电子说
在电子工程师的日常工作中,为高功率开关环境选择合适的MOSFET栅极驱动器是一项关键任务。今天,我们就来深入了解英飞凌的EiceDRIVER™ 2EDF7275F和2EDF7175F这两款高性能栅极驱动器。
文件下载:KITDRIVER2EDF7275FTOBO1.pdf
EiceDRIVER™ 2EDF7275F非常适合在嘈杂的高功率开关环境中对高端和低端MOSFET进行初级侧控制,以实现稳健稳定的运行。其强大的4 A/8 A源/灌双通道栅极驱动器在驱动CoolMOS™或OptiMOS™等高、中压MOSFET时,能够实现快速的导通和关断。两个输出通道均独立隔离,可灵活用作浮动栅极驱动器,具有高达150 V/ns的共模瞬态抗扰度(CMTI)。VDDi输入电源支持宽电压范围的SLDO模式,可节省板载LDO。对于较慢的开关或驱动较小的MOSFET,还有1 A/2 A峰值电流的产品变体EiceDRIVER™ 2EDF7175F,它采用DSO - 16窄体封装,爬电距离为4 mm。
2EDF7275F的输入到输出功能隔离,适用于较大功率的PCB设计,或者在需要将功率回路中的开关噪声与微控制器隔离的场景。其>150 V/ns的共模噪声抗扰度,使其成为高端、低端半桥拓扑中具有简单CMOS电平PWM输入的最稳健解决方案之一。高端驱动器电源可采用低成本的自举方法实现。
EiceDRIVER™系列隔离栅极驱动器在温度和生产差异下的一致性能和时序精度,使其易于在功率级或多相、多级设计中使用,并能在高性能功率转换应用中进一步提高效率。
| 产品组合部件编号 | 可订购部件编号(OPN) | 封装 | PWM输入类型 | 驱动器源/灌电流 | 栅极驱动器欠压锁定 | 输入到输出隔离 | 隔离等级 | 额定值 | 浪涌测试 | 安全认证 | 死区时间控制 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2EDF7275F | 2EDF7275FXUMA1 | NB - DSO16 10x6mm | 双模式(输入A,输入B) | 4 A/8 A | 4 V | 功能隔离 | 1.5 kV峰值 | n.a. | n.a. | 无 | |
| 2EDF7175F | 2EDF7175FXUMA1 | NB - DSO16 10x6mm | 双模式(输入A,输入B) | 1 A/2 A | 4 V | 功能隔离 | 1.5 kV峰值 | n.a. | n.a. | 无 |
电子工程师们在选择MOSFET栅极驱动器时,不妨考虑EiceDRIVER™ 2EDF7275F和2EDF7175F,它们凭借出色的性能和丰富的功能,能为你的设计带来更多的可能性。大家在实际应用中是否遇到过类似驱动器的选型难题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
全部0条评论
快来发表一下你的评论吧 !