长鑫科技一季度业绩增长超16倍 长鑫科技预计上半年净利超500亿元

据长鑫科技更新的IPO招股书营业数据显示；长鑫科技‌在2026年的第一季度实现‌营业收入508亿元‌（同比增长719.13%），‌归母净利润247.62亿元‌（同比增长1688.30%），业绩爆发主要受全球DRAM产品供不应求及价格持续上涨推动。‌‌长鑫科技在报告指出，全球DRAM产品因算力需求增长及产能调配等因素供不应求，价格自2025年下半年起大幅上涨，加之公司产销规模增长与产品结构优化，共同驱动了业绩的迅猛提升。长鑫科技的爆发，本质上是时代红利与自身积累的双重共振。长鑫科技的营业利润、利润总额、净利润、息税折旧摊销前利润、归属于母公司所有者的净利润及扣除非经常性损益后归属于母公司所有者的净利润均同比大幅增长。

同时；长鑫科技还预计了2026年上半年的营业收入将在1100亿至1200亿元之间，同比增长612.53%至677.31%；净利润预计为660亿至750亿元，归属于母公司所有者的净利润预计为500亿至570亿元，扣非后净利润预计为520亿至580亿元。

有业界分析人士认为，存储的爆发还将持续较长时间，从需求端看，AI大模型的训练与推理对存储芯片的需求呈指数级增长。数据显示，单台AI服务器的内存需求量是传统服务器的8-10倍，2026年全球AI领域消耗的DRAM产能占比已达66%。这种结构性需求爆发，直接打破了存储行业的供需平衡。

而供给端的收缩则进一步加剧了缺口。三星、SK海力士、美光等国际巨头为追逐高利润的HBM（高带宽内存）市场，纷纷压缩常规DRAM产能。三星终结了持续24年的2D NAND产线，SK海力士将DDR4生产比重降至20%。据TrendForce集邦咨询数据，2026年一季度消费型DRAM价格累计上涨75%-80%，创近五年单季最大涨幅，二季度合约价预计再涨45%-50%，LPDDR5X甚至可能季增78%-83%。

成立于2016年的长鑫科技，长期在DRAM赛道默默耕耘。2022年至2025年上半年，公司累计研发投入达188.67亿元，占同期营业收入的33.11%，高强度的研发投入终于在2026年迎来收获期。目前，公司已完成从第一代到第四代工艺技术平台的量产，覆盖DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X等核心产品线，其中DDR5产品良率超过90%，速率达到8000Mbps，追平国际一流水平；12层HBM产品的量产，更让长鑫科技成功切入AI高端市场，打破了韩企在该领域的垄断。未来业绩表现有望带来更多惊喜。

据上交所官网显示，长鑫科技科创板IPO申请已于2025年12月30日获受理。在招股说明书中长鑫科技表示；目前是我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业。产能规模已位居中国第一、全球第四。本次发行拟募资295亿元，主要用于包括DRAM存储器技术升级项目在内的3个项目；包括有用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造、DRAM存储器技术升级以及前瞻技术研发项目。

长鑫科技最新的招股说明书数据显示，在2025年长鑫科技实现营业收入617.99亿元，较2024年的241.78亿元增长127%；归属于母公司所有者的净利润达18.75亿元，与2024年亏损71.45亿元相比，成功实现扭亏为盈。