描述
探索CIPOS™ IGCM20F60HA:集成电力系统的卓越之选
在电子工程领域,功率模块的性能和可靠性对于各类应用至关重要。今天,我们将深入探讨英飞凌的Control Integrated POwer System (CIPOS™) IGCM20F60HA,一款专为三相交流电机和永磁电机控制设计的智能功率模块。
文件下载:IGCM20F60HAXKMA1.pdf
一、CIPOS™ IGCM20F60HA概述
1. 特点
- 全隔离双列直插式封装:采用完全隔离的双列直插式模制模块,具备出色的电气隔离性能,有效提高系统的安全性和稳定性。
- 反向导通IGBT:集成反向导通IGBT,结合单片体二极管,提供良好的电气性能。
- 坚固的SOI栅极驱动技术:采用SOI栅极驱动技术,对瞬态和负电压具有稳定性,允许在VBS = 15V时,VS电位可达 -11V,确保信号传输的可靠性。
- 集成自举功能:内置自举功能,简化电路设计,提高系统的集成度。
- 过流保护:具备过流关断功能,当检测到过流时,能迅速关闭所有开关,保护模块和系统安全。
- 欠压锁定:所有通道均设有欠压锁定功能,防止在低电压情况下功率开关因栅极电压过低而导致过度功耗。
- 低侧发射极引脚:低侧发射极引脚可用于各相电流监测,方便工程师进行系统监测和控制。
- 防止交叉导通:具备交叉导通预防功能,避免同一桥臂的两个栅极驱动器同时导通,确保系统稳定运行。
- 环保设计:引脚采用无铅镀层,符合RoHS标准,环保且符合相关法规要求。
2. 目标应用
CIPOS™ IGCM20F60HA适用于多种应用场景,如洗碗机、冰箱、洗衣机、空调、风扇以及低功率电机驱动器等。这些应用通常需要精确的电机控制和可靠的功率输出,而该模块正好满足这些需求。
3. 系统配置
- 3个半桥:采用3个带有反向导通IGBT的半桥结构,为电机控制提供必要的功率输出。
- 3Φ SOI栅极驱动器:集成3Φ SOI栅极驱动器,实现对IGBT的精确控制。
- 引脚与散热器间隙:引脚与散热器的间隙距离典型值为1.6mm,有助于散热和电气隔离。
二、引脚配置与说明
1. 引脚配置
| CIPOS™ IGCM20F60HA共有24个引脚,每个引脚都有特定的功能。详细的引脚分配如下表所示: |
Pin Number |
Pin Name |
Pin Description |
| 1 |
VS(U) |
U相高侧浮动IC电源偏移电压 |
| 2 |
VB(U) |
U相高侧浮动IC电源电压 |
| 3 |
VS(V) |
V相高侧浮动IC电源偏移电压 |
| 4 |
VB(V) |
V相高侧浮动IC电源电压 |
| 5 |
VS(W) |
W相高侧浮动IC电源偏移电压 |
| 6 |
VB(W) |
W相高侧浮动IC电源电压 |
| 7 |
HIN(U) |
U相高侧栅极驱动器输入 |
| 8 |
HIN(V) |
V相高侧栅极驱动器输入 |
| 9 |
HIN(W) |
W相高侧栅极驱动器输入 |
| 10 |
LIN(U) |
U相低侧栅极驱动器输入 |
| 11 |
LIN(V) |
V相低侧栅极驱动器输入 |
| 12 |
LIN(W) |
W相低侧栅极驱动器输入 |
| 13 |
VDD |
低侧控制电源 |
| 14 |
VFO |
故障输出 |
| 15 |
ITRIP |
过流关断输入 |
| 16 |
VSS |
低侧控制负电源 |
| 17 |
NW |
W相低侧发射极 |
| 18 |
NV |
V相低侧发射极 |
| 19 |
NU |
U相低侧发射极 |
| 20 |
W |
电机W相输出 |
| 21 |
V |
电机V相输出 |
| 22 |
U |
电机U相输出 |
| 23 |
P |
正母线输入电压 |
| 24 |
NC |
无连接 |
2. 引脚详细说明
- HIN(U, V, W)和LIN(U, V, W)(低侧和高侧控制引脚,引脚7 - 12):这些引脚为正逻辑,用于控制集成IGBT。其施密特触发器输入阈值确保与LSTTL和CMOS兼容,最低可支持3.3V控制器输出。内部提供约5kΩ的下拉电阻,用于在电源启动时预偏置输入,并设有齐纳钳位保护引脚。输入施密特触发器和噪声滤波器可有效抑制短输入脉冲的噪声。不建议输入脉冲宽度低于1µs,同时集成栅极驱动器具备防直通功能,避免同一桥臂的两个栅极驱动器同时导通,并插入典型值为380ns的最小死区时间,减少外部功率开关的交叉导通。
- VFO(故障输出,引脚14):当VDD引脚出现欠压或ITRIP引脚触发过流检测时,VFO引脚指示模块故障,需要外部上拉电阻。
- ITRIP(过流检测功能,引脚15):通过将ITRIP输入与IGBT集电极电流反馈连接,实现过流检测功能。ITRIP比较器阈值典型值为0.47V,参考VSS地。输入噪声滤波器(典型值:tITRIPMIN = 530ns)可防止驱动器检测到错误的过流事件。过流检测会在典型1000ns的关断传播延迟后,关闭栅极驱动器的所有输出,故障清除时间设置为最小40µs。
- VDD, VSS(低侧控制电源和参考,引脚13, 16):VDD为控制电源,为输入逻辑和输出功率级提供电源,输入逻辑参考VSS地。欠压电路在电源电压至少达到典型值VDDUV+ = 12.1V时使设备正常工作,当VDD电源电压低于VDDuv - = 10.4V时,IC关闭所有栅极驱动器功率输出,防止外部功率开关在导通状态下栅极电压过低而导致过度功耗。
- VB(U, V, W)和VS(U, V, W)(高侧电源,引脚1 - 6):VB到VS为高侧电源电压,高侧电路可随外部高侧功率器件发射极电压相对于VSS浮动。由于功耗低,浮动驱动器级由集成自举电路供电。欠压检测的上升阈值典型值为VBSUV+ = 12.1V,下降阈值为VBSUV = 10.4V。VS(U, V, W)对VSS的负电压具有高达 -50V的瞬态鲁棒性,确保在恶劣条件下设计的稳定性。
- NW, NV, NU(低侧发射极,引脚17 - 19):低侧发射极可用于各相桥臂的电流测量,建议尽量缩短与VSS引脚的连接,以避免不必要的电感电压降。
- W, V, U(高侧发射极和低侧集电极,引脚20 - 22):这些引脚为电机U、V、W相输入引脚。
- P(正母线输入电压,引脚23):高侧IGBT连接到母线电压,注意母线电压不超过450V。
三、电气参数与特性
1. 绝对最大额定值
- 模块部分:存储温度范围为 -40°C至125°C,隔离测试电压(RMS,f = 60Hz,t = 1min)为2000V,工作外壳温度范围为 -40°C至125°C。
- 逆变器部分:最大阻断电压为600V,P - N直流母线电源电压为450V(浪涌电压为500V),输出电流在不同温度下有所不同(TC = 25°C时为±20A,TC = 80°C时为±15A),最大峰值输出电流为±45A(小于1ms),短路耐受时间为5µs(VDC ≤ 400V,TJ = 150°C),每个IGBT的功率耗散为32.6W,工作结温范围为 -40°C至150°C,单个IGBT的结 - 壳热阻为3.84K/W。
- 控制部分:模块电源电压为 -1V至20V,高侧浮动电源电压(VB vs. VS)为 -1V至20V,输入电压(LIN, HIN, ITRIP)为 -1V至10V,开关频率最大为20kHz。允许的短路次数小于1000次,短路间隔时间大于1s。
2. 推荐工作条件
- 直流母线电源电压(P - N)为0至400V。
- 高侧浮动电源电压(VB vs. VS)为13.5至18.5V。
- 低侧电源电压为14.0至18.5V。
- 控制电源变化率为±1V/µs。
- 逻辑输入电压(LIN, HIN, ITRIP)为0至5V。
- VSS - N之间的电压(包括浪涌)为 -5至5V。
3. 静态参数
包括集电极 - 发射极饱和电压、发射极 - 集电极正向电压、集电极 - 发射极泄漏电流、逻辑“1”和“0”输入电压、ITRIP正阈值、输入滞后、VDD和VBS电源欠压阈值和滞后、输入钳位电压、静态VBx和VDD电源电流、输入偏置电流等参数。
4. 动态参数
涵盖导通传播延迟时间、导通上升时间、导通开关时间、反向恢复时间、关断传播延迟时间、关断下降时间、关断开关时间、短路传播延迟时间、输入滤波时间、故障清除时间、死区时间、IGBT导通和关断能量、二极管恢复能量等参数。
5. 自举参数
包括重复峰值反向电压、自举二极管电阻、反向恢复时间、正向电压降等参数。
四、典型应用电路设计要点
1. 输入电路
为减少高速开关引起的输入信号噪声,应安装RIN和CIN滤波电路(100Ω,1nF),CIN应尽可能靠近Vss引脚。
2. Itrip电路
为防止保护功能出错,CITRIP应尽可能靠近Itrip和Vss引脚。
3. VFO电路
VFO输出为开漏输出,信号线路应通过适当的电阻Rpu上拉到5V/3.3V逻辑电源的正端,建议在靠近控制器处放置RC滤波器。
4. VB - VS电路
高侧浮动电源电压的电容应尽可能靠近VB和VS引脚。
5. 缓冲电容
CIPOS™ Mini与缓冲电容(包括分流电阻)之间的布线应尽可能短。
6. 分流电阻
应使用SMD型分流电阻,以减少杂散电感。
7. 接地模式
接地模式应在分流电阻的一点处尽可能短地分开。
五、总结
CIPOS™ IGCM20F60HA作为一款集成电力系统,具有众多出色的特性和丰富的功能,适用于多种电机控制应用。其在引脚设计、电气参数和应用电路方面都有详细的规范和要求,工程师在使用时需要仔细考虑这些因素,以确保系统的性能和可靠性。你在实际应用中是否遇到过类似功率模块的设计挑战呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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