电子说
在电子设备飞速发展的今天,充电器作为不可或缺的配件,其性能和效率备受关注。本次我们将深入探讨一款采用700V CoolMOS™ P7的15W 5V充电器参考设计——EVAL_15W_5V_FLYB_P7,它使用了IPS70R1K4P7S、ICE2QS03G以及BSC067N06LS3 G等关键元件,为我们带来了高效、小型化且具备多种保护功能的解决方案。
文档中提供了评估板EVAL_15W_5V_FLYB_P7的透视图、顶部和底部视图,让我们对其外观有了直观的认识。
该充电器的输入电压范围为85VAC - 265VAC,频率为50 - 60Hz,输出电压稳定在5V,输出电流可达3A。
清晰的电路原理图展示了充电器的电路结构,为工程师进行设计和调试提供了重要依据。
给出了PCB顶层和底层的铜层布局图,合理的布局有助于提高充电器的性能和稳定性。
详细列出了充电器所使用的各种元件,包括元件的型号、封装、制造商和数量等信息。例如,使用了SHINDENGEN的800V/1A二极管BR1,MURATA的多种电容等。
变压器采用RM6 TP4A磁芯和材料,RM6带3引脚的骨架,初级电感Lp = 718μH(±10%),并给出了绕组的起始和终止位置、线径以及层数等信息。
若要深入了解控制方法和组件的详细信息,可参考AN_201411_PL21_002应用笔记,其中包含了详细的电路描述、电路操作和控制器的保护功能。
在115VAC和230VAC输入电压下,IPS70R1K4P7S在整个负载范围内的表现均优于IPS65R1K5CE。在低输入电压下,平均效率提高了0.3%;在高输入电压下,平均效率提高了约0.25%。这表明700V CoolMOS™ P7在提高充电器效率方面具有显著优势。
在初级侧高压MOSFET的热性能方面,IPS70R1K4P7S表现出色。在相同测试条件下,无论是低输入电压(115VAC)还是高输入电压(230VAC),其模塑料温度都有显著降低。在115VAC输入时,优势约为2°C;在230VAC输入时,优势约为4.5°C。不过,700V CoolMOS™ P7在高输入电压下的热优势更为明显,这与P7和CE技术之间的Eoss差异有关。
在MOSFET导通过程中,Eoss是造成损耗的主要因素之一。700V CoolMOS™ P7从80V VDS开始就具有最低的Eoss。在准谐振反激式转换器中,虽然不存在Eon损耗,但每次导通时基于输出电容储能会产生额外损耗。700V CoolMOS™ P7的Eoss较低,使得其导通损耗比IPS65R1K5CE降低了约30%,这为提高开关频率提供了可能。
在低功率市场中,导通损耗对系统效率和热性能有重要影响,特别是在低输入电压(如90VAC或115VAC)情况下。700V CoolMOS™ P7由于其MOSFET结构,在结温升高时,导通电阻RDS(on)的变化最小。在150°C结温时,与英飞凌的CoolMOS™ CE系列相比,其最大RDS(on)降低了约21%,从而有效降低了MOSFET的导通损耗。
约95%的反激式转换器采用峰值电流控制。在充电器和适配器应用中,当栅源电压下降(如在突发模式操作期间)时,MOSFET可能无法承载足够的电流以达到峰值电流,从而导致MOSFET工作在线性区域,最终损坏应用。而700V CoolMOS P7具有非常窄的VGS(th)(栅源阈值电压)窗口,范围为2.5V - 3.5V,典型值为3.0V。此外,它在低栅源电压下具有出色的跨导特性,这不仅可以有意降低栅源电压以减少整体驱动损耗,还能满足新的无负载运行要求。
700V CoolMOS™ P7为高开关频率应用提供了可能,有助于减少应用中的磁性元件数量,从而实现更小的外形尺寸和更高的功率密度。它在高输入电压下由于Eoss特性表现出色,在低输入电压下由于RDS(on)的温度依赖性也能保持良好性能。此外,其典型的VGS(th)和传输特性斜率为峰值电流控制设计减少故障提供了额外保障。
作为电子工程师,我们在设计充电器时,不妨考虑采用700V CoolMOS™ P7,它将为我们带来更高效、更可靠的设计方案。你在实际设计中是否遇到过类似的挑战?你对700V CoolMOS™ P7的应用有什么独特的见解呢?欢迎在评论区分享你的经验和想法。
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