电子说
在电子电路设计中,晶体管是不可或缺的基础元件。今天我们来详细解析安森美(onsemi)的两款PNP硅通用晶体管——NST857AMX2和NST857BMX2,看看它们有哪些特点和性能表现。
文件下载:NST857AMX2-D.PDF
这两款晶体管具有环保特性,它们是无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR)的,并且符合RoHS标准。这对于追求绿色环保设计的工程师来说是一个重要的考虑因素。
| 在使用晶体管时,了解其最大额定值至关重要,因为超过这些限制可能会损坏器件,影响其功能和可靠性。以下是在环境温度(T_{A}=25^{circ} C)时的主要最大额定值: | 额定参数 | 符号 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 集电极 - 发射极电压 | (V_{CEO}) | -45 | V | |
| 集电极 - 基极电压 | (V_{CBO}) | -50 | V | |
| 发射极 - 基极电压 | (V_{EBO}) | -5.0 | V | |
| 集电极连续电流 | (I_{C}) | -100 | mA |
| 热特性对于晶体管的稳定工作非常关键。以下是相关热特性参数: | 特性描述 | 符号 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 总功率耗散(注1)@ (T_{A}=25^{circ} C) ,25°C以上降额 | 1.39 | mW | ||
| (R_{BA}) | °C/W | |||
| 25°C以上降额 | (P_{D}) | 640 5.41 |
mW mW/°C |
|
| 结到环境的热阻(注2) | 185 | °C/W | ||
| 结和储存温度范围 | (T{J}, T{stg}) | -55 to +150 | °C |
注1:表面贴装在FR4板上,使用(0.6 mm^{2})、2 oz.铜焊盘;或使用(100 mm^{2})、2 oz.铜焊盘。
| 特性描述 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 集电极 - 发射极击穿电压 ((I_{C} = -10 mA)) | (V_{(BR)CEO}) | -45 | V | ||
| 集电极 - 发射极击穿电压 ((I{C} = -10 A, V{EB} = 0)) | (V_{(BR)CES}) | -50 | V | ||
| 集电极 - 基极击穿电压 ((I_{C} = -10 A)) | (V_{(BR)CBO}) | -50 | V | ||
| 发射极 - 基极击穿电压 ((I_{E} = -1.0 A)) | (V_{(BR)EBO}) | -5.0 | V | ||
| 集电极截止电流 ((V{CB} = -30 V)) ((V{CB} = -30 V, T_{A} = 150°C)) | (I_{CBO}) | -15 | -4.0 | nA μA |
| 特性描述 | 型号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 直流电流增益 ((I{C} = -100mu A, V{CE} = -1.0V)) | NST857A | 180 | |||
| 直流电流增益 ((I{C} = -2.0 mA, V{CE} = -5.0 V)) | NST857B NST857A NST857B |
220 | 180 290 |
250 475 |
|
| 集电极 - 发射极饱和电压 ((I{C} = -10 mA, I{B} = -0.5 mA)) | V | ||||
| 基极 - 发射极饱和电压 ((I{C} = -100 mA, I{B} = -5.0 mA)) | -0.7 | V | |||
| 基极 - 发射极饱和电压 ((I{C} = -2.0 mA, V{CE} = -5.0 V)) ((I{C} = -10 mA, V{CE} = -5.0 V)) | -0.75 -0.82 |
| 特性描述 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| ((I{C} = -10 mA, V{CE} = -5.0 Vdc, f = 100 MHz)) | (f_{T}) | MHz | |||
| 输出电容 | (C_{ob}) | 4.5 | pF | ||
| 噪声系数 | (NF) | dB | |||
| ((I{C} = -0.2 mA, V{CE} = -5.0 Vdc, R_{S} = 2.0 k Omega, f = 1.0 kHz, BW = 200 Hz)) | |||||
| NST857B | - | 4.0 |
文档中还给出了两款晶体管的一系列典型特性曲线,包括电容、导通时间、上升时间、存储时间、下降时间、直流电流增益、集电极饱和区、集电极 - 发射极饱和电压与集电极电流关系、基极 - 发射极饱和电压与集电极电流关系、集电极电流与集电极 - 发射极电压关系、电流增益带宽与集电极电流关系以及安全工作区等特性曲线。这些曲线可以帮助工程师更直观地了解晶体管在不同工作条件下的性能表现,从而更好地进行电路设计。
| 器件型号 | 标记 | 封装 | 包装数量 |
|---|---|---|---|
| NST857AMX2T5G | AC | X2DFN3 (1.0 x 0.6 mm) | 8,000 / 卷带包装 |
| NST857BMX2T5G | AJ | X2DFN3 (1.0 x 0.6 mm) |
对于卷带规格的详细信息,可参考安森美提供的《Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D》。
文档中给出了X2DFN3封装的机械尺寸图,包含详细的尺寸标注和公差说明。工程师在进行PCB设计时,需要根据这些尺寸信息来合理布局晶体管的位置和焊盘尺寸。
安森美NST857AMX2和NST857BMX2晶体管具有环保、性能稳定等特点,其丰富的电气特性和典型特性曲线为工程师提供了详细的设计参考。在实际应用中,工程师需要根据具体的电路需求,结合这些参数和特性来选择合适的晶体管,并进行合理的电路设计和布局。你在使用这类晶体管的过程中遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
全部0条评论
快来发表一下你的评论吧 !