最大为1.0mAdc。

导通特性

  • 直流电流增益 (h_{FE}):在 (I{C}=0.2Adc),(V{CE}=4.0Vdc) 时为40 - 75;在 (I{C}=1.0Adc),(V{CE}=4.0Vdc) 时为15 - 75。
  • 集电极 - 发射极饱和电压 (V_{CE(sat)}):在 (I{C}=1.0Adc),(I{B}=125mAdc) 时最大为0.7Vdc。
  • 基极 - 发射极导通电压 (V_{BE(on)}):在 (I{C}=1.0Adc),(V{CE}=4.0Vdc) 时最大为1.3Vdc。

动态特性

  • 电流增益 - 带宽积 (f_{T}):在 (I{C}=200mAdc),(V{CE}=10Vdc),(f_{test}=1.0MHz) 时为3.0MHz。
  • 小信号电流增益 (h_{fe}):在 (I{C}=0.2Adc),(V{CE}=10Vdc),(f = 1.0kHz) 时为20。

安全工作区

晶体管的功率处理能力受到平均结温和二次击穿两个因素的限制。安全工作区曲线表示了 (I{C}-V{CE}) 的工作范围,即晶体管的耗散功率不能超过曲线所示的值。图5的数据基于 (T{J(pk)}=150^{circ}C),(T{C}) 会根据具体条件而变化。二次击穿脉冲限制在占空比为10%且 (T_{J(pk)}≤150^{circ}C) 时有效。在高外壳温度下,热限制会使可处理的功率低于二次击穿所施加的限制。

订购信息

器件 封装 包装
TIP29G TO - 220(无铅) 50个/导轨
TIP29AG TO - 220(无铅) 50个/导轨
TIP29BG TO - 220(无铅) 50个/导轨
TIP29CG TO - 220(无铅) 50个/导轨
TIP30G TO - 220(无铅) 50个/导轨
TIP30AG TO - 220(无铅) 50个/导轨
TIP30BG TO - 220(无铅) 50个/导轨
TIP30CG TO - 220(无铅) 50个/导轨

机械尺寸

TO - 220 - 3封装的尺寸如下: 尺寸 最小值 标称值 最大值
A 4.07 4.45 4.83
A1 1.15 1.28 1.41
A2 2.04 2.42 2.79
b 1.15 1.34 1.52
b1 0.64 0.80 0.96
C 0.36 0.49 0.61
D 9.66 10.10 10.53
D1 8.43 8.63 8.83
E 14.48 15.12 15.75
E1 12.58 12.78 12.98
E2 1.27 REF
e 2.42 2.54 2.66
e1 4.83 5.08 5.33
H1 5.97 6.22 6.47
L 12.70 13.49 14.27
L1 2.80 3.45 4.10
Q 2.54 2.79 3.04
OP 3.60 3.85 4.09
Z 3.48

在实际设计中,我们需要根据具体的应用需求,综合考虑这些参数,确保晶体管在安全工作区内运行。同时,要注意器件的热管理,以保证其性能和可靠性。大家在使用这些晶体管时,有没有遇到过什么特别的问题呢?欢迎在评论区分享交流。

更多技术资料可访问Onsemi技术库:[Technical Library](www.onsemi.com/design/resources/technical - documentation),如需在线支持,可访问 www.onsemi.com/support 或联系当地销售代表 www.onsemi.com/support/sales

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