EiceDRIVER™ 2EDN752x / 2EDN852x：高效、可靠的双路驱动器解决方案

在电子设计领域，一款性能卓越的驱动器对于提升系统性能和稳定性至关重要。EiceDRIVER™ 2EDN752x / 2EDN852x 作为一款先进的双路驱动器，凭借其出色的特性和广泛的应用场景，成为众多工程师的首选。

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一、产品特性

1. 高速、精准、强大且兼容

• 快速开关性能：5 ns 的快速压摆率和 17 ns 的传播延迟精度，能够实现 MOSFET 和 GaN 的快速开关，从而提高开关电源（SMPS）的效率。
• 通道间延迟匹配：1 ns 的通道间传播延迟精度，确保了两个通道可以安全并行使用，为设计提供了更多的灵活性。
• 强大的驱动能力：两个独立的 5 A 通道，能够满足多种应用需求，提供了丰富的部署选项。
• 兼容性强：采用行业标准封装和引脚排列，便于系统设计升级，降低了设计成本和时间。

2. 坚固耐用

• 欠压锁定（UVLO）保护：提供 4.2 V 和 8 V 的 UVLO 选项，确保在异常情况下能够立即保护 MOSFET，避免因电压过低而导致的损坏。
• 输入鲁棒性：-10 V 的控制和使能输入鲁棒性，在驱动脉冲变压器或通孔封装的 MOSFET 时，提供了关键的安全裕度。
• 反向电流保护：5 A 的反向电流鲁棒性，无需额外的输出保护电路，减少了物料清单（BOM）成本。

二、典型应用

EiceDRIVER™ 2EDN752x / 2EDN852x 适用于多种应用场景，包括但不限于：

• 服务器 SMPS：为服务器提供高效、稳定的电源供应。
• 电信 SMPS：满足电信设备对电源的高要求。
• DC - DC 转换器：实现不同电压之间的转换。
• 功率模块：用于各种功率模块的驱动。
• 电动工具：提供可靠的驱动能力，确保工具的正常运行。
• 工业 SMPS：适应工业环境的复杂要求。
• 电机控制：精确控制电机的运行。
• 太阳能 SMPS：提高太阳能电源系统的效率。

三、产品版本

1. 逻辑版本

2EDN752x / 2EDN852x 有两种逻辑版本，通过产品型号中的变量 x 表示：

• (x = 3)：反相输入逻辑。
• (x = 4)：同相/直接输入逻辑。

2. 封装版本

该产品提供三种不同的封装版本，以满足不同的设计需求：

• PG - DSO - 8 - 60：标准封装，适用于大多数应用。
• PG - TSSOP - 8 - 1：小型封装，节省 PCB 空间。
• PG - WSON - 8 - 4：无引脚封装，具有更好的散热性能。

四、引脚配置与功能描述

1. 引脚配置

不同封装版本的引脚配置有所不同，但基本功能相似。以 PG - DSO - 8 - 60 封装为例，其引脚配置如下：	引脚	符号	描述
1	ENA	通道 A 使能输入，高电平或悬空时，OUTA 由 INA 控制；低电平时，OUTA 为低电平。
2	INA	通道 A 逻辑输入，控制 OUTA（反相或同相）。
3	GND	接地。
4	INB	通道 B 逻辑输入，控制 OUTB（反相或同相）。
5	OUTB	通道 B 驱动器输出，具有低阻抗的源极和漏极电流能力。
6	VDD	正电源电压，工作范围为 4.5 V/8.6 V 至 20 V。
7	OUTA	通道 A 驱动器输出，具有低阻抗的源极和漏极电流能力。
8	ENB	通道 B 使能输入，高电平或悬空时，OUTB 由 INB 控制；低电平时，OUTB 为低电平。

2. 功能描述

• 输入兼容性：控制和使能输入与 LV - TTL 兼容（CMOS 3.3 V），输入电压范围为 -5 V 至 +20 V。-10 V 的输入引脚鲁棒性可防止因寄生接地电感引起的闩锁或电气过应力，提高了系统的稳定性。
• 欠压锁定（UVLO）：4.2 V 和 8 V 的 UVLO 选项确保在异常情况下能够立即保护 MOSFET 和 GaN 器件。当电源电压低于 UVLO 阈值时，输出将被锁定为低电平，避免 MOSFET 进入线性模式，从而减少功率损耗。
• 输出能力：每个输出能够提供 5 A 的源极和漏极电流，采用真正的轨到轨输出级，确保了极低的导通电阻（源极 p 沟道 MOS 为 0.7 Ω，漏极 n 沟道 MOS 为 0.55 Ω）。通道间延迟匹配非常紧密，典型值为 1 ns，允许两个通道并行使用，从而实现 10 A 的源极和漏极电流能力。

五、电气特性

1. 绝对最大额定值

参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位	备注或测试条件
正电源电压	VVDD	-0.3		22	V
引脚 INA、INB、ENA、ENB 电压	VIN	-10		22	V
引脚 OUTA、OUTB 电压	VOUT	-0.3		VVDD + 0.3	V	允许反向电流峰值产生的电压尖峰
引脚 OUTA、OUTB 反向电流峰值	ISNKREV、ISRCREV	-5		5	Apk	< 500 ns
结温	TJ	-40		150	°C
存储温度	TS	-55		150	°C
ESD 能力	VESD
				1.5	kV	充电器件模型（CDM）
				2.5	kV	人体模型（HBM）

2. 热特性

不同封装版本的热特性有所不同，以 PG - DSO - 8 - 60 封装为例：	参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位	备注或测试条件
结到环境热阻	RthJA25		125		K/W	PG - DSO - 8 - 60，Tamb = 25°C
结到外壳（顶部）热阻	RthJC25		66		K/W	PG - DSO - 8 - 60，Tamb = 25°C
结到电路板热阻	RthJB25		62		K/W	PG - DSO - 8 - 60，Tamb = 25°C
结到顶部表征参数	ΨthJC25		16		K/W	PG - DSO - 8 - 60，Tamb = 25°C
结到电路板表征参数	ΨthJB25		55		K/W	PG - DSO - 8 - 60，Tamb = 25°C

3. 工作范围

参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位	备注或测试条件
电源电压	VVDD	4.5		20	V	最小值由 UVLO 定义
逻辑输入电压	VIN	-5		20	V
结温	TJ	-40		150	°C	连续运行超过 125°C 可能会缩短使用寿命

4. 电气特性

在 (V{VDD}=12 ~V) 和 (T{J}=25^{circ} C) 的条件下，部分电气特性如下：	参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位	备注或测试条件
VDD 静态电流（OUT = high）	IVDDQU1	0.5	0.7	1.2	mA
VDD 静态电流（OUT = low）	IVDDQU2	0.3	0.48	0.7	mA
欠压锁定（UVLO）开启阈值（逻辑电平 MOSFET）	UVLOON	3.9	4.2	4.5	V
欠压锁定（UVLO）关闭阈值（逻辑电平 MOSFET）	UVLOOFF	3.6	3.9	4.2	V
UVLO 阈值滞后（逻辑电平 MOSFET）	UVLOHYS		0.3		V
输入电压阈值（LH 转换）	VINH	1.98	2.1	2.2	V
输入电压阈值（HL 转换）	VINL	0.95	1.02	1.1	V
输入上拉电阻	RINH		400		kΩ	初始逻辑电平为高的输入
输入下拉电阻	RINL		100		kΩ	初始逻辑电平为低的输入
高电平（源极）输出电阻	RON_SRC	0.35	0.7	1.2	Ω	ISRC = 50mA
高电平（源极）输出电流	ISRCPEAK		5.0		A
低电平（漏极）输出电阻	RON_SNK	0.28	0.55	1.0	Ω	ISNK = 50mA
低电平（漏极）输出电流	ISNKPEAK		-5.0		A
输入/使能到输出传播延迟（低到高转换）	TPDlh	15	17	23	ns	CLOAD = 1.8 nF，VVDD = 12 V
输入/使能到输出传播延迟（高到低转换）	TPDhl	15	19	23	ns	CLOAD = 1.8 nF，VVDD = 12 V
同一 IC 上两个通道的输入/使能到输出传播延迟失配	∆tPD			2	ns
上升时间	TRISE		5.3	10	ns	CLOAD = 1.8 nF，VVDD = 12 V
下降时间	TFAll		4.5	10	ns	CLOAD = 1.8 nF，VVDD = 12 V
改变输出状态的最小输入脉冲宽度	TPW		6	10	ns	CLOAD = 1.8 nF，VVDD = 12 V

六、总结

EiceDRIVER™ 2EDN752x / 2EDN852x 是一款功能强大、性能卓越的双路驱动器，具有高速、精准、坚固耐用等优点。其丰富的产品版本和广泛的应用场景，为工程师提供了更多的选择和灵活性。在实际设计中，工程师可以根据具体需求选择合适的逻辑版本和封装版本，以实现最佳的系统性能。同时，了解该产品的电气特性和热特性，有助于工程师更好地进行电路设计和优化。你在使用这款驱动器的过程中遇到过哪些问题呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。