电子说
在电子设计领域,晶体管作为基础元件,其性能的优劣直接影响着整个电路的表现。今天,我们就来深入了解一下onsemi的NSS20500UW3这款20V、7.0A低VCE(sat) PNP晶体管,看看它有哪些独特之处。
文件下载:NSS20500UW3-D.PDF
onsemi的e2PowerEdge系列低VCE(sat)晶体管是微型表面贴装器件,具有超低饱和电压(VCE(sat))和高电流增益能力。该系列专为低压、高速开关应用而设计,在需要经济高效能源控制的场景中尤为重要。
在便携式和电池供电产品中,如手机、无绳电话、个人数字助理(PDA)、计算机、打印机、数码相机和MP3播放器等,NSS20500UW3可用于DC - DC转换器和电源管理,帮助实现高效的能源转换和管理。
在磁盘驱动器和磁带驱动器等大容量存储产品的低压电机控制中,该晶体管也能发挥重要作用,确保电机的稳定运行。
在汽车行业,NSS20500UW3可用于安全气囊展开系统和仪表盘等应用,为汽车的安全和稳定运行提供保障。
其高电流增益特性允许e2PowerEdge器件直接由电源管理单元(PMU)的控制输出驱动,线性增益(Beta)使其成为模拟放大器的理想组件。
NSS20500UW3是无铅器件,符合环保要求,有助于减少对环境的影响。
| 在TA = 25°C的条件下,该晶体管具有以下最大额定值: | Rating | Symbol | Max | Unit |
|---|---|---|---|---|
| Collector - Emitter Voltage | VCEO | -20 | Vdc | |
| Collector - Base Voltage | VCBO | -20 | Vdc | |
| Emitter - Base Voltage | VEBO | -7.0 | Vdc | |
| Collector Current - Continuous | IC | -5.0 | Adc | |
| Collector Current - Peak | ICM | -7.0 | A | |
| Electrostatic Discharge | ESD | HBM Class 3B MM Class C |
需要注意的是,超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。如果超过这些限制,不能保证器件的功能,可能会发生损坏并影响可靠性。
| Symbol | |||
|---|---|---|---|
| PD | |||
| RUA | 143 | ||
| Derate above 25°C (Note 2) | PD | 11.8 | W mW/°C |
| RUA | 85 | ||
| Junction - to - Lead #1 (Note 2) | RoL | 23 | °C/W |
| (Single Pulse < 10 sec) (Notes 2, 3) | PUsingle | 3.0 | |
| Junction and Storage Temperature Range | -55 to +150 | °C |
在TA = 25°C的条件下,该晶体管的电气特性如下:
| NSS20500UW3采用WDFN3封装,有两种订购型号: | Device | Package | Shipping † |
|---|---|---|---|
| NSS20500UW3T2G | WDFN3 (Pb - Free) | 3000/ Tape & Reel | |
| NSS20500UW3TBG | WDFN3 (Pb - Free) | 3000/ Tape & Reel |
onsemi的NSS20500UW3低VCE(sat) PNP晶体管凭借其卓越的性能和广泛的应用场景,为电子工程师在设计低压、高速开关电路时提供了一个可靠的选择。在实际应用中,我们需要根据具体的设计要求,合理选择晶体管的参数,并注意其最大额定值和热特性,以确保电路的稳定运行。你在使用类似晶体管时遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享你的经验。
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