描述
深入解析CIPOS™ IGCM04G60HA:一款卓越的集成电源系统
在电子工程师的日常工作中,选择合适的电源系统对于项目的成功至关重要。今天,我们就来详细探讨英飞凌的Control Integrated POwer System (CIPOS™) IGCM04G60HA,看看它有哪些独特的特性和优势。
文件下载:IGCM04G60HAXKMA1.pdf
一、产品概述
CIPOS™ IGCM04G60HA是一款双列直插式智能功率模块,属于3Φ -bridge 600V / 4A的范畴。它为集成各种功率和控制组件提供了机会,能够提高系统的可靠性,优化PCB尺寸和系统成本。其主要应用于洗碗机、冰箱、风扇以及低功率电机驱动器等领域,旨在控制三相交流电机和永磁电机在变速驱动器中的运行。
二、产品特性
2.1 先进的器件技术
- 反向导通IGBT:采用带有单片体二极管的反向导通IGBT,结合优化的SOI栅极驱动器,可实现出色的电气性能。
- SOI栅极驱动技术:坚固的SOI栅极驱动技术,对瞬态和负电压具有稳定性,在VBS = 15V时,允许负VS电位高达 -11V,以实现信号传输。
2.2 丰富的保护功能
- 过流保护:具备过流检测功能,通过将ITRIP输入与IGBT集电极电流反馈相连,当检测到过流时,会在典型的1000ns关机传播延迟后关闭栅极驱动器的所有输出。
- 欠压锁定:在所有通道都设有欠压锁定功能,当VDD电源电压低于10.4V时,IC会关闭所有栅极驱动器的功率输出,防止外部功率开关在导通状态下出现极低的栅极电压水平,从而避免过度功耗。
- 交叉导通预防:集成的栅极驱动提供了直通预防功能,避免同一桥臂的两个栅极驱动器同时导通,同时驱动器IC还提供了典型380ns的最小死区时间插入,以减少外部功率开关的交叉导通。
2.3 其他特性
- 集成自举功能:由于低功耗,浮动驱动器级由集成自举电路供电。
- 低侧公共发射极:低侧公共发射极可用于电流测量,建议尽量缩短与VSS引脚的连接,以避免不必要的感应电压降。
- 环保设计:采用无铅端子电镀,符合RoHS标准。
三、系统配置
3.1 电路结构
- 3个半桥:包含3个带有反向导通IGBT的半桥。
- 3Φ SOI栅极驱动器:用于驱动IGBT。
- 引脚到散热器间隙距离:典型值为1.6mm。
3.2 引脚配置与功能
| 引脚编号 |
引脚名称 |
引脚描述 |
| 1 |
VS(U) |
U相高侧浮动IC电源偏移电压 |
| 2 |
VB(U) |
U相高侧浮动IC电源电压 |
| ... |
... |
... |
| 24 |
NC |
无连接 |
不同引脚具有不同的功能,例如HIN(U, V, W)和LIN(U, V, W)是低侧和高侧控制引脚,负责控制集成IGBT;VFO是故障输出引脚,在VDD引脚欠压或ITRIP引脚触发过流检测时指示模块故障;ITRIP是过流检测功能引脚等。
四、电气参数
4.1 绝对最大额定值
- 模块部分:存储温度范围为 -40°C至125°C,隔离测试电压为2000V RMS(f = 60Hz,t = 1min),工作外壳温度范围为 -40°C至125°C。
- 逆变器部分:最大阻断电压为600V,P - N的直流母线电源电压最大为450V(浪涌时为500V),输出电流根据不同的温度条件有所不同,最大峰值输出电流为±8A,短路耐受时间在V DC ≤ 400V、T J = 150°C时为5µs,每个IGBT的功率耗散最大为21.8W,工作结温范围为 -40°C至150°C,单个IGBT的结 - 壳热阻最大为5.73K/W。
- 控制部分:模块电源电压为 -1V至20V,高侧浮动电源电压(VB vs. VS)为 -1V至20V,输入电压(LIN, HIN, ITRIP)为 -1V至10V,开关频率最大为20kHz。
4.2 推荐操作条件
- 直流母线电源电压(P - N)为0至400V。
- 高侧浮动电源电压(VB vs. VS)为13.5至18.5V。
- 低侧电源电压为14.0至18.5V。
- 控制电源变化为 -1至1V/µs。
- 逻辑输入电压(LIN, HIN, ITRIP)为5V。
- VSS - N(包括浪涌)为 -5至5V。
4.3 静态参数
包括集电极 - 发射极饱和电压、发射极 - 集电极正向电压、集电极 - 发射极泄漏电流、逻辑“1”和“0”输入电压、ITRIP正向阈值、ITRIP输入滞后、VDD和VBS电源欠压正向和负向阈值、输入钳位电压、静态VBx和VDD电源电流、输入偏置电流等参数。
4.4 动态参数
涵盖导通传播延迟时间、导通上升时间、导通开关时间、反向恢复时间、关断传播延迟时间、关断下降时间、关断开关时间、短路传播延迟时间、输入滤波时间、故障清除时间、低侧和高侧之间的死区时间、栅极驱动电路的死区时间、IGBT导通和关断能量、二极管恢复能量等参数。
4.5 自举参数
包括重复峰值反向电压、自举二极管电阻、反向恢复时间、正向电压降等参数。
五、典型应用电路设计要点
5.1 输入电路
为减少高速开关引起的输入信号噪声,应安装RIN和CIN滤波电路(100Ω,1nF),CIN应尽可能靠近Vss引脚放置。
5.2 Itrip电路
为防止保护功能错误,CITRIP应尽可能靠近Itrip和Vss引脚放置。
5.3 VFO电路
VFO输出是开漏输出,该信号线应用适当的电阻Rpu上拉至5V/3.3V逻辑电源的正极,建议将RC滤波器尽可能靠近控制器放置。
5.4 VB - VS电路
高侧浮动电源电压的电容应尽可能靠近VB和VS引脚放置。
5.5 缓冲电容器
CIPOS™ Mini与缓冲电容器(包括分流电阻)之间的布线应尽可能短。
5.6 分流电阻
应使用SMD类型的分流电阻以减少其杂散电感。
5.7 接地模式
接地模式应在分流电阻的一点处尽可能短地分开。
六、总结
CIPOS™ IGCM04G60HA以其丰富的特性、合理的系统配置和明确的电气参数,为电子工程师在设计电机驱动等相关应用时提供了一个可靠的选择。在实际应用中,我们需要根据具体的需求和电路设计要点,合理使用该模块,以充分发挥其性能优势。大家在使用过程中是否遇到过类似模块的其他问题呢?欢迎在评论区分享交流。
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