探索 onsemi SS8550 PNP 外延硅晶体管：特性、参数与应用

在电子设备的设计中，晶体管是至关重要的基础元件。今天，我们将深入探讨 onsemi 公司的 SS8550 PNP 外延硅晶体管，详细了解它的特性、参数以及应用场景。

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一、产品特性

1. 应用场景

SS8550 适用于便携式收音机的 2W 输出放大器，采用 B 类推挽操作。这种应用场景要求晶体管具备良好的功率输出和稳定性，SS8550 能够很好地满足这些需求。同时，它与 SS8050 互补，为工程师在设计电路时提供了更多的选择和灵活性。

2. 环保特性

该晶体管是无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR）的，并且符合 RoHS 标准。这使得它在环保要求日益严格的今天，成为了众多电子设备制造商的首选元件。

3. 电流能力

其集电极电流 (I_{C}) 可达 1.5A，能够处理较大的电流，适用于需要高功率输出的电路设计。

二、绝对最大额定值

在使用晶体管时，了解其绝对最大额定值是非常重要的，这可以避免因超出额定值而损坏器件。以下是 SS8550 在 (T_{A}=25^{circ}C) 时的绝对最大额定值：	参数	符号	值	单位
集电极 - 基极电压	(V_{CBO})	-40	V
集电极 - 发射极电压	(V_{CEO})	-25	V
发射极 - 基极电压	(V_{EBO})	-6	V
集电极电流	(I_{C})	-1.5	A
结温	(T_{J})	150	°C
存储温度	(T_{STG})	-65 至 150	°C

需要注意的是，超过这些额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

三、热特性

1. 功率耗散

在 (T{A}=25^{circ}C) 时，功率耗散 (P{D}) 为 1W。当温度超过 25°C 时，功率耗散会以 8mW/°C 的速率下降。这意味着在设计电路时，需要考虑晶体管的散热问题，以确保其在正常工作温度范围内。

2. 热阻

结到环境的热阻 (R_{JA}) 为 125°C/W。热阻反映了晶体管散热的难易程度，热阻越小，散热效果越好。

四、电气特性

1. 击穿电压

• 集电极 - 基极击穿电压 (B{V{CBO}})：在 (I{C}=-100mu A)，(I{E}=0) 的条件下，最小值为 -40V。
• 集电极 - 发射极击穿电压 (B{V{CEO}})：在 (I{C}=-2mA)，(I{B}=0) 的条件下，最小值为 -25V。
• 发射极 - 基极击穿电压 (B{V{EBO}})：在 (I{E}=-100mu A)，(I{C}=0) 的条件下，最小值为 -6V。

2. 截止电流

• 集电极截止电流 (I{CBO})：在 (V{CB}=-35V)，(I_{E}=0) 的条件下，最大值为 -100nA。
• 发射极截止电流 (I{EBO})：在 (V{EB}=-6V)，(I_{C}=0) 的条件下，最大值为 -100nA。

3. 直流电流增益

SS8550 有不同的直流电流增益参数 (h{FE})，在不同的集电极电流和集电极 - 发射极电压条件下，其值有所不同。例如，在 (V{CE}=-1V)，(I{C}=-5mA) 时，(h{FE1}) 的最小值为 45，典型值为 170。

4. 饱和电压

• 集电极 - 发射极饱和电压 (V{CE(sat)})：在 (I{C}=-800mA)，(I_{B}=-80mA) 的条件下，典型值为 -0.28V，最大值为 -0.50V。
• 基极 - 发射极饱和电压 (V{BE(sat)})：在 (I{C}=-800mA)，(I_{B}=-80mA) 的条件下，典型值为 -0.98V，最大值为 -1.20V。

5. 其他参数

• 基极 - 发射极导通电压 (V{BE(on)})：在 (V{CE}=-1V)，(I_{C}=-10mA) 的条件下，典型值为 -0.66V，最大值为 -1.00V。
• 输出电容 (C{ob})：在 (V{CB}=-10V)，(I_{E}=0)，(f = 1MHz) 的条件下，典型值为 15pF。
• 电流增益带宽乘积 (f{T})：在 (V{CE}=-10V)，(I_{C}=-50mA) 的条件下，最小值为 100MHz，典型值为 200MHz。

五、hFE 分类

SS8550 的 (h{FE2}) 有两种分类：C 类（120 - 200）和 D 类（160 - 300）。这为工程师在选择晶体管时提供了更多的灵活性，可以根据具体的电路需求选择合适的 (h{FE}) 分类。

六、订购信息

SS8550 有不同的型号和封装，具体如下：	部件编号	顶部标记	封装	包装
SS8550CBU	S8550C	TO - 92 - 3，case 135AN（无铅）	10,000 个/散装盒
SS8550CTA	S8550C	TO - 92 - 3，case 135AR（无铅）	2,000 个/折叠包装
SS8550DBU	S8550D	TO - 92 - 3，case 135AN（无铅）	10,000 个/散装盒
SS8550DTA	S8550D	TO - 92 - 3，case 135AR（无铅）	2,000 个/折叠包装

七、典型性能特性

文档中还给出了 SS8550 的典型性能特性图，包括静态特性、直流电流增益、基极 - 发射极饱和电压和集电极 - 发射极饱和电压、基极 - 发射极导通电压、集电极输出电容以及电流增益带宽乘积等。这些特性图可以帮助工程师更好地了解晶体管在不同条件下的性能表现。

八、机械尺寸

SS8550 采用 TO - 92 封装，文档中给出了详细的机械尺寸图，包括 TO - 92 3 4.825x4.76 和 TO - 92 3 4.83x4.76 两种规格。在设计电路板时，需要根据这些尺寸来合理布局晶体管的位置。

总结

onsemi 的 SS8550 PNP 外延硅晶体管具有良好的性能和环保特性，适用于多种电子设备的设计。在使用时，工程师需要根据具体的电路需求，合理选择晶体管的参数和型号，并注意其绝对最大额定值和热特性，以确保电路的稳定性和可靠性。你在使用 SS8550 或者其他晶体管时，有没有遇到过一些特别的问题呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。