onsemi NSS20500UW3:20V、7.0A低VCE(sat) PNP晶体管的卓越性能与应用

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描述

onsemi NSS20500UW3:20V、7.0A低VCE(sat) PNP晶体管的卓越性能与应用

在电子设计领域,晶体管作为基础元件,其性能的优劣直接影响着整个电路的表现。今天,我们就来深入了解一下onsemi的NSS20500UW3这款20V、7.0A低VCE(sat) PNP晶体管,看看它有哪些独特之处。

文件下载:NSS20500UW3-D.PDF

产品概述

onsemi的e2PowerEdge系列低VCE(sat)晶体管是微型表面贴装器件,具有超低饱和电压(VCE(sat))和高电流增益能力。该系列专为低压、高速开关应用而设计,在需要经济高效能源控制的场景中尤为重要。

典型应用场景

消费电子领域

在便携式和电池供电产品中,如手机、无绳电话、个人数字助理(PDA)、计算机、打印机、数码相机和MP3播放器等,NSS20500UW3可用于DC - DC转换器和电源管理,帮助实现高效的能源转换和管理。

存储设备领域

在磁盘驱动器和磁带驱动器等大容量存储产品的低压电机控制中,该晶体管也能发挥重要作用,确保电机的稳定运行。

汽车行业

在汽车行业,NSS20500UW3可用于安全气囊展开系统和仪表盘等应用,为汽车的安全和稳定运行提供保障。

模拟放大领域

其高电流增益特性允许e2PowerEdge器件直接由电源管理单元(PMU)的控制输出驱动,线性增益(Beta)使其成为模拟放大器的理想组件。

产品特性

环保设计

NSS20500UW3是无铅器件,符合环保要求,有助于减少对环境的影响。

最大额定值

在TA = 25°C的条件下,该晶体管具有以下最大额定值: Rating Symbol Max Unit
Collector - Emitter Voltage VCEO -20 Vdc
Collector - Base Voltage VCBO -20 Vdc
Emitter - Base Voltage VEBO -7.0 Vdc
Collector Current - Continuous IC -5.0 Adc
Collector Current - Peak ICM -7.0 A
Electrostatic Discharge ESD HBM Class 3B MM Class C

需要注意的是,超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。如果超过这些限制,不能保证器件的功能,可能会发生损坏并影响可靠性。

热特性

Symbol
PD
RUA 143
Derate above 25°C (Note 2) PD 11.8 W mW/°C
RUA 85
Junction - to - Lead #1 (Note 2) RoL 23 °C/W
(Single Pulse < 10 sec) (Notes 2, 3) PUsingle 3.0
Junction and Storage Temperature Range -55 to +150 °C

电气特性

在TA = 25°C的条件下,该晶体管的电气特性如下:

关断特性

  • 集电极 - 发射极击穿电压(V(BR)CEO):-20Vdc
  • 集电极 - 基极击穿电压(V(BR)CBO):-20Vdc
  • 发射极 - 基极击穿电压(V(BR)EBO):-7.0Vdc
  • 集电极截止电流(ICBO):最大 -0.1uAdc
  • 发射极截止电流(IEBO):最大 -0.1uAdc

导通特性

  • DC电流增益(hFE):在不同集电极电流下有不同的值,如IC = -10mA时,典型值为300;IC = -500mA时,典型值为300等。
  • 集电极 - 发射极饱和电压(VCE(sat)):在不同集电极电流和基极电流组合下有不同的值,如IC = -0.1A,IB = -0.010A时,典型值为 -0.010V等。
  • 基极 - 发射极饱和电压(VBE(sat)):典型值为0.76V
  • 基极 - 发射极导通电压(VBE(on)):典型值为0.80V
  • 截止频率(fT):100MHz

开关特性

  • 延迟时间(td):最大75ns
  • 上升时间(tr):最大160ns
  • 存储时间:最大350ns
  • 下降时间(tf):最大160ns

封装与订购信息

NSS20500UW3采用WDFN3封装,有两种订购型号: Device Package Shipping †
NSS20500UW3T2G WDFN3 (Pb - Free) 3000/ Tape & Reel
NSS20500UW3TBG WDFN3 (Pb - Free) 3000/ Tape & Reel

总结

onsemi的NSS20500UW3低VCE(sat) PNP晶体管凭借其卓越的性能和广泛的应用场景,为电子工程师在设计低压、高速开关电路时提供了一个可靠的选择。在实际应用中,我们需要根据具体的设计要求,合理选择晶体管的参数,并注意其最大额定值和热特性,以确保电路的稳定运行。你在使用类似晶体管时遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享你的经验。

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