电子说
在电子设计领域,电容是不可或缺的元件,而C0G (NP0) 介质电容凭借其卓越的性能,成为众多工程师的首选。本文将深入探讨C0G (NP0) 介质电容的特性、规格以及测试方法,帮助工程师更好地了解和应用这一高性能电容。
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C0G (NP0) 是“温度补偿型”EIA I类陶瓷材料中最受欢迎的配方。现代C0G (NP0) 配方包含钕、钐等稀土氧化物,提供了一种极为稳定的电容介质。
C0G (NP0) 陶瓷电容的电容温度变化率为0 ±30ppm/°C,在 -55°C 至 +125°C 的温度范围内,电容变化小于 ±0.3%。这种出色的温度稳定性使得C0G (NP0) 电容在温度变化较大的环境中仍能保持稳定的性能,适用于对电容值稳定性要求较高的电路。
C0G (NP0) 陶瓷的电容漂移或滞后可忽略不计,小于 ±0.05%,而薄膜电容的这一数值最高可达 ±2%。此外,C0G (NP0) 电容的典型寿命电容变化小于 ±0.1%,仅为大多数其他介质电容的五分之一,且无老化特性。
C0G (NP0) 电容的工作温度范围为 -55°C 至 +125°C,这使得它能够在较宽的温度环境下正常工作。
电容值需在规定的公差范围内,对于电容值 ≤ 1000 pF 的电容,测量频率为 1.0 MHz ± 10%;对于电容值 > 1000 pF 的电容,测量频率为 1.0 kHz ± 10%。
对于电容值 < 30 pF 的电容,Q ≥ 400 + 20 x 电容值;对于电容值 ≥ 30 pF 的电容,Q ≥ 1000。Q 值反映了电容的品质因数,较高的 Q 值意味着较低的能量损耗。
绝缘电阻为 10,000MΩ 或 500MΩ - µF,取较小值。在室温/湿度条件下,对器件施加额定电压 60 ± 5 秒后测量。
对器件施加 250% 的额定电压 1 - 5 秒,充电和放电电流限制在 50 mA(最大值),要求无击穿或视觉缺陷。对于 500V 器件,施加 150% 的额定电压。
外观要求无缺陷,电容变化 ≤ ±5% 或 ±.5 pF(取较大值),绝缘电阻 ≥ 初始值 x 0.3。测试时,器件的挠度为 2mm,测试时间为 30 秒。
每个端子至少 95% 应被新鲜焊料覆盖。将器件浸入 230 ± 5°C 的共晶焊料中 5.0 ± 0.5 秒。
外观要求无缺陷,端部端子的浸出率 < 25%。将器件浸入 260°C 的共晶焊料中 60 秒,在室温下存放 24 ± 2 小时后测量电气性能。电容变化 ≤ ±2.5% 或 ±.25 pF(取较大值),Q 值和绝缘电阻应满足初始值要求,介电强度也应符合初始值。
外观要求无视觉缺陷,电容变化 ≤ ±2.5% 或 ±.25 pF(取较大值),Q 值、绝缘电阻和介电强度应满足初始值要求。测试过程包括在 -55°C ± 2°C 下保持 30 ± 3 分钟,室温 ≤ 3 分钟,+125°C ± 2°C 下保持 30 ± 3 分钟,室温 ≤ 3 分钟,重复 5 个循环,在室温下放置 24 小时后测量。
外观要求无视觉缺陷,电容变化 ≤ ±3.0% 或 ±.3 pF(取较大值)。在 125°C ± 2°C 的测试腔中对器件施加两倍额定电压 1000 小时(+48, -0),从测试腔中取出并在室温下稳定 24 小时后测量。Q 值和绝缘电阻应满足相应要求,介电强度也应符合初始值。
外观要求无视觉缺陷,电容变化 ≤ ±5.0% 或 ±.5 pF(取较大值)。将器件存放在 85°C ± 2°C、相对湿度 85% ± 5% 的测试腔中 1000 小时(+48, -0),施加额定电压,从腔中取出并在室温下稳定 24 ± 2 小时后测量。Q 值和绝缘电阻应满足相应要求,介电强度也应符合初始值。
文档中还给出了C0G (NP0) 介质电容的电容范围表格,不同尺寸的电容对应不同的电容值和包装方式。其中,优选尺寸进行了阴影标注,方便工程师选择。同时,表格还给出了不同字母对应的最大厚度,为电容的选型提供了详细的参考。
C0G (NP0) 介质电容以其出色的温度稳定性、低电容漂移和滞后、长寿命等优点,成为电子工程师在设计高性能电路时的理想选择。在实际应用中,工程师应根据具体的电路要求,结合C0G (NP0) 介质电容的规格和电容范围,合理选择电容,以确保电路的稳定性和可靠性。
你在设计中是否使用过C0G (NP0) 介质电容?遇到过哪些问题?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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