探索CIPOS™ Tiny IM393 - M6F:高性能集成功率模块的卓越之选

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探索CIPOS™ Tiny IM393 - M6F:高性能集成功率模块的卓越之选

在电子工程师的日常工作中,为各类应用寻找合适的功率模块是一项至关重要的任务。今天,我们将深入探讨英飞凌的CIPOS™ Tiny IM393 - M6F,这是一款专为先进家电电机驱动应用设计的10A、600V集成功率混合IC,它以其独特的性能和特性,为高效节能风扇、水泵等应用提供了理想的解决方案。

文件下载:EVALM1CTF610N3TOBO1.pdf

产品概述

IM393 - M6F采用了英飞凌最新的低VCE(on)沟槽IGBT技术,结合行业领先的三相高压高速驱动器,集成于一个完全隔离的热增强封装中。这种设计不仅实现了极高的功率密度,还简化了设计流程。内置的高精度温度监测和过流保护功能,以及短路额定IGBT和集成欠压锁定功能,确保了模块的高可靠性和故障安全运行。同时,采用单直插式封装和全转移模结构,有效解决了与散热器的隔离问题。

潜在应用领域

IM393 - M6F的应用范围广泛,涵盖了众多家电和低功率电机驱动领域,如洗衣机、空调、冰箱、风扇、洗碗机等。这些应用场景对电机驱动的效率、可靠性和紧凑性都有较高的要求,而IM393 - M6F正好能够满足这些需求。你在实际项目中,是否也遇到过对电机驱动有类似要求的应用场景呢?

产品特性详解

集成功能

  • 集成栅极驱动器和自举功能:集成的栅极驱动器和自举功能简化了电路设计,减少了外部元件的使用,提高了系统的可靠性。
  • 温度监测:内置高精度温度监测功能,可实时监测模块温度,确保系统在安全温度范围内运行。
  • 保护关闭引脚:提供保护关闭引脚,当出现过流、过温等异常情况时,可迅速关闭模块,保护系统安全。

先进技术

  • 低VCE(on)沟槽IGBT技术:采用低VCE(on)沟槽IGBT技术,实现了导通损耗和开关损耗的最佳平衡,提高了系统效率。
  • 欠压锁定功能:所有通道均具备欠压锁定功能,确保在电源电压不稳定时,模块能够正常工作。
  • 匹配的传播延迟:所有通道的传播延迟匹配,保证了系统的同步性和稳定性。

电气特性

  • 3.3V施密特触发输入逻辑:支持3.3V施密特触发输入逻辑,与低电压控制器兼容,降低了系统功耗。
  • 交叉导通防止逻辑:集成交叉导通防止逻辑,避免同一逆变器相的高侧和低侧开关同时导通,提高了系统的安全性。
  • 高隔离性能:具备2000VRMs的最小隔离电压和CTI > 600的比较跟踪指数,确保了系统的电气隔离和可靠性。

引脚配置与功能

引脚分配

IM393 - M6F共有26个引脚,其中部分引脚为空引脚。各引脚的具体功能如下: Pin Name Description
1 P 正母线输入电压
3 VS(W) / W W相高侧浮动电源偏移电压 / W相输出
4 VB(W) W相高侧浮动电源电压
6 VS(V) / V V相高侧浮动电源偏移电压 / V相输出
7 VB(V) V相高侧浮动电源电压
9 VS(U) / U U相高侧浮动电源偏移电压 / U相输出
10 VB(U) U相高侧浮动电源电压
12 VDD 低侧控制电源
13 VTH 温度监测
14, 15 COM 低侧控制负电源
16 ITRIP 过流保护输入
17 RFE RCIN / 故障 / 使能
18 - 20 HIN(U, V, W) U、V、W相高侧栅极驱动器输入
21 - 23 LIN(U, V, W) U、V、W相低侧栅极驱动器输入
24 - 26 N(U, V, W) U、V、W相低侧发射极

引脚功能详解

  • HIN(U, V, W)和LIN(U, V, W):这些引脚为正逻辑,负责控制集成IGBT。内部提供约4kΩ的下拉电阻,用于在电源启动时预偏置输入,并配备ESD二极管进行引脚保护。输入施密特触发器和噪声滤波器可有效抑制短输入脉冲的噪声。
  • VDD和COM:VDD为低侧控制电源,为输入逻辑和输出功率级提供电源。输入逻辑以COM为参考地。欠压电路确保在电源电压达到典型值VDDUV + = 10.4V时,设备能够正常启动;当VDD电源电压低于VDDUv - = 9.4V时,IC将关闭所有栅极驱动器的功率输出,防止外部功率开关在导通状态下出现过低的栅极电压,从而避免过度功耗。
  • VB(U, V, W)和VS(U, V, W):VB到VS为高侧电源电压,高侧电路可随外部高侧功率器件发射极电压相对于COM浮动。由于功耗较低,浮动驱动器级由集成自举电路供电。欠压检测的上升阈值典型值为VBSUV + = 10.41V,下降阈值为VBSUV = 9.4V。VS(U, V, W)对COM具有较高的负电压耐受性,确保了在恶劣条件下的稳定设计。
  • N(U, V, W):低侧发射极可用于各相电流测量。为避免不必要的电感电压降,建议将其与COM引脚的连接尽可能短。
  • VTH:模块内集成了一个UL认证的NTC热敏电阻,其一端连接到COM,另一端连接到VTH。当通过电阻上拉到VDD或3.3V等电源电压时,VTH引脚可提供与热敏电阻温度对应的模拟电压信号。
  • RFE:RFE引脚集成了RCIN(基于RC网络的可编程故障清除定时器)、故障输出和使能输入三种功能。正常工作时,RcIN将RFE引脚拉至3.3V,使能IPM的所有功能;微控制器可将该引脚拉低以禁用IPM功能。当出现VDD欠压或ITRIP引脚电压高于VIT,TH +时,RFE引脚将被拉低以报告故障。可编程故障清除定时器功能可在故障条件消失后的预设时间(TFLT - CLR)自动重新启用模块操作。

电气参数

绝对最大额定值

类别 参数 符号 条件 单位
模块 工作结温 TJ IGBT、二极管、HVIC -40 ~ 150 °C
工作壳温 TC -40 ~ 125 °C
储存温度 TSTG -40 ~ 125 °C
隔离测试电压 VISO AC RMS,1分钟,60Hz 2000 V
逆变器 阻断电压 VCES IGBT、二极管、HVIC 600 V
直流母线电源电压(P - N) VPN 施加于P和N之间 450 V
直流母线电源电压(浪涌)(P - N) VPN(surge) 施加于P和N之间 500 V
输出电流 IO TC = 25°C,TJ < 150°C ±10 A
峰值输出电流 IO(peak) TC = 25°C,TJ < 150°C,小于1ms ±15 A
每个IGBT的功率损耗 Ptot 20 W
短路耐受时间 TSC TJ < 150°C,VDC = 360V,VGE = 15V 3 μs
控制 逻辑电源电压 VDD -0.3 ~ 20 V
输入电压 VIN LIN、HIN、ITRIP、RFE -0.3 ~ 20 V
高侧浮动电源电压(VB参考VS) VBS(U,V,W) -0.3 ~ 20 V

热特性

参数 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位
单个IGBT热阻(结 - 壳) RTH(J - C) 低侧V相IGBT(TC测量点见图6) - 5.3 6.1 °C/W
单个二极管热阻(结 - 壳) RTH(J - C)D 低侧V相二极管(TC测量点见图6) - 6.6 7.7 °C/W

推荐工作条件

为确保设备正常工作,应在推荐条件下使用。所有电压均相对于COM绝对参考,VS偏移在所有电源偏置为15V差分的情况下进行测试。 参数 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位
正直流母线输入电压 VDC - - 450 V
低侧控制电源电压 VDD 13.5 15 16.5 V
高侧浮动电源电压 VBS 12.5 15 17.5 V
输入电压 VIN LIN、HIN、ITRIP、RFE 0 - 5 V
PWM载波频率 FPWM - 20 - kHz
COM和N之间的电压(包括浪涌) VCOM -5 - 5 V
HIN和LIN之间的外部死区时间 DT 1 - - μs
输入脉冲宽度 PW IN(ON)、PW IN(OFF) 1 - - μs

静态参数

逆变器

参数 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位
集电极 - 发射极饱和电压 VCE(ON) IC = 5A - 1.5 1.9 V
IC = 5A,TJ = 150°C - 1.7 - V
集电极 - 发射极泄漏电流 ICES VIN = 0V,VCE = 600V - 10 80 μA
VIN = 0V,VCE = 600V,TJ = 150°C - 80 - μA
二极管正向电压降 VF IC = 5A - 1.7 2.2 V
IC = 5A,TJ = 150°C - 1.6 - V

控制

参数 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位
逻辑“1”输入电压 VIN,TH + LIN、HIN、RFE 2.5 - - V
逻辑“0”输入电压 VIN,TH - LIN、HIN、RFE - - 0.8 V
VDD / VBS电源欠压,正向阈值 VDD,UV + 、VBS,UV + 9.6 10.4 11.2 V
VDD / VBS电源欠压,负向阈值 VDD,UV - 、VBS,UV - 8.6 9.4 10.2 V
VDD / VBS电源欠压锁定迟滞 VDDUVH、VBSUVH - 1 - V
静态VBS电源电流 IQBS - - 150 μA
静态VDD电源电流 IQDD - - 3.2 mA
偏移电源泄漏电流 ILK VS = 600V - - 50 μA
LIN、HIN的输入偏置电流 IIN + VIN = 3.3V - 825 1110 μA
RFE的输入偏置电流 IIN,RFE + VREF = 3.3V - 0 1 μA
ITRIP的输入偏置电流 ITRIP + VITRIP = 3.3V - 4 16 μA
ITRIP阈值电压 VITRIP 0.44 0.49 0.54 V
ITRIP输入迟滞 VITRIP,HYS - 0.07 - V
自举电阻 RBS - 200 - Ω
RFE低导通电阻 RRFE - 50 100 Ω

动态参数

逆变器

参数 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位
输入到输出导通传播延迟 TON IC = 5A,VDC = 300V 1.15 μs
输入到输出关断传播延迟 IC = 5A,VDC = 300V 1.15 μs
ITRIP到六个开关关断传播延迟 TITRIP IC = 5A,VDC = 300V 1.5 μs
IGBT导通能量 VDC = 300V,IC = 5A,TJ = 25°C、150°C 170、250 μJ
IGBT关断能量 EOFF VDC = 300V,IC = 5A,TJ = 25°C 70、110 μJ
二极管反向恢复能量 EREC 150°C 40 μJ
反向偏置安全工作区 RBSOA VDC = 450V,VDD = +15V到0V 全方形

控制

参数 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位
输入滤波器时间(HIN、LIN、ITRIP) TFILIN VIN = 0或VIN = 5V 350 ns
输入滤波器时间(RFE) TFILRFE VRFE = 0或VRFE = 5V 100 200 ns
TFLT 400 600 ns
内部注入死区时间 TDT VIN = 0或VIN = 5V 190 420 ns
所有通道的匹配传播延迟时间(导通和关断) MT 外部死区时间 > 420ns 50 ns

热敏电阻特性

参数 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位
电阻 R25 T = 25°C,±5%公差 44.65 47 49.35
电阻 R125 T = 125°C 1.27 1.41 1.56
B常数 B 25 - 50°C,R2 = R1e [B(1/T2 - 1/T1)] 3989 4050 4111 K
温度范围 -40 - 125 °C

机械特性与评级

参数 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位
热阻(壳 - 散热器) RTH(C - S) 平整、涂有导热膏的表面,散热器化合物导热系数1W/mK - 0.25 - °C/W
比较跟踪指数 CTI 600 - - V
模块背面曲率 BKC 0 - 150 µm
安装扭矩 T M3螺丝和垫圈 0.6 0.7 0.8 Nm
重量 W - 5.7
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