描述
CIPOS™ Tiny IM393-X6F:高效电机驱动IPM的技术解析与应用指南
在电子工程师的日常工作中,为各类电器设备选择合适的功率模块是一项关键任务。今天,我们要深入探讨的是英飞凌的CIPOS™ Tiny IM393-X6F,这是一款专为先进家电电机驱动应用设计的集成功率混合IC。
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一、产品概述
IM393-X6F是一款20A、600V的集成功率混合IC,具有开放发射极引脚,适用于节能风扇和泵等先进家电电机驱动应用。英飞凌的这项技术将极其紧凑、高性能的交流电机驱动器集成在单个隔离封装中,大大简化了设计流程。
该先进IPM结合了英飞凌最新的低VCE(on)沟槽IGBT技术,在导通和开关损耗之间实现了最佳平衡,同时集成了行业标杆的三相高压、高速驱动器(3.3V兼容),采用全隔离热增强封装。内置的高精度温度监测和过流保护功能,以及短路额定IGBT和集成欠压锁定功能,确保了高水平的保护和故障安全运行。采用单排直插式封装和全转移模结构,解决了与散热器的隔离问题。
二、产品特性
2.1 集成功能
集成栅极驱动器和自举功能 :简化了电路设计,提高了系统的可靠性。
温度监测 :通过内置的高精度温度监测功能,实时监控模块温度,确保系统在安全温度范围内运行。
保护关断引脚 :当出现异常情况时,可迅速切断电源,保护模块和设备。
2.2 先进技术
低VCE(on)沟槽IGBT技术 :降低了导通损耗,提高了能源效率。
所有通道的欠压锁定 :防止因电压过低导致的设备故障。
匹配的传播延迟 :确保各通道信号同步,提高系统稳定性。
2.3 电气特性
3.3V施密特触发输入逻辑 :增强了抗干扰能力,提高了信号处理的准确性。
交叉导通防止逻辑 :避免同一逆变器相的高侧和低侧开关同时导通,降低短路风险。
隔离性能 :最小隔离电压为2000VRMs,CTI > 600,确保了良好的电气隔离。
UL认证 :获得UL认证(文件编号:E314539),证明了产品的安全性和可靠性。
三、潜在应用
IM393-X6F的应用范围广泛,包括但不限于以下领域:
洗衣机 :为洗衣机的电机提供高效稳定的驱动,实现节能和安静运行。
空调 :精确控制空调压缩机和风扇电机,提高空调的能效和性能。
冰箱 :确保冰箱压缩机的稳定运行,延长冰箱的使用寿命。
风扇 :为各种风扇提供高效驱动,降低能耗。
洗碗机 :驱动洗碗机的水泵和电机,实现高效的清洗功能。
低功率电机驱动 :适用于各种低功率电机的驱动需求。
四、产品验证
该产品已通过JEDEC47/20/22相关测试,符合工业应用要求,这意味着它在性能和可靠性方面都经过了严格的验证。
五、详细参数解析
5.1 绝对最大额定值
模块 :工作结温范围为 -40 ~ 150°C,工作壳温范围为 -40 ~ 125°C,储存温度范围为 -40 ~ 125°C,隔离测试电压为2000V(AC RMS,1分钟,60Hz)。
逆变器 :阻断电压为600V,P-N直流母线电源电压为450V,P-N直流母线电源电压(浪涌)为500V,输出电流为±20A(TC = 25°C,TJ < 150°C),峰值输出电流为±30A(TC = 25°C,TJ < 150°C,小于1ms),每个IGBT的功率损耗为27W,短路耐受时间为3μs(TJ < 150°C,VDC = 360V,VGE = 15V)。
控制 :逻辑电源电压范围为 -0.3 ~ 20V,输入电压范围为 -0.3 ~ 20V,高侧浮动电源电压范围为 -0.3 ~ 20V。
5.2 热特性
单个IGBT的结壳热阻典型值为4.0°C/W,最大值为4.6°C/W。
单个二极管的结壳热阻典型值为5.4°C/W,最大值为6.2°C/W。
5.3 推荐工作条件
正直流母线输入电压为450V。
低侧控制电源电压范围为13.5 ~ 16.5V。
高侧浮动电源电压范围为12.5 ~ 17.5V。
输入电压范围为0 ~ 5V。
PWM载波频率为20kHz。
COM和N之间的电压(包括浪涌)范围为 -5 ~ 5V。
HIN和LIN之间的外部死区时间为1μs。
输入脉冲宽度为1μs。
5.4 静态参数
逆变器 :集电极 - 发射极饱和电压在IC = 10A时,典型值为1.5V,最大值为1.9V;在IC = 10A,TJ = 150°C时,典型值为1.7V。集电极 - 发射极泄漏电流在VIN = 0V,VCE = 600V时,典型值为10μA,最大值为80μA;在VIN = 0V,VCE = 600V,TJ = 150°C时,典型值为80μA。二极管正向电压降在IC = 10A时,典型值为1.6V,最大值为2.2V;在IC = 10A,TJ = 150°C时,典型值为1.6V。
控制 :逻辑“1”输入电压典型值为2.5V,逻辑“0”输入电压最大值为0.8V。VDD/VBS电源欠压正向阈值范围为9.6 ~ 11.2V,负向阈值范围为8.6 ~ 10.2V,欠压锁定滞后典型值为1V。静态VBS电源电流最大值为150μA,静态VDD电源电流最大值为3.2mA,偏移电源泄漏电流最大值为50μA。LIN、HIN的输入偏置电流在VIN = 3.3V时,典型值为825μA,最大值为1110μA;RFE的输入偏置电流在VREF = 3.3V时,最大值为1μA;ITRIP的输入偏置电流在VITRIP = 3.3V时,典型值为4μA,最大值为16μA。ITRIP阈值电压范围为0.44 ~ 0.54V,ITRIP输入滞后为0.07V,自举电阻典型值为200Ω,RFE低导通电阻范围为50 ~ 100Ω。
5.5 动态参数
逆变器 :输入到输出导通传播延迟典型值为1.15μs,输入到输出关断传播延迟典型值为1.15μs,RFE低到六个开关关断传播延迟典型值为1.35μs,ITRIP到六个开关关断传播延迟典型值为1.5μs。IGBT导通能量在VDC = 300V,IC = 10A,TJ = 25°C时典型值为290μJ,TJ = 150°C时典型值为400μJ;IGBT关断能量在VDC = 300V,IC = 10A,TJ = 25°C时典型值为155μJ,TJ = 150°C时典型值为210μJ;二极管反向恢复能量在VDC = 300V,IC = 10A,TJ = 25°C时典型值为35μJ,TJ = 150°C时典型值为70μJ。反向偏置安全工作区在TJ = 150°C,IC = 40A,VP = 600V,VDC = 450V,VDD = +15V到0V时为全方形。
控制 :输入滤波时间(HIN、LIN、ITRIP)典型值为350ns,输入滤波时间(RFE)范围为100 ~ 200ns,ITRIP到故障传播延迟范围为400 ~ 800ns,内部注入死区时间范围为190 ~ 420ns,所有通道匹配传播延迟时间(导通和关断)最大值为50ns。
5.6 热敏电阻特性
25°C时的电阻范围为44.65 ~ 49.35kΩ。
125°C时的电阻范围为1.27 ~ 1.56kΩ。
B常数范围为3989 ~ 4111K。
温度范围为 -40 ~ 125°C。
5.7 机械特性和额定值
壳到散热器的热阻典型值为0.25°C/W。
相比漏电起痕指数为600V。
模块背面曲率范围为0 ~ 150μm。
安装扭矩范围为0.6 ~ 0.8Nm。
重量典型值为5.7g。
六、引脚配置与描述
6.1 引脚分配
Pin
Name
Description
1
P
正母线输入电压
( 2 )
N/A
无
3
VS(W) / W
W相高侧浮动电源偏移电压 / W相输出
4
VB(W)
W相高侧浮动电源电压
( 5 )
N/A
无
6
VS(V) / V
V相高侧浮动电源偏移电压 / V相输出
7
VB(V)
V相高侧浮动电源电压
( 8 )
N/A
无
9
VS(U) / U
U相高侧浮动电源偏移电压 / U相输出
10
VB(U)
U相高侧浮动电源电压
( 11 )
N/A
无
12
VDD
低侧控制电源
13
VTH
温度监测
14
COM
低侧控制负电源
15
COM
低侧控制负电源
16
ITRIP
过流保护输入
17
RFE
RCIN / 故障 / 使能
18
HIN(U)
U相高侧栅极驱动器输入
19
HIN(V)
V相高侧栅极驱动器输入
20
HIN(W)
W相高侧栅极驱动器输入
21
LIN(U)
U相低侧栅极驱动器输入
22
LIN(V)
V相低侧栅极驱动器输入
23
LIN(W)
W相低侧栅极驱动器输入
24
N(W)
W相低侧发射极
25
N(V)
V相低侧发射极
26
N(U)
U相低侧发射极
6.2 引脚描述
HIN(U, V, W)和LIN(U, V, W) :这些引脚为正逻辑,负责控制集成IGBT。其施密特触发输入阈值确保了与3.3V控制器输出的LSTTL和CMOS兼容性。内部提供约4kΩ的下拉电阻,在电源启动时对输入进行预偏置,并提供ESD二极管进行引脚保护。输入施密特触发器和噪声滤波器可有效抑制短输入脉冲的噪声。
VDD和COM :VDD是控制电源,为输入逻辑和输出功率级提供电源。输入逻辑以COM为参考地。欠压电路使设备在电源电压至少为典型值VDDUV+ = 10.4V时才能正常启动。当VDD电源电压低于VDOUY = 9.4V时,IC会关闭所有栅极驱动器的功率输出,防止外部功率开关在导通状态下出现极低的栅极电压,从而避免过度功耗。
VB(U, V, W)和VS(U, V, W) :VB到VS是高侧电源电压。高侧电路可跟随外部高侧功率器件发射极电压相对于COM浮动。由于功耗低,浮动驱动器级由集成自举电路供电。欠压检测的上升电源阈值典型值为VBSUV+ = 10.41V,下降阈值为VBSUV = 9.4V。VS(U, V, W)对COM具有很高的负电压耐受性,确保了即使在恶劣条件下设计也非常稳定。
N(U, V, W) :低侧发射极可用于各相支路的电流测量。建议尽量缩短与COM引脚的连接,以避免不必要的电感电压降。
VTH :模块中集成了一个经过UL认证的NTC热敏电阻,其一端连接到COM,另一端连接到VTH。当通过电阻上拉到如VDD或3.3V的电源轨时,VTH引脚提供与热敏电阻温度对应的模拟电压信号。
RFE :RFE引脚集成了三个功能:基于RCIN或RC网络的可编程故障清除定时器、故障输出和使能输入。正常工作时,Rrcin将RFE引脚拉到3.3V,使IPM的所有功能启用。微控制器可将该引脚拉低以禁用IPM功能。故障功能允许IPM在两种情况下将RFE引脚拉低,向微控制器报告故障情况:一是VDD出现欠压情况,二是ITRIP引脚检测到电压上升超过VIT,TH+。可编程故障清除定时器功能可在故障条件消失后的预设时间(TFLT - CLR)自动重新启用模块操作。TFLT - CLR的长度可通过公式计算:
[V{R F E}(t)=3.3V^{*}left(1-e^{-t / R C}right)]
[T {FLT-CLR}=-R{R CIN}^{*} C {RCIN}^{} ln (1-VIN, TH+/ 3.3 V)]
同时,为确保在过流事件中C{RCIN}能完全放电,需要尽量减小C {RCIN}的值。由于ITRIP引脚有350ns的输入滤波器,应确保350ns后,C{RCIN}能通过漏极开路MOSFET放电至VIN,TH以下。因此,最大C {RCIN}可通过以下公式计算:
[V_{R F E}(t)=3.3V^{ } e^{-t / R C}{I N, T H}]
[C{R C I N}<350 ns /left(-ln left(V{IN, TH-} / 3.3 Vright) * R {R F E_{-} ON }right)]
建议使用0.5MΩ至2MΩ的RRCIN。
VS1、VS2、VS3 :这些引脚是电机U、V、W的输入引脚。
P :高侧IGBT连接到母线电压,需注意母线电压不超过450V。
七、应用指南
7.1 典型应用原理图
在实际应用中,需要注意以下几点:
输入电路 :可使用RC滤波器(100Ω,1nF)降低输入信号噪声,电容器应靠近CIPOS™ Tiny(尤其是COM端子)放置。
Itrip电路 :为防止保护功能误操作,建议使用RC滤波器,电容器必须靠近Itrip和COM端子放置。
VTH电路 :该端子应通过适当的电阻上拉到5V/3.3V的偏置电压,以定义适合温度监测的电压。建议在靠近控制器处放置RC滤波器。
VB - VS电路 :高侧浮动电源电压的电容器应靠近VB和VS端子放置,强烈建议添加典型值为0.1µF的高频电容器,并尽量减少与电机和自举电容器的布线重叠。
缓冲电容器 :CIPOS™ Tiny、缓冲电容器和分流电阻之间的布线应尽量短。
分流电阻 :强烈建议使用SMD型分流电阻,以最小化其内部杂散电感。
接地模式 :应尽量减少功率地和信号地的布线重叠,仅在分流电阻的公共端连接,以确保电位相同。
COM模式 :两个COM端子应连接在一起。
RFE电路 :设置故障清除时间的R和C参数可参考图5。由于RFE为漏极开路结构,该电阻对于故障输出报告功能也是必需的。
7.2 性能图表
最大工作电流SOA只是基于该产品典型特性的一个示例,实际工作条件可能会导致其发生变化。
7.3 Tj与Tth的关系
通过典型的Tj与T
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