CIPOS™ Tiny IM393-X6F:高效电机驱动IPM的技术解析与应用指南

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CIPOS™ Tiny IM393-X6F:高效电机驱动IPM的技术解析与应用指南

在电子工程师的日常工作中,为各类电器设备选择合适的功率模块是一项关键任务。今天,我们要深入探讨的是英飞凌的CIPOS™ Tiny IM393-X6F,这是一款专为先进家电电机驱动应用设计的集成功率混合IC。

文件下载:EVALM1CTF620N3TOBO1.pdf

一、产品概述

IM393-X6F是一款20A、600V的集成功率混合IC,具有开放发射极引脚,适用于节能风扇和泵等先进家电电机驱动应用。英飞凌的这项技术将极其紧凑、高性能的交流电机驱动器集成在单个隔离封装中,大大简化了设计流程。

该先进IPM结合了英飞凌最新的低VCE(on)沟槽IGBT技术,在导通和开关损耗之间实现了最佳平衡,同时集成了行业标杆的三相高压、高速驱动器(3.3V兼容),采用全隔离热增强封装。内置的高精度温度监测和过流保护功能,以及短路额定IGBT和集成欠压锁定功能,确保了高水平的保护和故障安全运行。采用单排直插式封装和全转移模结构,解决了与散热器的隔离问题。

二、产品特性

2.1 集成功能

  • 集成栅极驱动器和自举功能:简化了电路设计,提高了系统的可靠性。
  • 温度监测:通过内置的高精度温度监测功能,实时监控模块温度,确保系统在安全温度范围内运行。
  • 保护关断引脚:当出现异常情况时,可迅速切断电源,保护模块和设备。

2.2 先进技术

  • 低VCE(on)沟槽IGBT技术:降低了导通损耗,提高了能源效率。
  • 所有通道的欠压锁定:防止因电压过低导致的设备故障。
  • 匹配的传播延迟:确保各通道信号同步,提高系统稳定性。

2.3 电气特性

  • 3.3V施密特触发输入逻辑:增强了抗干扰能力,提高了信号处理的准确性。
  • 交叉导通防止逻辑:避免同一逆变器相的高侧和低侧开关同时导通,降低短路风险。
  • 隔离性能:最小隔离电压为2000VRMs,CTI > 600,确保了良好的电气隔离。
  • UL认证:获得UL认证(文件编号:E314539),证明了产品的安全性和可靠性。

三、潜在应用

IM393-X6F的应用范围广泛,包括但不限于以下领域:

  • 洗衣机:为洗衣机的电机提供高效稳定的驱动,实现节能和安静运行。
  • 空调:精确控制空调压缩机和风扇电机,提高空调的能效和性能。
  • 冰箱:确保冰箱压缩机的稳定运行,延长冰箱的使用寿命。
  • 风扇:为各种风扇提供高效驱动,降低能耗。
  • 洗碗机:驱动洗碗机的水泵和电机,实现高效的清洗功能。
  • 低功率电机驱动:适用于各种低功率电机的驱动需求。

四、产品验证

该产品已通过JEDEC47/20/22相关测试,符合工业应用要求,这意味着它在性能和可靠性方面都经过了严格的验证。

五、详细参数解析

5.1 绝对最大额定值

  • 模块:工作结温范围为 -40 ~ 150°C,工作壳温范围为 -40 ~ 125°C,储存温度范围为 -40 ~ 125°C,隔离测试电压为2000V(AC RMS,1分钟,60Hz)。
  • 逆变器:阻断电压为600V,P-N直流母线电源电压为450V,P-N直流母线电源电压(浪涌)为500V,输出电流为±20A(TC = 25°C,TJ < 150°C),峰值输出电流为±30A(TC = 25°C,TJ < 150°C,小于1ms),每个IGBT的功率损耗为27W,短路耐受时间为3μs(TJ < 150°C,VDC = 360V,VGE = 15V)。
  • 控制:逻辑电源电压范围为 -0.3 ~ 20V,输入电压范围为 -0.3 ~ 20V,高侧浮动电源电压范围为 -0.3 ~ 20V。

5.2 热特性

  • 单个IGBT的结壳热阻典型值为4.0°C/W,最大值为4.6°C/W。
  • 单个二极管的结壳热阻典型值为5.4°C/W,最大值为6.2°C/W。

5.3 推荐工作条件

  • 正直流母线输入电压为450V。
  • 低侧控制电源电压范围为13.5 ~ 16.5V。
  • 高侧浮动电源电压范围为12.5 ~ 17.5V。
  • 输入电压范围为0 ~ 5V。
  • PWM载波频率为20kHz。
  • COM和N之间的电压(包括浪涌)范围为 -5 ~ 5V。
  • HIN和LIN之间的外部死区时间为1μs。
  • 输入脉冲宽度为1μs。

5.4 静态参数

  • 逆变器:集电极 - 发射极饱和电压在IC = 10A时,典型值为1.5V,最大值为1.9V;在IC = 10A,TJ = 150°C时,典型值为1.7V。集电极 - 发射极泄漏电流在VIN = 0V,VCE = 600V时,典型值为10μA,最大值为80μA;在VIN = 0V,VCE = 600V,TJ = 150°C时,典型值为80μA。二极管正向电压降在IC = 10A时,典型值为1.6V,最大值为2.2V;在IC = 10A,TJ = 150°C时,典型值为1.6V。
  • 控制:逻辑“1”输入电压典型值为2.5V,逻辑“0”输入电压最大值为0.8V。VDD/VBS电源欠压正向阈值范围为9.6 ~ 11.2V,负向阈值范围为8.6 ~ 10.2V,欠压锁定滞后典型值为1V。静态VBS电源电流最大值为150μA,静态VDD电源电流最大值为3.2mA,偏移电源泄漏电流最大值为50μA。LIN、HIN的输入偏置电流在VIN = 3.3V时,典型值为825μA,最大值为1110μA;RFE的输入偏置电流在VREF = 3.3V时,最大值为1μA;ITRIP的输入偏置电流在VITRIP = 3.3V时,典型值为4μA,最大值为16μA。ITRIP阈值电压范围为0.44 ~ 0.54V,ITRIP输入滞后为0.07V,自举电阻典型值为200Ω,RFE低导通电阻范围为50 ~ 100Ω。

5.5 动态参数

  • 逆变器:输入到输出导通传播延迟典型值为1.15μs,输入到输出关断传播延迟典型值为1.15μs,RFE低到六个开关关断传播延迟典型值为1.35μs,ITRIP到六个开关关断传播延迟典型值为1.5μs。IGBT导通能量在VDC = 300V,IC = 10A,TJ = 25°C时典型值为290μJ,TJ = 150°C时典型值为400μJ;IGBT关断能量在VDC = 300V,IC = 10A,TJ = 25°C时典型值为155μJ,TJ = 150°C时典型值为210μJ;二极管反向恢复能量在VDC = 300V,IC = 10A,TJ = 25°C时典型值为35μJ,TJ = 150°C时典型值为70μJ。反向偏置安全工作区在TJ = 150°C,IC = 40A,VP = 600V,VDC = 450V,VDD = +15V到0V时为全方形。
  • 控制:输入滤波时间(HIN、LIN、ITRIP)典型值为350ns,输入滤波时间(RFE)范围为100 ~ 200ns,ITRIP到故障传播延迟范围为400 ~ 800ns,内部注入死区时间范围为190 ~ 420ns,所有通道匹配传播延迟时间(导通和关断)最大值为50ns。

5.6 热敏电阻特性

  • 25°C时的电阻范围为44.65 ~ 49.35kΩ。
  • 125°C时的电阻范围为1.27 ~ 1.56kΩ。
  • B常数范围为3989 ~ 4111K。
  • 温度范围为 -40 ~ 125°C。

5.7 机械特性和额定值

  • 壳到散热器的热阻典型值为0.25°C/W。
  • 相比漏电起痕指数为600V。
  • 模块背面曲率范围为0 ~ 150μm。
  • 安装扭矩范围为0.6 ~ 0.8Nm。
  • 重量典型值为5.7g。

六、引脚配置与描述

6.1 引脚分配

Pin Name Description
1 P 正母线输入电压
( 2 ) N/A
3 VS(W) / W W相高侧浮动电源偏移电压 / W相输出
4 VB(W) W相高侧浮动电源电压
( 5 ) N/A
6 VS(V) / V V相高侧浮动电源偏移电压 / V相输出
7 VB(V) V相高侧浮动电源电压
( 8 ) N/A
9 VS(U) / U U相高侧浮动电源偏移电压 / U相输出
10 VB(U) U相高侧浮动电源电压
( 11 ) N/A
12 VDD 低侧控制电源
13 VTH 温度监测
14 COM 低侧控制负电源
15 COM 低侧控制负电源
16 ITRIP 过流保护输入
17 RFE RCIN / 故障 / 使能
18 HIN(U) U相高侧栅极驱动器输入
19 HIN(V) V相高侧栅极驱动器输入
20 HIN(W) W相高侧栅极驱动器输入
21 LIN(U) U相低侧栅极驱动器输入
22 LIN(V) V相低侧栅极驱动器输入
23 LIN(W) W相低侧栅极驱动器输入
24 N(W) W相低侧发射极
25 N(V) V相低侧发射极
26 N(U) U相低侧发射极

6.2 引脚描述

  • HIN(U, V, W)和LIN(U, V, W):这些引脚为正逻辑,负责控制集成IGBT。其施密特触发输入阈值确保了与3.3V控制器输出的LSTTL和CMOS兼容性。内部提供约4kΩ的下拉电阻,在电源启动时对输入进行预偏置,并提供ESD二极管进行引脚保护。输入施密特触发器和噪声滤波器可有效抑制短输入脉冲的噪声。
  • VDD和COM:VDD是控制电源,为输入逻辑和输出功率级提供电源。输入逻辑以COM为参考地。欠压电路使设备在电源电压至少为典型值VDDUV+ = 10.4V时才能正常启动。当VDD电源电压低于VDOUY = 9.4V时,IC会关闭所有栅极驱动器的功率输出,防止外部功率开关在导通状态下出现极低的栅极电压,从而避免过度功耗。
  • VB(U, V, W)和VS(U, V, W):VB到VS是高侧电源电压。高侧电路可跟随外部高侧功率器件发射极电压相对于COM浮动。由于功耗低,浮动驱动器级由集成自举电路供电。欠压检测的上升电源阈值典型值为VBSUV+ = 10.41V,下降阈值为VBSUV = 9.4V。VS(U, V, W)对COM具有很高的负电压耐受性,确保了即使在恶劣条件下设计也非常稳定。
  • N(U, V, W):低侧发射极可用于各相支路的电流测量。建议尽量缩短与COM引脚的连接,以避免不必要的电感电压降。
  • VTH:模块中集成了一个经过UL认证的NTC热敏电阻,其一端连接到COM,另一端连接到VTH。当通过电阻上拉到如VDD或3.3V的电源轨时,VTH引脚提供与热敏电阻温度对应的模拟电压信号。
  • RFE:RFE引脚集成了三个功能:基于RCIN或RC网络的可编程故障清除定时器、故障输出和使能输入。正常工作时,Rrcin将RFE引脚拉到3.3V,使IPM的所有功能启用。微控制器可将该引脚拉低以禁用IPM功能。故障功能允许IPM在两种情况下将RFE引脚拉低,向微控制器报告故障情况:一是VDD出现欠压情况,二是ITRIP引脚检测到电压上升超过VIT,TH+。可编程故障清除定时器功能可在故障条件消失后的预设时间(TFLT - CLR)自动重新启用模块操作。TFLT - CLR的长度可通过公式计算: [V{R F E}(t)=3.3V^{*}left(1-e^{-t / R C}right)] [T{FLT-CLR}=-R{R CIN}^{*} C{RCIN}^{} ln (1-VIN, TH+/ 3.3 V)] 同时,为确保在过流事件中C{RCIN}能完全放电,需要尽量减小C{RCIN}的值。由于ITRIP引脚有350ns的输入滤波器,应确保350ns后,C{RCIN}能通过漏极开路MOSFET放电至VIN,TH以下。因此,最大C{RCIN}可通过以下公式计算: [V_{R F E}(t)=3.3V^{} e^{-t / R C}{I N, T H}] [C{R C I N}<350 ns /left(-ln left(V{IN, TH-} / 3.3 Vright) * R{R F E_{-} ON }right)] 建议使用0.5MΩ至2MΩ的RRCIN。
  • VS1、VS2、VS3:这些引脚是电机U、V、W的输入引脚。
  • P:高侧IGBT连接到母线电压,需注意母线电压不超过450V。

七、应用指南

7.1 典型应用原理图

在实际应用中,需要注意以下几点:

  • 输入电路:可使用RC滤波器(100Ω,1nF)降低输入信号噪声,电容器应靠近CIPOS™ Tiny(尤其是COM端子)放置。
  • Itrip电路:为防止保护功能误操作,建议使用RC滤波器,电容器必须靠近Itrip和COM端子放置。
  • VTH电路:该端子应通过适当的电阻上拉到5V/3.3V的偏置电压,以定义适合温度监测的电压。建议在靠近控制器处放置RC滤波器。
  • VB - VS电路:高侧浮动电源电压的电容器应靠近VB和VS端子放置,强烈建议添加典型值为0.1µF的高频电容器,并尽量减少与电机和自举电容器的布线重叠。
  • 缓冲电容器:CIPOS™ Tiny、缓冲电容器和分流电阻之间的布线应尽量短。
  • 分流电阻:强烈建议使用SMD型分流电阻,以最小化其内部杂散电感。
  • 接地模式:应尽量减少功率地和信号地的布线重叠,仅在分流电阻的公共端连接,以确保电位相同。
  • COM模式:两个COM端子应连接在一起。
  • RFE电路:设置故障清除时间的R和C参数可参考图5。由于RFE为漏极开路结构,该电阻对于故障输出报告功能也是必需的。

7.2 性能图表

最大工作电流SOA只是基于该产品典型特性的一个示例,实际工作条件可能会导致其发生变化。

7.3 Tj与Tth的关系

通过典型的Tj与T

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